半導體工藝文章進(jìn)入半導體工藝技術(shù)社區

晶諾微亮相慕尼黑光博會(huì )，為半導體工藝提供國產(chǎn)先進(jìn)量檢測設備

在與Semicon China同期舉辦的2024慕尼黑上海光博會(huì )上，晶諾微（上海）科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)晶諾微）首度現身行業(yè)展會(huì )，將公司自主研發(fā)的光學(xué)量測設備和半導體量檢測設備展示給專(zhuān)業(yè)參會(huì )者，且在現場(chǎng)展開(kāi)深入地互動(dòng)交流。伴隨半導體市場(chǎng)的持續擴增以及國產(chǎn)化進(jìn)程的不斷加快，半導體量檢測設備行業(yè)展現出蓬勃發(fā)展的良好態(tài)勢。于技術(shù)層面而言，半導體量檢測設備不斷實(shí)現技術(shù)突破與創(chuàng )新，高精度、高速度、高穩定性成為當下乃至未來(lái)量檢測設備的關(guān)鍵特點(diǎn)，在線(xiàn)、自動(dòng)化、非接觸式、納米級測量乃是主要方向，其不僅提高了半導體制造的精
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從2D到3D：半導體封裝工藝與DTCO

前言在馬上要過(guò)去的2023年，全球的通貨膨脹伴隨消費需求的下滑，2023年全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)預估將整體營(yíng)收同比下滑12.5%。但是在2024年，隨著(zhù)多家機構給出半導體產(chǎn)業(yè)將觸底反彈的預測，整個(gè)半導體晶圓代工市場(chǎng)將迎來(lái)成長(cháng)，預估明年晶圓代工產(chǎn)業(yè)營(yíng)收將有6.4%的增幅。而長(cháng)期來(lái)看，半導體晶圓代工領(lǐng)域也是會(huì )總體保持增長(cháng)。未來(lái)，芯片將越來(lái)越變得無(wú)處不在，價(jià)值越來(lái)越高，重要性也越來(lái)越高，在社會(huì )中逐漸變成引導社會(huì )變革的核心力量之一。就此臺積電中國區總經(jīng)理羅鎮球在ICCAD2023就表示：“整個(gè)半導體在200
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半導體工藝的極限：1nm之戰

從 7nm 到 5nm，從 5nm 到 3nm，半導體產(chǎn)業(yè)對于先進(jìn)工藝制程的追求永不停歇。2022 年，當臺積電宣布已經(jīng)掌握成功大量量產(chǎn) 3nm 鰭式場(chǎng)效電晶體制程技術(shù)后，1nm 開(kāi)始一步步逼近。對于先進(jìn)工藝的掌握，意味著(zhù)更高的性能、更頂尖的技術(shù)。從 3nm 跨越到 1nm，這其中面臨的技術(shù)挑戰猶如天塹。因此，1nm 對于業(yè)界來(lái)說(shuō)也充滿(mǎn)著(zhù)誘惑。1nm，念念不忘工藝制成的研發(fā)和生產(chǎn)需要大量的資源，一方面是技術(shù)積累，如晶體管架構、材料選擇、制造過(guò)程等方面都需要解決難題；另一方面還需要強大的資金、人才和設備，眾
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三星電子 4nm 工藝良率已提高至 75% 以上

IT之家 7 月 12 日消息，三星電子 4 納米工藝的良率目前已經(jīng)超過(guò) 75%，這引發(fā)了人們對于三星擴大半導體代工客戶(hù)的猜測。7 月 11 日，Hi Investment & Securities 研究員樸相佑在一份報告中表示：“三星電子近期成功地提高了 4nm 工藝的成品率”，并提高了“高通和英偉達再次合作的可能性”。此前，三星電子代工廠(chǎng)曾經(jīng)歷過(guò)產(chǎn)品上市延遲以及 10nm 以下工藝良率提升緩慢的情況，導致主要客戶(hù)紛紛轉向臺積電。結果，去年臺積電的資本支出和產(chǎn)能分別是三星電子代工業(yè)務(wù)的
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使用虛擬實(shí)驗設計加速半導體工藝發(fā)展

摘要：虛擬DOE能夠降低硅晶圓測試成本，并成功降低DED鎢填充工藝中的空隙體積實(shí)驗設計(DOE)是半導體工程研發(fā)中一個(gè)強大的概念，它是研究實(shí)驗變量敏感性及其對器件性能影響的利器。如果DOE經(jīng)過(guò)精心設計，工程師就可以使用有限的實(shí)驗晶圓及試驗成本實(shí)現半導體器件的目標性能。然而，在半導體設計和制造領(lǐng)域，DOE（或實(shí)驗）空間通常并未得到充分探索。相反，人們經(jīng)常使用非常傳統的試錯方案來(lái)挖掘有限的實(shí)驗空間。這是因為在半導體制造工藝中存在著(zhù)太多變量，如果要充分探索所有變量的可能情況，需要極大的晶圓數量和試驗成本。在這種
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臺積電6月9日召開(kāi)股東會(huì ) 聚焦華為禁令、赴美設廠(chǎng)

