場(chǎng)效應管文章進(jìn)入場(chǎng)效應管技術(shù)社區

簡(jiǎn)單場(chǎng)效應管功放電路圖甲類(lèi)DC功放

簡(jiǎn)單場(chǎng)效應管功放電路圖甲類(lèi)DC功放用AP500A作推動(dòng)級，末級精選一對日立名管K1058/J162擔任。圖中K1、K2為鈕 ...
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圖解使用數字萬(wàn)用表測量場(chǎng)效應管MOS管

場(chǎng)效應管英文縮寫(xiě)為FET?？煞譃榻Y型場(chǎng)效應管(JFET)和絕緣柵型場(chǎng)效應管(MOSFET),我們平常簡(jiǎn)稱(chēng)為MOS管。而MOS...
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場(chǎng)效應管知識什么叫場(chǎng)效應管場(chǎng)效應管工作原

1.什么叫場(chǎng)效應管？Fffect Transistor的縮寫(xiě),即為場(chǎng)效應晶體管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數載 ...
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場(chǎng)效應管的主要參數和特點(diǎn)

一：場(chǎng)效應管的主要參數(1)直流參數飽和漏極電流IDSS 它可定義為：當柵、源極之間的電壓等于零，而漏、源極 ...
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場(chǎng)效應管檢測方法與經(jīng)驗

場(chǎng)效應管檢測方法與經(jīng)驗
一、用指針式萬(wàn)用表對場(chǎng)效應管進(jìn)行判別（1）用測電阻法判別結型場(chǎng)效應管的電極
根據場(chǎng)效應管的PN結正、反向電阻值不一樣的現象，可以判別出結型場(chǎng)效應管的三個(gè)電極。具體方法：將萬(wàn)用表?yè)?/li>
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設置時(shí)間不到20ns的GaAs pHEMT微波開(kāi)關(guān)

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選擇高壓場(chǎng)效應管實(shí)現節能

高壓金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管（MOSFET）技術(shù)在過(guò)去幾年中經(jīng)歷了很大的變化，這為電源工程師提供了許多選擇。了解不同MOSFET器件的細微差別及不同切換電路的應力，能夠幫助工程師避免許多問(wèn)題，并實(shí)現效率最大化。經(jīng)驗證明，采用新型的MOSFET器件取代舊式MOSFET，除簡(jiǎn)單地導通電阻上的差異之外，更重要的是，還能實(shí)現更高的電流強度與更快的切換速度以及其他優(yōu)越性能。
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巧焊場(chǎng)效應管和CMOS集成電路

焊接絕緣柵（或雙柵）場(chǎng)效應管以及CMOS集成塊時(shí)，因其輸入阻抗很高、極間電容小，少量的靜電荷即會(huì )感應靜電高壓，導致器件擊穿損壞。筆者通過(guò)長(cháng)期實(shí)踐摸索出下述焊接方法，取得令人滿(mǎn)意的效果。1.焊絕緣柵場(chǎng)效應管。
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構建塊狀易于封裝的電源供電設計

基于iPOWIR的功率塊通過(guò)在單個(gè)BGA封裝中包含所有的功率場(chǎng)效應管、驅動(dòng)器和無(wú)源器件簡(jiǎn)化了這樣的設計。專(zhuān)用...
關(guān)鍵字： DC 場(chǎng)效應管功率封裝技術(shù) 供電設計電源 PWM控制電流場(chǎng) HEXFETTM iPOWIRTM

場(chǎng)效應管中英文對照表

在場(chǎng)效應管對照表中，收編了美國、日本及歐洲等近百家半導體廠(chǎng)家生產(chǎn)的結型場(chǎng)效應晶體管（JFET）、金屬氧化物半導體場(chǎng)次晶體管（MOSFET）、肖特基勢壘控制柵場(chǎng)效應晶體管（SB）、金屬半導體場(chǎng)效應晶體管（MES）、高電子遷移率晶體管（HEMT）、靜電感應晶體管（SIT）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等屬于場(chǎng)效應晶體管系列的單管、對管及組件等，型號達數萬(wàn)種之多。每種型號的場(chǎng)效應晶體管都示出其主要生產(chǎn)廠(chǎng)家、材料與極性、外型與管腳排列、用途與主要特性參數。同時(shí)還在備注欄列出世界各國可供代換的場(chǎng)效應晶體管型號，其中
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場(chǎng)效應管

