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單晶硅
單晶硅 文章 進(jìn)入單晶硅技術(shù)社區
浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng )中心 50mm 厚 6 英寸碳化硅單晶生長(cháng)成功，且晶體質(zhì)量達到業(yè)界水平
- IT之家 7 月 28 日消息，據浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng )中心發(fā)布，近日浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng )中心先進(jìn)半導體研究院-乾晶半導體聯(lián)合實(shí)驗室和浙江大學(xué)硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗室在浙江省“尖兵計劃”等研發(fā)項目的資助下，成功生長(cháng)出厚度達到 50 mm 的 6 英寸碳化硅單晶。該重要進(jìn)展意味著(zhù)，碳化硅襯底成本有望大幅降低，半導體碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展或將迎來(lái)發(fā)展新契機。據介紹，碳化硅（SiC）單晶作為寬禁帶半導體材料，對高壓、高頻、高溫及高功率等半導體器件的發(fā)展至關(guān)重要。目前，國內碳化硅單晶的直徑已經(jīng)普遍能達到 6 英寸，但
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單晶硅強勢回歸 單多之爭風(fēng)云再起
- 雖然單晶硅顯示出了強勢回歸的態(tài)勢，但在太陽(yáng)能發(fā)電路線(xiàn)上，多晶硅與單晶硅之爭還將在很長(cháng)一段時(shí)間內持續下去。
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美二次光伏雙反余波：?jiǎn)尉Ч栌型铏C上位
- 日前，美國商務(wù)部公布對華第二次光伏產(chǎn)品雙反調查終裁結果：認定從中國大陸進(jìn)口的晶體硅光伏產(chǎn)品存在傾銷(xiāo)和補貼行為，裁定中國大陸廠(chǎng)商傾銷(xiāo)幅度26.71%~165.04%;補貼幅度27.64%~49.79%。根據相關(guān)程序，2015年1月29日美國國際貿易委員會(huì )將做出損害終裁。 業(yè)內人士分析，此次光伏雙反的裁決對國內光伏企業(yè)最大的負面影響莫過(guò)于稅率將大幅提高，主要為反傾銷(xiāo)稅和反補貼稅，從而導致成本提高，銷(xiāo)售價(jià)格增加。不過(guò)，此次雙反未將硅片納入到雙反調查范圍內，硅片制造商也免于懲罰性扣稅。由于單晶硅產(chǎn)品在海
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天合光能單晶硅組件輸出功率創(chuàng )世界紀錄
- 2014年4月8日，天合光能宣布，其單晶硅太陽(yáng)能光伏組件(60片156mmX156mm單晶硅電池)創(chuàng )造了P型單晶硅組件輸出功率新的世界紀錄。該項成果經(jīng)第三方TUVRheiland(萊茵)權威認證機構測試，峰值輸出功率(Pmax)高達326.3瓦，表明其量產(chǎn)PERC(PassivatedEmitterRearCell)單晶硅高效組件達到世界領(lǐng)先水平。創(chuàng )造這一紀錄的組件是基于設在天合光能的中國光伏科學(xué)與技術(shù)國家重點(diǎn)實(shí)驗室研發(fā)平臺研制，采用的是公司自主研發(fā)的中試量產(chǎn)HoneyUltra高效單晶太陽(yáng)能電池片。
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關(guān)注光伏政策進(jìn)一步落實(shí)的明確目標
- 《意見(jiàn)》內容核心仍圍繞此前國務(wù)院常務(wù)會(huì )議提出的政策方向，即：積極開(kāi)拓光伏應用市場(chǎng);加快產(chǎn)業(yè)結構調整和技術(shù)進(jìn)步;規范產(chǎn)業(yè)發(fā)展秩序;完善并網(wǎng)管理和服務(wù);完善具體支持政策等。文件本身并無(wú)顯著(zhù)超過(guò)市場(chǎng)預期的內容，但對幾個(gè)數字的首次明確提出仍值得關(guān)注，同時(shí)建議密切關(guān)注相關(guān)政策后續的具體落實(shí)情況。 1.《意見(jiàn)》在總體要求中提出：“2013—2015年，年均新增光伏發(fā)電裝機容量1000萬(wàn)千瓦(10GW)左右，到2015年總裝機容量達到3500萬(wàn)千瓦(35GW)以上?！边@是我
