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應用材料公司推出Centura Carina Etch系統克服高K介電常數

  • 近日,應用材料公司推出Centura® Carina™ Etch系統用于世界上最先進(jìn)晶體管的刻蝕。運用創(chuàng )新的高溫技術(shù),它能提供45納米及更小技術(shù)節點(diǎn)上采用高K介電常數/金屬柵極(HK/MG)的邏輯和存儲器件工藝擴展所必需的材料刻蝕輪廓,是目前唯一具有上述能力并可以用于生產(chǎn)的解決方案。應用材料公司的Carina技術(shù)具有獨一無(wú)二的表現,它能達到毫不妥協(xié)的關(guān)鍵刻蝕參數要求:平坦垂直,側邊輪廓不含任何硅材料凹陷,同時(shí)沒(méi)有任何副產(chǎn)品殘留物。 應用材料公司資深副總裁、硅系統業(yè)務(wù)
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三星電子停電事故提前解決

  •   8月6日消息, 日前,韓國三星電子公司宣布,之前因為停電而被迫停止運營(yíng)的芯片生產(chǎn)線(xiàn),在上周六回復工作,與此同時(shí)公司表示,最終造成的實(shí)際經(jīng)濟損失,有可能低于之前的預期數字。   據國外媒體報道,作為世界最大的內存芯片制造商,三星電子在上周五的時(shí)候,因為停電問(wèn)題被迫停止了六條芯片生產(chǎn)線(xiàn)的工作。據公司估算,此次停電造成的損失將達到400億韓元,折合4340萬(wàn)美元。據市場(chǎng)分析機構iSuppli透露,此次的停電,將繼續加劇如今已經(jīng)非常嚴重的NAND閃存芯片短缺,該現象爆發(fā)于8月上旬,據統計三星NAND生產(chǎn)線(xiàn)占
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三星推出80nm制程移動(dòng)存儲器 二季度量產(chǎn)

  •   據DigiTimes網(wǎng)站報道,韓國媒體Digital Daily與美國媒體Forbes報導,三星電子(Samsung Electronics)繼2006年8月將80nm制程的1Gb DDR 2標準型DRAM進(jìn)入量產(chǎn)階段后,27日又發(fā)表了針對手機與移動(dòng)設備推出的80nm制程DDR存儲器芯片,容量為1Gb,厚度較前代產(chǎn)品薄20%,耗電量減少30%。三星預計將在2007年第二季量產(chǎn)該產(chǎn)品,并預計屆時(shí)市場(chǎng)上對1Gb容量的手機存儲器芯片需求量將大幅增加
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65nm成為制程應用分水嶺

  •     按照摩爾定律的說(shuō)法,2006年初半導體制造業(yè)就已經(jīng)進(jìn)入了65nm時(shí)代。不過(guò),令所有人始料不及的是65nm的普及遠遠非預期的那樣迅猛,在很多領(lǐng)域似乎根本不去考慮65nm制程的問(wèn)題,比如MCU,再如多媒體解碼芯片。于是,我們看到的結果是本該廣泛應用的65nm制程在全面投產(chǎn)18個(gè)月之后的應用領(lǐng)域只局限在少數幾個(gè)領(lǐng)域,這其中一向走在消費前沿的CPU和存儲是最火爆的領(lǐng)域,而FPGA則是另一個(gè)熱衷于追逐65nm的擁躉。      當90n
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OKI新型UV傳感器ML8511采用SI-CMOS制程

  • 沖電氣(OKI)推出內建運算放大器的紫外線(xiàn)(UV)傳感器IC——ML8511。該產(chǎn)品運用絕緣上覆硅(SOI)-CMOS,為該公司首款模擬電壓輸出、無(wú)濾光器的UV傳感器。OKI將從6月份開(kāi)始陸續針對可攜式等用途產(chǎn)品,提供新款UV傳感器樣品。 OKI的UV傳感器IC由于采用了容易高整合度的SOI-CMOS技術(shù),適合于數字及模擬電路。OKI表示,該公司未來(lái)將靈活運用這一特長(cháng),加強與連接微處理器的數字輸出電路,進(jìn)而與感測式亮度控制傳感器(AmbientLightSensor)構成單一芯片的商品陣容;未來(lái)
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半導體制程微細化技術(shù)再突破 從65nm到45nm的微觀(guān)神話(huà)

