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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 安全散列算法(sha-1)器件

安全散列算法(sha-1)器件 文章 進(jìn)入安全散列算法(sha-1)器件技術(shù)社區

新型DDS器件產(chǎn)生正弦波信號和各種調制信號的設計

  • 1 引言
    為了精確地輸出正弦波、調幅波、調頻波、PSK及ASK等信號，并依據直接數字頻率合成(Direct Digital FrequencySvnthesizer，簡(jiǎn)稱(chēng)DDFS)技術(shù)及各種調制信號相關(guān)原理，設計了一種采用新型DDS器件產(chǎn)生正弦波信
  • 關(guān)鍵字： DDS  器件  調制信號  正弦波信號    

賽靈思演示ships Zynq-7000器件

  • 　　近日在A(yíng)ETC(歐洲的ARM技術(shù)會(huì )議)，賽靈思公司宣布，該公司現已開(kāi)始發(fā)售其Zynq-7000 EPP(擴展式處理平臺)設備，并運行一個(gè)基于Linux的應用程序的設備，提供了第一個(gè)公開(kāi)演示。 　　Zynq-7020 EPP最初的樣品目前正在出貨為早期試用計劃的參與者，跟蹤生產(chǎn)合格的零件使其走向正規，在2012年下半年開(kāi)始出貨。 　　“自從我們在2010年4月首次推出的可擴展處理平臺程序以來(lái)，我們很高興的看到早期客戶(hù)充分利用他們所完成并運用他們的系統對這些設備”Lawrenc
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從內到外的實(shí)惠 小米手機拆解全程記錄

  • 雙核1.5GHz，4.0英寸屏幕，800萬(wàn)像素攝像頭，所有這一切只要1999元，對于消費者來(lái)說(shuō)，這無(wú)異于一個(gè)驚喜。小米手機秒殺活動(dòng)已經(jīng)結 束，正式零售版產(chǎn)品預定活動(dòng)還在繼續，而從小米官網(wǎng)我們可以了解到，小米手機的預定人數已經(jīng)突破了10萬(wàn)，這或許是發(fā)燒友以及普通消費者對小米手機的一種 支持和肯定吧。究竟小米手機里面是什么樣子的呢？
  • 關(guān)鍵字： 小米  手機  雙核  1.5GHz  4.0英寸  

大眾將為1.4TSI發(fā)動(dòng)機加入汽缸休眠技術(shù)

  • 大眾在引入缸內直噴、分層燃燒和渦輪增壓等技術(shù)之后，將為直列四缸汽油機加入ZAS汽缸休眠(可變排量)技術(shù)進(jìn)一步降低油耗和排放。首款使用汽缸休眠技術(shù)的發(fā)動(dòng)機將是我們熟悉的1.4 TSI，大眾ZAS系統在低負荷和中等負荷工
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多個(gè)AD9779TxDAC器件的同步

  • 簡(jiǎn)介

    　　AD9779 TxDAC的DAC輸出采樣速率最高可達1 GSPS.在某些應用中，例如需要波束導引的應用，用戶(hù)可以同步多個(gè)AD9779.因此，當AD9779以接近最高速度工作時(shí)，TxDAC時(shí)序特性變得至關(guān)重要。

    　　本應用筆記不
  • 關(guān)鍵字： TxDAC  9779  AD  器件    

2011年未來(lái)電子技術(shù)發(fā)展與專(zhuān)業(yè)人才培養高峰論壇

  • 　　作為一年一度大學(xué)生人才培養與創(chuàng )業(yè)指導的重要活動(dòng)，“2011年未來(lái)電子技術(shù)發(fā)展與專(zhuān)業(yè)人才培養高峰論壇”秉承前一屆的成功經(jīng)驗，于2011年12月9日在北京會(huì )議中心如期舉行。 　　本次論壇是由中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院主辦，由賽迪顧問(wèn)股份有限公司承辦，日本村田制作所贊助。以“成長(cháng)于信息時(shí)代 奮斗于電子夢(mèng)想”為主題，圍繞“電子技術(shù)發(fā)展現狀與趨勢展望”、“下一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)領(lǐng)域解析”與“大學(xué)生學(xué)習與
  • 關(guān)鍵字： 村田制作所  器件  

Linear40VIN/OUT、2A 同步降-升壓型DC/DC轉換器

  • 　　加利福尼亞州米爾皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2011 年 11 月 21 日 – 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出同步降壓-升壓型轉換器 LTC3115-1 ，該器件可使用從單節鋰離子電池、24V/28V工業(yè)電源軌到 40V 汽車(chē)輸入的多種電源，提供高達 2A 的連續輸出電流。 ??????? LTC3115-1 具 2.7V 至 40V
  • 關(guān)鍵字： 凌力爾特  轉換器  LTC3115-1  

