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東芝進(jìn)一步擴展Thermoflagger?產(chǎn)品線(xiàn)---檢測電子設備溫升的簡(jiǎn)單解決方案

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社(“東芝”)近日宣布,進(jìn)一步擴展ThermoflaggerTM過(guò)溫檢測IC產(chǎn)品線(xiàn)---“TCTH0xxxE系列”。該系列可用于具有正溫度系數(PTC)熱敏電阻的簡(jiǎn)單電路中,用來(lái)檢測電子設備中的溫度升高,六款新產(chǎn)品于近日開(kāi)始支持批量出貨。為了使電子設備按規定運行,半導體和其他電子元件必須在設計參數范圍內工作。內部溫度是一個(gè)關(guān)鍵參數,特別是當它高于設計流程中的假設溫度時(shí),它就可能成為安全性和可靠性方面的一個(gè)主要問(wèn)題,因此需要過(guò)溫監測解決方案來(lái)檢測任何溫度升高。當配置在具有PTC熱
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人體傳感器設計秘籍

  • 人體傳感器是設計用于檢測人體靠近或離開(kāi)等特征的電子設備。隨著(zhù)物聯(lián)網(wǎng)的興起,其在消費電子、汽車(chē)、醫療設備、樓宇自動(dòng)化、工業(yè)設備等領(lǐng)域掀起了熱浪。在智能手機和可穿戴設備上幾乎都能見(jiàn)到它的身影,用來(lái)檢測人體移動(dòng)過(guò)程或者跌倒告警是當今一種重要的技術(shù)手段。同時(shí),在家庭和企業(yè)安全系統中也得了廣泛的應用,例如人體探測器燈、移動(dòng)探測警報器、無(wú)線(xiàn)門(mén)鈴、智能沖水設備上都是基于此原理實(shí)現的。市場(chǎng)上有各種各樣的人體傳感器,但都可歸類(lèi)為這兩種:主動(dòng)人體傳感器(有源傳感器)和被動(dòng)人體傳感器(無(wú)源傳感器),且分為電池供電的人體檢測器以
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東芝推出用于工業(yè)設備的第3代碳化硅MOSFET,采用可降低開(kāi)關(guān)損耗的4引腳封裝

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社(“東芝”)近日宣布,推出采用有助于降低開(kāi)關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅(SiC)MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”,該產(chǎn)品采用東芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片,用于支持工業(yè)設備應用。該系列中五款額定電壓為650V,另外五款額定電壓為1200V,十款產(chǎn)品于今日開(kāi)始批量出貨。新產(chǎn)品是東芝碳化硅MOSFET產(chǎn)品線(xiàn)中首批采用4引腳TO-247-4L(X)封裝的產(chǎn)品,其封裝支持柵極驅動(dòng)信號源極端使用開(kāi)爾文連接,有助于減少封裝內源極線(xiàn)電感的影
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東芝開(kāi)發(fā)出業(yè)界首款2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社(“東芝”)近日宣布,推出業(yè)界首款[1]2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊---“MG250YD2YMS3”。新模塊采用東芝第3代SiC MOSFET芯片,其漏極電流(DC)額定值為250A,適用于光伏發(fā)電系統和儲能系統等使用DC 1500V的應用。該產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。類(lèi)似上述的工業(yè)應用通常使用DC?1000V或更低功率,其功率器件多為1200V或1700V產(chǎn)品。然而,預計未來(lái)幾年內DC?1500V將得到廣泛應用,因此東芝發(fā)布了業(yè)界首款
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東芝推出用于直流無(wú)刷電機驅動(dòng)的600V小型智能功率器件

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社(“東芝”)今日宣布,推出兩款600V小型智能功率器件(IPD)---“TPD4163F”和“TPD4164F”,可用于空調、空氣凈化器和泵等直流無(wú)刷電機驅動(dòng)應用?!癟PD4163F”和“TPD4164F”的輸出電流(DC)額定值分別為1A和2A,于今日開(kāi)始支持批量出貨。這兩款新產(chǎn)品均采用表面貼裝型HSSOP31封裝,與東芝之前的產(chǎn)品相比,表貼面積減小了約63%[1]---這不僅縮小了電機驅動(dòng)電路板的尺寸,同時(shí)也降低了電機高度??紤]到在供電不穩定的地區,供電電壓可能波動(dòng)較大,
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東芝推出采用新型封裝的車(chē)載40V N溝道功率MOSFET