6月8日消息，據臺灣媒體報道，臺積電股東會(huì )將于明日登場(chǎng)，除進(jìn)行2019年度營(yíng)運報告之外，本次股東會(huì )將聚焦華為禁令影響，以及赴美設廠(chǎng)等兩大主題。臺積電臺積電年度股東常會(huì )將由董事長(cháng)劉德音及總裁魏哲家為首的經(jīng)營(yíng)團隊主持，會(huì )中將針對2019年營(yíng)運報告進(jìn)行承認事項，也將對2020年營(yíng)運展望作出說(shuō)明。臺積電董事長(cháng)劉德音及總裁魏哲家的講話(huà)，受市場(chǎng)高度關(guān)注。若對華為禁令沒(méi)有持續延長(cháng)緩沖期，臺積電9月中后無(wú)法再對華為出貨，屆時(shí)臺積電營(yíng)運營(yíng)將受到影響。另外，臺積電先前宣布將赴美國亞利桑那州建設5納米新廠(chǎng)，約120億美元，此一
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因華為卸任采訪(fǎng)被重提張忠謀難追趕論再審視

張忠謀卸任時(shí)說(shuō)，“5年、10年后大陸會(huì )進(jìn)步，但臺積電也會(huì )，就算大陸進(jìn)步飛快，跟臺積電的差距還是像現在一樣大”，這句話(huà)現在看依然是正確的，但美國政府為中國半導體的發(fā)展送來(lái)了神助攻……
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詳解先進(jìn)的半導體工藝之FinFET

詳解先進(jìn)的半導體工藝之FinFET-FinFET稱(chēng)為鰭式場(chǎng)效晶體管（FinField-EffectTransistor;FinFET）是一種新的互補式金氧半導體（CMOS）晶體管。
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中國芯片業(yè)呼喚頂層設計

　　中國芯片有一項世界第一：對，是進(jìn)口。2013年，全球半導體市場(chǎng)總規模3043億美金，中國進(jìn)口就有2322億美金，高居全球第一，這都是壞事?當然不，說(shuō)明中國是代工大國，大多數電腦、手機都是中國生產(chǎn)的。那么，這是好事?當然也不是，中國八成芯片依賴(lài)進(jìn)口，剩下的兩成里，還有Intel在華的工廠(chǎng)部分產(chǎn)能。　　是的，發(fā)動(dòng)機是工業(yè)革命的心臟，芯片是信息革命的心臟。中國的芯片產(chǎn)業(yè)正在迎來(lái)最好的年代，同時(shí)，也是最壞的年代。　　市場(chǎng)競爭機會(huì ) 　　服務(wù)器芯片市場(chǎng)。不久前，已經(jīng)遠離媒體多時(shí)的龍芯推出了龍芯28nm的
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14nm是全球半導體工藝的一個(gè)“坎”？

　　尺寸縮小是推動(dòng)產(chǎn)業(yè)進(jìn)步的“靈舟妙藥”，每?jì)赡瓿叽缈s小70%的魔咒至此沒(méi)有延緩的跡象，2011年是22nm工藝，到2013年工藝應該到14nm。眾所周知，尺寸縮小僅是一種手段，如果缺乏尺寸縮小而帶來(lái)的紅利，業(yè)界不會(huì )盲目跟進(jìn)。依目前的態(tài)勢，業(yè)界已然有所爭議，有人認為由28nm向22nm過(guò)渡時(shí)成本可能反而上升，這或是產(chǎn)業(yè)過(guò)渡過(guò)程中的正?，F象。　　全球半導體業(yè)中還能繼續跟蹤14nm工藝節點(diǎn)者可能尚余不到10家，包括英特爾、三星、臺積電、格羅方得、聯(lián)電、東芝、海力士、美光等。顯然在半
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EDWARDS發(fā)布IXL120 面向真空半導體工藝應用

　　全球領(lǐng)先的真空設備供應商Edwards近日發(fā)布iXL120設備，拓展了其面向半導體制造工藝的干泵設備產(chǎn)品。iXL120具有專(zhuān)為負載時(shí)鐘和其他清洗應用的設計，在同等產(chǎn)品中可達到最快速的抽取速度，同時(shí)還具有低能耗、高吞吐量的特點(diǎn)，降低擁有者成本。
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半導體工藝介紹

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