用于替代MR16 LED的1-5W LED驅動(dòng)器GreenPoint參考設計

  • 摘要：本文分析了驅動(dòng)高亮度LED的挑戰，介紹了安森美半導體用于MR16 LED替代應用的1-5W LED驅動(dòng)器參考設計，包括基本的電路拓撲結構、提供平坦輸出電流的突發(fā)模式控制、脈沖反饋補償、交流與直流工作特性對比、保護特
  • 關(guān)鍵字： LED  GreenPoint  參考  設計  驅動(dòng)器  1-5W  替代  MR16  用于  

功率器件IGBT在不間斷電源（UPS）中的應用

  • 1. 引言
    　　
    在UPS 中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT 既有功率MOSFET 易于驅動(dòng)，控制簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn)，又有功率晶體管的導通電壓低，通態(tài)電流大的優(yōu)點(diǎn)、使用IGBT 成為
  • 關(guān)鍵字： UPS  應用  電源  間斷  器件  IGBT  功率  

PLD器件的應用

  • 10.4 PLD器件的應用10.4.1 可編程器件的開(kāi)發(fā)系統10.4.2 ABEL硬件描述語(yǔ)言一、ABEL源文件的結構二、ABEL的基本語(yǔ)法10.4.3 應用舉例10.4 PLD器件的應用10.4.1 可編程器件的開(kāi)發(fā)系統10.4.2 ABEL硬件描述語(yǔ)言一、ABEL源文
  • 關(guān)鍵字： PLD  器件    

半導體制程簡(jiǎn)史

  • 當線(xiàn)寬遠高于10微米時(shí)，純凈度還不像今天的器件生產(chǎn)中那樣至關(guān)緊要。旦隨著(zhù)器件變得越來(lái)越集成， 超凈間也變得越來(lái)越干凈。今天，工廠(chǎng)內是加壓過(guò)濾空氣，來(lái)去除哪怕那些可能留在芯片上并形成缺陷的最小的粒子。半導體制造車(chē)間里的工人被要求著(zhù)超凈服來(lái)保護器件不被人類(lèi)污染。
  • 關(guān)鍵字： 半導體  器件  芯片  

萊迪思發(fā)布新款LATTICE DIAMOND設計軟件

  • 萊迪思半導體公司今日宣布發(fā)布Lattice Diamond設計軟件的1.4版本，這是適用于萊迪思FPGA產(chǎn)品的設計環(huán)境。Lattice Diamond 1.4軟件的用戶(hù)將得益于幾大實(shí)用的增強功能，使得FPGA設計探索更容易并且縮短產(chǎn)品上市時(shí)間。
  • 關(guān)鍵字： 萊迪思  FPGA  Lattice Diamond 1.4  

基于IGBT器件的大功率DC/DC電源并聯(lián)技術(shù)研究

  • 中心議題： 大功率直流電源的拓撲結構 大功率直流電源的控制方案 電源的數據傳輸拓撲結構
    本文基于IGBT器件，利用DC/DC電源并聯(lián)技術(shù)設計大功率直流電源。該電源可用作EAST托卡馬克裝置中的大功率垂直位移快
  • 關(guān)鍵字： 電源  技術(shù)  研究  DC/DC  大功率  IGBT  器件  基于  

IGBT及其子器件的四種失效模式介紹

  • IGBT及其子器件的四種失效模式介紹,本文通過(guò)案例和實(shí)驗，概述了四種IGBT及其子器件的失效模式：MOS柵擊穿、IGBT-MOS閾值電壓漂移、IGBT有限次連續短路脈沖沖擊的積累損傷和靜電保護用高壓npn管的硅熔融。

    關(guān)鍵詞：柵擊穿 閾值電壓漂移 積累損傷 硅熔融

  • 關(guān)鍵字： 模式  介紹  失效  器件  及其  IGBT  

嵌入式半導體器件混合信號測試策略

  • 嵌入式半導體器件混合信號測試策略, 混合信號技術(shù)給當今的半導體制造商們帶來(lái)了很多新挑戰,以前一些對數字電路只有很小影響的缺陷如今在嵌入式器件中卻可能大大改變模擬電路的功能,導致器件無(wú)法使用。為確保這些新型半導體器件達到“無(wú)缺陷rdquo
  • 關(guān)鍵字： 測試  策略  信號  混合  半導體  器件  嵌入式  
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安全散列算法(sha-1)器件介紹

您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條安全散列算法(sha-1)器件!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對安全散列算法(sha-1)器件的理解，并與今后在此搜索安全散列算法(sha-1)器件的朋友們分享。    創(chuàng )建詞條

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