浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng )中心 50mm 厚 6 英寸碳化硅單晶生長(cháng)成功，且晶體質(zhì)量達到業(yè)界水平

IT之家 7 月 28 日消息，據浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng )中心發(fā)布，近日浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng )中心先進(jìn)半導體研究院-乾晶半導體聯(lián)合實(shí)驗室和浙江大學(xué)硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗室在浙江省“尖兵計劃”等研發(fā)項目的資助下，成功生長(cháng)出厚度達到 50 mm 的 6 英寸碳化硅單晶。該重要進(jìn)展意味著(zhù)，碳化硅襯底成本有望大幅降低，半導體碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展或將迎來(lái)發(fā)展新契機。

據介紹，碳化硅（SiC）單晶作為寬禁帶半導體材料，對高壓、高頻、高溫及高功率等半導體器件的發(fā)展至關(guān)重要。目前，國內碳化硅單晶的直徑已經(jīng)普遍能達到 6 英寸，但其厚度通常在~20-30 mm 之間，導致一個(gè)碳化硅晶錠切片所獲得的碳化硅襯底片的數量相當有限。

科研人員表示，增加碳化硅單晶厚度主要挑戰在于其生長(cháng)時(shí)厚度的增加及源粉的消耗對生長(cháng)室內部熱場(chǎng)的改變。針對挑戰，浙江大學(xué)通過(guò)設計碳化硅單晶生長(cháng)設備的新型熱場(chǎng)、發(fā)展碳化硅源粉的新技術(shù)、開(kāi)發(fā)碳化硅單晶生長(cháng)的新工藝，顯著(zhù)提升了碳化硅單晶的生長(cháng)速率，成功生長(cháng)出了厚度達到 50 mm 的 6 英寸碳化硅單晶。而且碳化硅單晶的晶體質(zhì)量達到了業(yè)界水平。