EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
損耗
損耗 文章 進(jìn)入損耗技術(shù)社區
集成開(kāi)關(guān)器的反激式電源的低損耗設計
- 1）序言 文章介紹如何設計電路，減低采用IRIS40xx系列集成開(kāi)關(guān)器的反激式電源中的空載和待機狀態(tài)損耗。要達到此目的，可以利用一個(gè)根據負載情況轉換IRIS器件的工作模式的電路。準諧振模式(Quasi-resonant mo
- 關(guān)鍵字： 設計 損耗 電源 開(kāi)關(guān) 集成
新型IGBT軟開(kāi)關(guān)在應用中的損耗
- 本文介紹了集成續流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT，并將探討面向軟開(kāi)關(guān)應用的1,200V逆導型IGBT所取得的重大技術(shù)進(jìn)步。IGBT技術(shù)進(jìn)步主要體現在兩個(gè)方面：通過(guò)采用和改進(jìn)溝槽柵來(lái)優(yōu)化垂直方向載流子濃度，以及利用“場(chǎng)終
- 關(guān)鍵字： IGBT 軟開(kāi)關(guān) 損耗
低損耗軟開(kāi)關(guān)Boost變換器
- 摘要：介紹一種新的軟開(kāi)關(guān)Boost變換器。傳統的Boost變換器在開(kāi)通和關(guān)斷時(shí)將產(chǎn)生開(kāi)關(guān)損耗，因此使整個(gè)系統的效率下降。新的Boost變換器利用軟開(kāi)關(guān)方法增加了輔助開(kāi)關(guān)管和諧振電路。這樣，相比硬開(kāi)關(guān)情況下，變換器減小
- 關(guān)鍵字： 變換器 Boost 開(kāi)關(guān) 損耗
MOSFET開(kāi)關(guān)軌跡線(xiàn)的示波器重現方法
- MOSFET的開(kāi)關(guān)軌跡線(xiàn)是判斷MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程“軟硬”程度的重要評估指標，MOSFET的軟硬程度對于開(kāi)關(guān)電源的性...
- 關(guān)鍵字： MOSFET 損耗 開(kāi)關(guān) 動(dòng)態(tài) 截至 飽和
關(guān)于光纖接續損耗測試以及分析
- 摘要：本文介紹光纖接續損耗產(chǎn)生的原因，光纖接續損耗測試的原理以及幾種測試方法的應用和計算，較為系統的闡述了光纖接續損耗測試的科學(xué)方法。 光纖接續損耗是光纖通信系統性能指標中的一項重要參數，損耗值的大小直接影響到光傳輸系統的整體傳輸質(zhì)量，在光纜施工和維護測試中，運用科學(xué)的測試分析方法，對提高整個(gè)光纜接續施工質(zhì)量和維護工作極其重要，尤其是進(jìn)一步研究光通信中長(cháng)波長(cháng)的單模光纖的通信性能、傳輸衰耗、測量精度和檢查維修等方面有一定現實(shí)意義。 一、 光纖接續損耗分析 1、 光
- 關(guān)鍵字： 測量 測試 光纖 接續 損耗
損耗介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條損耗!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對損耗的理解，并與今后在此搜索損耗的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對損耗的理解，并與今后在此搜索損耗的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
損耗電路
損耗相關(guān)帖子
損耗資料下載
損耗專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473