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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 損耗

電子輻照對開(kāi)關(guān)電源中功率雙極晶體管損耗的影響

  • 中心議題： 開(kāi)關(guān)電源中開(kāi)關(guān)晶體管的損耗 開(kāi)關(guān)電源中開(kāi)關(guān)晶體管的電子輻照實(shí)驗 電子輻照雙極晶體管和鉗位型雙極晶體管的比較
    功率雙極晶體管的損耗是開(kāi)關(guān)電源總損耗中的最多的器件之一， 采用10M eV電子輻照
  • 關(guān)鍵字： 晶體管  損耗  影響  雙極  功率  輻照  開(kāi)關(guān)電源  電子  

光纖應用中的損耗及解決方案

  • 1、接續損耗及其解決方案1.1接續損耗光纖的接續損耗主要包括：光纖本征因素造成的固有損耗和非...
  • 關(guān)鍵字： 光纖  損耗  解決方案  

如何為電源選擇最佳的工作頻率

  • 為您的電源選擇最佳的工作頻率是一個(gè)復雜的權衡過(guò)程，其中包括尺寸、效率以及成本。通常來(lái)說(shuō)，低頻率設計往...
  • 關(guān)鍵字： 電源  工作頻率  損耗    

低導通損耗的USB電源開(kāi)關(guān)的設計

  • 本文設計了一種低導通損耗的USB 電源開(kāi)關(guān)電路。該電路采用自舉電荷泵為N 型功率管提供足夠高的柵壓， 以降低USB 開(kāi)關(guān)的導通損耗。在過(guò)載情況下， 過(guò)流保護電路能將輸出電流限制在0. 3 A?！　? 引言：　　通用串行總
  • 關(guān)鍵字： 設計  開(kāi)關(guān)  電源  USB  損耗  

求解每個(gè)熱源功率損耗的新方法

  • 一引言DC-DC轉換器的效率和功率損耗是許多電子系統的一個(gè)重要特征參數?？梢詼y量出這些特征參數，...
  • 關(guān)鍵字： 熱源功率  損耗  MOSFET  

一種求解每個(gè)熱源功率損耗的新方法

  • 一 引言　　DC-DC轉換器的效率和功率損耗是許多電子系統的一個(gè)重要特征參數?？梢詼y量出這些特征參數，并用下面的直觀(guān)方式進(jìn)行表達：　　效率 = 輸出功率 / 輸入功率 （1）　　功率損耗 = 輸入功率-輸出功率
  • 關(guān)鍵字： 方法  損耗  功率  每個(gè)  求解  

Flash損耗均衡的嵌入式文件系統設計

  • Flash損耗均衡的嵌入式文件系統設計,引言
    嵌入式系統的海量存儲器多采用Flash存儲器實(shí)現擴展，由于Flash存儲器具有有限寫(xiě)入次數的壽命限制，因此對于Flash存儲器局部的頻繁操作會(huì )縮短Flash存儲器的使用壽命。如何設計出一個(gè)合理的、針對嵌入式應用
  • 關(guān)鍵字： 系統  設計  文件  嵌入式  損耗  均衡  Flash  

10KVA變壓器損耗的計算公式及方法

  • 負載曲線(xiàn)的平均負載系數越高，為達到損耗電能越小，要選用損耗比越小的變壓器；負載曲線(xiàn)的平均負載系數越低，為達到損耗電能越小，要選用損耗比越大的變壓器。將負載曲線(xiàn)的平均負載系數乘以一個(gè)大于1的倍數，通?？扇?/li>
  • 關(guān)鍵字： 公式  方法  計算  損耗  變壓器  10KVA  

天線(xiàn)基本知識及應用―鏈路及空間無(wú)線(xiàn)傳播損耗計算

  • 1 鏈路預算 上行和下行鏈路都有自己的發(fā)射功率損耗和路徑衰落。在蜂窩通信中，為了確定有效覆蓋范圍，必須確定最大路徑衰落、或其他限制因數。在上行鏈路，從移動(dòng)臺到基站的限制因數是基站的接受靈敏度。對下行鏈路來(lái)
  • 關(guān)鍵字： 傳播  損耗  計算  無(wú)線(xiàn)  空間  基本知識  應用  鏈路  天線(xiàn)  

EMI電源濾波器的插入損耗分析

  • 摘要：在一般EMI濾波器的共模和差模等效電路的基礎上，分析了源阻抗和負載阻抗對濾波器插入損耗的影響。提出了共模插入損耗和差模插入損耗的計算方法，推導了濾波器插入損耗與阻抗關(guān)系的表達式，并且對這一關(guān)系作了仿
  • 關(guān)鍵字： 損耗  分析  插入  濾波器  電源  EMI  

利用屏蔽柵極功率 MOSFET 技術(shù)降低傳導和開(kāi)關(guān)損耗

在升壓變換器中利用新型MOSFET減少開(kāi)關(guān)損耗

  • 摘要：升壓變換器通常應用在彩色監視器中。為提高開(kāi)關(guān)電源的效率，設計者必須選擇低開(kāi)關(guān)損耗的MOSFET。在升壓變換器中，利用QFET新型MOSFET能夠有效地減少系統損耗。1引言　　在開(kāi)關(guān)電源設計中，效率是一個(gè)關(guān)鍵性的參
  • 關(guān)鍵字： 減少  開(kāi)關(guān)  損耗  MOSFET  新型  變換器  利用  升壓  

采用新型IGBT優(yōu)化軟開(kāi)關(guān)應用中的損耗

  • IGBT技術(shù)進(jìn)步主要體現在兩個(gè)方面：通過(guò)采用和改進(jìn)溝槽柵來(lái)優(yōu)化垂直方向載流子濃度，以及利用“場(chǎng)終止”概念(也有稱(chēng)為“軟穿通”或“輕穿通”)降低晶圓n襯底的厚度。此外，帶有單片二極
  • 關(guān)鍵字： 應用  損耗  開(kāi)關(guān)  優(yōu)化  新型  IGBT  采用  

變壓器中磁性元件的損耗問(wèn)題詳解

  • 　　今天我們來(lái)討論下電源電路中磁性元件的損耗?！　‰娫粗械拇判栽话憔褪侵鸽姼信c變壓器，這里我們這種討論初次級隔離的變壓器，因為這種變壓器在開(kāi)關(guān)電源中應用最為廣泛?！　∽儔浩鞯淖饔么笾率翘峁┏醮渭壍?/li>
  • 關(guān)鍵字： 問(wèn)題  詳解  損耗  元件  磁性  變壓器  
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