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光伏企業(yè)持續虧損抑制N型單晶硅產(chǎn)品發(fā)展
- 太陽(yáng)能市場(chǎng)的不景氣已嚴重遏制光伏企業(yè)的科技發(fā)展。盡管N型單晶硅高效產(chǎn)品很可能實(shí)現P型多單晶硅太陽(yáng)能產(chǎn)品所“望塵莫及”的突破，但絕大多數太陽(yáng)能企業(yè)依然對投資新科技持保守態(tài)度。 太陽(yáng)能制造商指出，高轉換效率是太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)的主要目標之一。鑒于物理性質(zhì)方面限制，目前主流型別的太陽(yáng)能產(chǎn)品(即P型單多晶硅)的轉換效率仍未超越20%。然而，N型單晶硅并無(wú)此類(lèi)物理限制。 臺灣太陽(yáng)能制造商表示，目前多家光伏企業(yè)遭受虧損之累，即使一些有興趣投資研發(fā)N型多晶硅太陽(yáng)能產(chǎn)品的企業(yè)也沒(méi)有雄厚的財
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光伏產(chǎn)業(yè)：盛宴散去之后
- 來(lái)自浙江省能源局的最新信息顯示，受歐美“雙反”調查影響，今年前三季度，浙江省光伏產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值僅200多億元，比去年同期下降51%。與此同時(shí),今年前三季度全省光伏企業(yè)總虧損約30億元，全年全省光伏企業(yè)行業(yè)虧損面將達到80%。 浙江光伏產(chǎn)業(yè)的現狀，只是中國光伏產(chǎn)業(yè)困境的縮影。 “雙反”引發(fā)行業(yè)虧損 先是美國“雙反”，再是歐盟跟進(jìn)，現在連與我國光伏產(chǎn)品貿易額只有16億元的印度也跟著(zhù)加入了對華光伏產(chǎn)品“雙反&rd
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資本重新涌入光伏 行業(yè)處于抄底時(shí)嗎
- 最近一段時(shí)間，資本市場(chǎng)上的個(gè)別光伏類(lèi)股票異動(dòng)頻繁。比如說(shuō)，在香港上市的全球最大的多晶硅料供應商保利協(xié)鑫GCL，在不到一個(gè)月的時(shí)間內，股價(jià)從1.2港元/股左右上漲到1.6港元/股左右，漲幅接近40%，資本有大幅涌入的跡象。 同樣的，在美國上市的中國企業(yè)江西賽維LDK，也在不到一個(gè)月時(shí)間內從0.7美元/股左右回升到0.98美元/股，漲幅也是40%左右。 而光伏實(shí)業(yè)方面，資本也沒(méi)有閑著(zhù)。比如，在此光伏行業(yè)“寒冬”之際，2012年9月20日“隆基股份上市暨500
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王占國院士：半導體材料將走向“納米化”
- 半導體是介于導體和絕緣體之間的材料。自1947年12月23日正式發(fā)明后，在家電、通信、網(wǎng)絡(luò )、航空、航天、國防等領(lǐng)域得到廣泛應用，給電子工業(yè)帶來(lái)革命性的影響。2010年，全球半導體市場(chǎng)達到2983億美元，拉動(dòng)上萬(wàn)億美元的電子產(chǎn)品市場(chǎng)。 伴隨著(zhù)半導體市場(chǎng)的壯大，半導體材料也不斷獲得突破。王占國介紹，一般將鍺和硅稱(chēng)為第一代半導體材料。將砷化鎵、磷化銦等稱(chēng)為第二代半導體材料，而將寬禁帶的碳化硅、氮化鎵和金剛石等稱(chēng)為第三代半導體材料。 第一代材料中，12英寸單晶硅已經(jīng)大規模生產(chǎn)，18英寸單晶硅已在實(shí)
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單晶硅介紹
硅是地球上儲藏最豐富的材料之一，從19世紀科學(xué)家們發(fā)現了晶體硅的半導體特性后，它幾乎改變了一切，甚至人類(lèi)的思維。直到上世紀60年代開(kāi)始，硅材料就取代了原有鍺材料。硅材料――因其具有耐高溫和抗輻射性能較好，特別適宜制作大功率器件的特性而成為應用最多的一種半導體材料，目前的集成電路半導體器件大多數是用硅材料制造的。
硅的單晶體。具有基本完整的點(diǎn)陣結構的晶體。不同的方向具有不同的性質(zhì)，是一種良好的 [ 查看詳細 ]
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