  • 半導體制程微細化趨勢1965年Intel創(chuàng )始人Moore提出“隨著(zhù)芯片電路復雜度提升,芯片數目必將增加,每一芯片成本將每年減少一半”的規律之后,半導體微細化制程技術(shù)日新月異,結構尺寸從微米推向深亞微米,進(jìn)而邁入納米時(shí)代。半導體制程微細化趨勢也改變了產(chǎn)業(yè)的成本結構,10年前IC設計產(chǎn)業(yè)投入線(xiàn)路設計與掩膜制程的費用,僅占總體成本的13%,半導體生產(chǎn)制造成本約占87%。自2003年進(jìn)入深亞微米制程后,IC線(xiàn)路設計及掩膜成本便大幅提升到62%。當芯片結構體尺寸小于100納米時(shí),光學(xué)光刻技術(shù)便面臨技術(shù)關(guān)鍵:硅晶制程
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東芝今年開(kāi)始生產(chǎn)閃存芯片 采用43納米制程

  • 據日本經(jīng)濟新聞4月21日報道,東芝最快將在本會(huì )計年度開(kāi)始采用43納米制程生產(chǎn)閃存芯片,以降低生產(chǎn)成本。 東芝為全球第二大閃存芯片制造商,僅次于韓國三星電子。報道指出,由于芯片價(jià)格料在2007/08年度挫跌50%,因此該公司急于提高晶片生產(chǎn)效率。  日經(jīng)新聞稱(chēng),使用43納米制程,將可使東芝生產(chǎn)成本降低40%。 報道稱(chēng),三星電子計劃今年開(kāi)始采用50納米制程。
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PCB前處理導致之制程問(wèn)題發(fā)生原因討論

  • 1. PCB制程上發(fā)生的問(wèn)題千奇百怪, 而制程工程師往往擔任起法醫-驗尸責任(不良成因分析與解決對策). 故發(fā)起此討論題, 主要目的為以設備區逐一討論分上包含人, 機, 物, 料, 條件上可能會(huì )導致產(chǎn)生的問(wèn)題, 希望大家一起參與提出自己意見(jiàn)及看法.    2. 會(huì )使用到前處理設備的制程, 例如:內層前處理線(xiàn), 電鍍一銅前處理線(xiàn), D/F, 防焊(阻焊)...等等.    3. 以硬板PCB 防焊(阻焊)前處理線(xiàn)為例(各廠(chǎng)商不同而有差異): 刷磨*2組->水洗->酸洗->水洗->冷風(fēng)
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印刷技術(shù)制程加速燃料電池時(shí)代來(lái)臨

  •     總部位于瑞士的DEK公司日前宣布推出適用于精密電化學(xué)燃料電池組件的高速生產(chǎn)制程,可讓各種主要的燃料電池技術(shù)大幅節省每千瓦的耗電成本。該公司利用精密的批量擠壓印刷技術(shù),可以非常高的分辨率為電子厚膜、表面黏著(zhù)和半導體裝配應用提供高精度、高重復性和高良率的生產(chǎn)特性。   DEK指出,燃料電池技術(shù)無(wú)疑會(huì )在未來(lái)的能源應用中扮演更重要的角色。以高精度批量擠壓印刷技術(shù)來(lái)生產(chǎn)燃料電池材料,將會(huì )加速此一新時(shí)代的來(lái)臨。更重要的是,這些制程和設備都已相當成熟穩健,而且將從我們?yōu)樘岣呱虡I(yè)應用
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模擬IC制程技術(shù)挑戰

  •     隨著(zhù)終端產(chǎn)品朝向輕薄短小、低耗電和多功能整合三大趨勢發(fā)展,無(wú)論對影像、聲音、省電和體積小的質(zhì)量要求愈來(lái)愈高,模擬制程技術(shù)主要推動(dòng)力量在于分別就設計端和制程端來(lái)達成芯片的功能整合趨勢-這包含了模擬效能、成本以及Time-to-Market的完美平衡。使得系統在快速可靠的功能(數字與模擬)執行下,同時(shí)滿(mǎn)足社會(huì )對于系統變得更小、更快、更省電和價(jià)格更低的期望。     綜觀(guān)模擬IC對質(zhì)量要求不外乎速度(Speed)、精準(Precision)、功
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ST最新20款微控制器復位IC創(chuàng )新制程