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社(“東芝”)近日宣布,推出兩款采用東芝新型S-TOGLTM(小型晶體管輪廓鷗翼式引腳)封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車(chē)載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。自動(dòng)駕駛系統等高安全級別的應用可通過(guò)冗余設計確??煽啃?,因此與標準系統相比,它們集成了更多的器件,需要更多的表貼空間。所以,要進(jìn)一步縮小汽車(chē)設備的尺寸,需要能夠在高電流密度下表貼的功率MOSFET。XPJR6604PB和XPJ1R004
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羅姆將出資 3000 億日元聯(lián)合收購東芝

  • IT之家 7 月 19 日消息,今年 2 月,日經(jīng)新聞表示東芝接受 JIP(Japan Industrial Partners)牽頭財團的收購要約,交易的規模約為 2 萬(wàn)億日元(當前約 1036 億元人民幣),東芝董事會(huì )已批準要約并向股東提交退市計劃。據日經(jīng)報道,日本芯片制造商羅姆公司在周二的董事會(huì )上宣布,將向 JIP 牽頭的財團提供總計 3000 億日元(IT之家備注:當前約 155.4 億元人民幣)的資金,用于擬議收購東芝。據稱(chēng),如果收購成功,該公司將向 JIP 領(lǐng)導的投資基金投資 1000
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東芝推出第3代650V SiC肖特基勢壘二極管,助力提高工業(yè)設備效率

  • 中國上海,2023年7月13日——東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社(“東芝”)今日宣布,推出最新一代[1]用于工業(yè)設備的碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBDs)——“TRSxxx65H系列”。首批12款產(chǎn)品(均為650V)中有7款產(chǎn)品采用TO-220-2L封裝,其余5款采用DFN8×8封裝,于今日開(kāi)始支持批量出貨。 新產(chǎn)品在第3代SiC SBD芯片中使用了一種新金屬,優(yōu)化了第2代產(chǎn)品的結勢壘肖特基(JBS)結構[2]。它們實(shí)現業(yè)界領(lǐng)先[3]的1.2V(典型值)低正向電壓,比上一代的1.45V(
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東芝光繼電器推陳出新,小型化表貼封裝令測試設備尺寸更小

  • 繼電器的種類(lèi)有很多,如按結構特征可分為固態(tài)繼電器、舌簧繼電器、極化繼電器等;按反應類(lèi)型可分為電流繼電器、阻抗繼電器、頻率繼電器、光繼電器等。而東芝近期推出的產(chǎn)品TLP3406SRHA屬于光繼電器。光繼電器利用光電效應原理,由發(fā)光元件和光敏器件構成。當加在發(fā)光元件上的信號達到某一閾值時(shí),就會(huì )使光敏器件的阻值發(fā)生急劇變化,從而起到閉合或斷開(kāi)電路的作用。器件的基本特性TLP3406SRHA光繼電器是TLP3406SRH的升級版本,其由與紅外LED耦合的光MOSFET組成,采用超小表貼S-VSON4T封裝,封裝尺
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東芝推出100V N溝道功率MOSFET,助力實(shí)現電源電路小型化

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社(“東芝”)今日宣布,推出采用東芝最新一代U-MOS?X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款產(chǎn)品適用于數據中心和通信基站所用的工業(yè)設備電源線(xiàn)路上的開(kāi)關(guān)電路和熱插拔電路[1]等應用。該產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。TPH3R10AQM具有業(yè)界領(lǐng)先的[2]3.1mΩ最大漏極-源極導通電阻,比東芝目前100V產(chǎn)品“TPH3R70APL”低16%[2]。通過(guò)同樣的比較,TPH3R10AQM將安全工作區擴展了76%[3],使其適合線(xiàn)性
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東芝推出全球首項二氧化碳排放量實(shí)時(shí)測量技術(shù):1.7 秒完成,比以往快 150 倍