絕緣柵場(chǎng)效應管的結構和符號　　三極管稱(chēng)電流控制元件；場(chǎng)效應管稱(chēng)電壓控制元件。場(chǎng)效應管具有輸入電阻高（最高可達 10 15 Ω）、噪聲低、熱穩定性好、抗輻射能力強、耗電省等優(yōu)點(diǎn)。
關(guān)鍵字：場(chǎng)效應管模擬電子電子技術(shù) 模擬IC

場(chǎng)效應管參數符號意義

Cds---漏-源電容Cdu---漏-襯底電容Cgd---柵-源電容Cgs---漏-源電容Ciss---柵短路共源輸入電容Coss---柵短路共源輸出電容Crss---柵短路共源反向傳輸電容D---占空比（占空系數，外電路參數）di/dt---電流上升率（外電路參數）dv/dt---電壓上升率（外電路參數）ID---漏極電流（直流）IDM---漏極脈沖電流ID(on)---通態(tài)漏極電流IDQ---靜態(tài)漏極電流（射頻功率管）IDS---漏源電流IDSM---最大漏源電流IDSS---柵-源短路時(shí)，漏極電流I
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新型抑制浪涌電流電路的設計

摘要：提出了一種新型抑制浪涌電流電路，給出了實(shí)際設計方案。關(guān)鍵詞：浪涌電流；場(chǎng)效應管引言在現代電子設備中有許多繼電器用于電源開(kāi)關(guān)。但在開(kāi)關(guān)過(guò)程中，常伴隨著(zhù)幾個(gè)到幾十個(gè)毫秒的觸點(diǎn)回跳和抖動(dòng)過(guò)程，單次抖跳的時(shí)間可達幾十微秒到幾毫秒，因此會(huì )引起被控電路的多次誤動(dòng)作。同時(shí)存在不同程度的機械碰撞噪聲，由于觸點(diǎn)電弧火花，會(huì )引發(fā)嚴重的EMI和RFI，關(guān)斷時(shí)的線(xiàn)圈反電勢高達幾百到幾千伏，嚴重時(shí)會(huì )危及驅動(dòng)電路，由于超過(guò)規定的尖峰電壓、浪涌電流會(huì )使觸點(diǎn)擊穿、燒損或粘結，從而誤導通或喪失功能。如何解
關(guān)鍵字： 0609_A 場(chǎng)效應管浪涌電流消費電子雜志_設計天地消費電子

新型饋電狀態(tài)傳感器的研究

摘要：本文介紹的新型饋電狀態(tài)傳感器，以電容檢測原理來(lái)監測電纜芯線(xiàn)對地電場(chǎng)狀態(tài)，從而間接檢測礦井電纜的饋電狀態(tài)，與負載是否工作、電纜有無(wú)電流無(wú)關(guān)。具有結構簡(jiǎn)單、成本低、可靠性高、靈敏度高、易于維護以及更換方便等優(yōu)點(diǎn)。關(guān)鍵詞：饋電狀態(tài)；傳感器；監控系統；場(chǎng)效應管引言目前市場(chǎng)上的饋電狀態(tài)傳感器大多基于光纖、電壓互感器或采用霍耳器件，除進(jìn)行防爆、防塵、防潮外，均沒(méi)有進(jìn)一步針對煤礦井下特殊條件進(jìn)行考慮，所以在用于煤炭安全生產(chǎn)的設備中存在著(zhù)難維護、靈敏度低、可靠性差、系統復雜、造
關(guān)鍵字：場(chǎng)效應管傳感器監控系統饋電狀態(tài)

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場(chǎng)效應管介紹

目錄場(chǎng)效應管 1.概念: 2.場(chǎng)效應管的分類(lèi): 3.場(chǎng)效應管的主要參數 : 4.結型場(chǎng)效應管的管腳識別: 5.場(chǎng)效應管與晶體三極管的比較場(chǎng)效應管　　根據三極管的原理開(kāi)發(fā)出的新一代放大元件，有3個(gè)極性，柵極，漏極，源極，它的特點(diǎn)是柵極的內阻極高，采用二氧化硅材料的可以達到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件。 1.概念: 　　場(chǎng)效應晶體管（Field Effec [ 查看詳細 ]