  •  意法半導體(ST)日前推出了20款3引腳微控制器復位IC STM18xx系列,這些電源監控器芯片是為大批量生產(chǎn)的成本敏感的微控制器應用專(zhuān)門(mén)設計,可直接插入取代工業(yè)標準的DS18xx系列產(chǎn)品以及類(lèi)似的組件。   據介紹,該系列產(chǎn)品由8個(gè)基本復位電路組成:4個(gè)5V組件,每個(gè)組件有4.62V和4.37V (額定)閾壓選項;4個(gè)3V組件,每個(gè)組件有3.06V、2.88V和2.55V(額定)閾壓選項,總計20個(gè)產(chǎn)品。復位電路是電源電壓監控制組件,被廣泛用于監視微控制器電源電壓,并在低于容許電壓
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聯(lián)電攜IMEC擴大提供90納米制程服務(wù)客戶(hù)

  •   聯(lián)華電子與歐洲最大的獨立納米電子研究中心IMEC今天宣布,將共同把IMEC旗下的Europractice IC服務(wù)擴展至聯(lián)電90納米制程技術(shù)上,Europractice客戶(hù)將能輕易取得包含0.25、0.18、0.13微米與90納米等來(lái)自聯(lián)電的最先進(jìn)技術(shù),進(jìn)行產(chǎn)品原型產(chǎn)出與小量生產(chǎn)?!?nbsp;   聯(lián)電表示,IMEC的Europractice IC服務(wù),可提供客戶(hù)ASIC服務(wù),并協(xié)助其產(chǎn)品快速上市。聯(lián)電多年以來(lái)一直與Europractice致力將聯(lián)電硅梭計劃--多重晶圓測試方案&
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NVIDIA 90nm芯片量產(chǎn)雙雄制程戰開(kāi)打

  •     NVIDIA首批90nm制程繪圖芯片已進(jìn)入緊鑼密鼓的量產(chǎn)階段,面對ATI率先導入90nm制程的動(dòng)作,并將在2006年1月底發(fā)表新旗艦產(chǎn)品R580,由于NVIDIA之前領(lǐng)先進(jìn)入130nm制程、但吃到不少苦頭,因而強調繪圖芯片產(chǎn)品設計及結構比制程更為重要。   目前包括NVIDIA及ATI繪圖芯片市場(chǎng)主力產(chǎn)品,皆采用110nm制程生產(chǎn),在新一世代90奈米制程轉換動(dòng)作方面,ATI搶先一步在2005年第三季(3Q)宣布推出全線(xiàn)桌上型計算機(DT)繪圖卡專(zhuān)用Radeon&nbs
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英特爾公司開(kāi)發(fā)超低功耗制程

  •   2005 年 9 月 21 日,北京訊――當前,英特爾公司正致力開(kāi)發(fā)其高性能65 納米(nm)邏輯制程的超低功耗版,以支持面向移動(dòng)平臺和小型設備的超低功耗芯片的生產(chǎn)。這種超低功耗制程將會(huì )是英特爾第二代基于65 納米制造技術(shù)的芯片制程。   英特爾65 納米(1 納米是 1 米的十億分之一)高性能制程較英特爾當前行業(yè)領(lǐng)先的 90 納米制程在功耗和性能方面雙雙勝出。英特爾此種超低功耗65納米的工藝制程為英特爾芯片設計人員提供了更多選擇,以滿(mǎn)足電控設備用戶(hù)對于電路密度、性能及功耗的各種需求。   英特爾
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德州儀器在小區網(wǎng)關(guān)市場(chǎng)上頻傳捷報,碩果累累

  •   TI 業(yè)界領(lǐng)先的 AR7 堪稱(chēng)全球最受好評的 DSL CPE 解決方案 日前,德州儀器 (TI) 宣布其近期在不斷增長(cháng)的小區網(wǎng)關(guān) (RG) 市場(chǎng)上取得了輝煌業(yè)績(jì)。截至第三季度末,TI 預計向市場(chǎng)提供的 DSL CPE 及 CO 端口數量將超過(guò) 1 億,而且自其旗艦 RG 平臺 AR7 片上調制解調器于 2003 年部署以來(lái),其端口發(fā)貨量已達 3 千萬(wàn)件。諸如 AVM、Actiontec、Arcadyan、Aztech Systems Ltd.、NETGEAR、Ne
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制造制程介紹

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