  • IT之家 6 月 26 日消息,東芝近日推出了世界上第一項能夠實(shí)時(shí)測量工廠(chǎng)排放的二氧化碳和其他物質(zhì)含量的技術(shù),比現有技術(shù)快了 150 倍?!?nbsp;圖源 Unsplash該技術(shù)僅使用一個(gè)手掌大小的傳感器即可實(shí)現,最快可在 1.7 秒內完成測量,而現有技術(shù)的對空氣中每種成分的測量大約需要五分鐘。東芝研究開(kāi)發(fā)中心負責人小島章弘在接受日本《ABEMA Times》采訪(fǎng)時(shí)表示:“實(shí)際上,此前二氧化碳排放量還無(wú)法實(shí)時(shí)準確測量,只能通過(guò)粗略的計算來(lái)預估。有了這項技術(shù),我們將能夠實(shí)時(shí)測量準確的二氧化碳含量
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東芝推出“TXZ+?族高級系列” ARM Cortex-M3微控制器

  • 中國上海,2023年6月27日——東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社(“東芝”)今日宣布,在其搭載32位微控制器產(chǎn)品組“TXZ+TM族高級系列”的“M3H組”中新推出“M3H組(2)”,該系列產(chǎn)品配備了采用40nm工藝制造而成的Cortex?-M3。近年來(lái),隨著(zhù)數字技術(shù)的滲透,特別是在物聯(lián)網(wǎng)IoT領(lǐng)域的普及,以及日益先進(jìn)的各種設備功能,用戶(hù)對更大程序容量和支持FOTA(無(wú)線(xiàn)固件升級)的需求不斷增加。新產(chǎn)品M3H組(2)將東芝現有產(chǎn)品M3H組(1)的代碼閃存容量從512KB(部分為256KB或384KB)擴展至
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東芝推出外部部件更少的小型封裝電機驅動(dòng)IC

  • 中國上海,2023年6月15日——東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社(“東芝”)今日宣布,面向消費類(lèi)產(chǎn)品和工業(yè)設備推出電機驅動(dòng)IC“TB67S581FNG”、“TB67S580FNG”、“TB67H481FNG”和“TB67H480FNG”,其需要的外部部件數量不僅有所減少,而且還采用了極為通用且節省空間的小型封裝。隨著(zhù)4款新產(chǎn)品的推出,東芝進(jìn)一步擴大了其產(chǎn)品線(xiàn)。該產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。其中,TB67S581FNG和TB67S580FNG這兩款新產(chǎn)品是2相雙極步進(jìn)電機驅動(dòng)IC。TB67S581FNG的電
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東芝小型光繼電器: 高速導通助力縮短半導體測試設備的測試時(shí)間

  • 中國上海,2023年5月25日——東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社(“東芝”)今日宣布,推出采用S-VSON4T封裝的光繼電器——“TLP3476S”,其導通時(shí)間與東芝當前產(chǎn)品TLP3475S相比縮短了一半。該產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。與東芝當前的產(chǎn)品TLP3475S相比,TLP3476S運行速度更快、結構更緊湊。該產(chǎn)品通過(guò)提高紅外LED的光輸出并優(yōu)化光電探測器件(光電二極管陣列)的設計,可實(shí)現高效的光耦合,也提高了運行速度,將導通時(shí)間最大值縮短至0.25ms,時(shí)間為T(mén)LP3475S的一半。此外,由于采用
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東芝介紹

東芝(TOSHIBA),是日本最大的半導體制造商,亦是第二大綜合電機制造商,隸屬于三井集團旗下。 歷史 東芝是由兩家日本公司于1939年合并成的。 兩家公司中第一個(gè)成立的是田中制造所,那是日本國內第一家電報設備制造公司;是由田中久重于1875年創(chuàng )立的。在1904年公司更名為芝浦制作所。在20世紀初期,公司以供應日本國內的重型機電制造為主業(yè);在明治維新之后,公司更躍升為世界的工業(yè)大廠(chǎng)之一。 [ 查看詳細 ]

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