意法半導體和MACOM成功開(kāi)發(fā)射頻硅基氮化鎵原型芯片,取得技術(shù)與性能階段突破

●   產(chǎn)品達到成本和性能雙重目標，現進(jìn)入認證測試階段

●   實(shí)現彈性量產(chǎn)和供貨取得巨大進(jìn)展

服務(wù)多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST)和世界排名前列的電信、工業(yè)、國防和數據中心半導體解決方案供應商MACOM技術(shù)解決方案控股有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“MACOM”) 宣布，射頻硅基氮化鎵(RF GaN-on-Si)原型芯片制造成功?；谶@一成果，意法半導體和MACOM將繼續攜手，深化合作。

射頻硅基氮化鎵可為5G和6G移動(dòng)基礎設施應用帶來(lái)巨大的發(fā)展潛力。初代射頻功率放大器 (PA)主要是采用存在已久的橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS) 射頻功率技術(shù)，而GaN(氮化鎵)可以給這些射頻功率放大器帶來(lái)更好的射頻特性和更高的輸出功率。此外，雖然GaN既可以在硅片上制造，也可以在碳化硅 (SiC) 晶圓上制造，但射頻碳化硅基氮化鎵（RF GaN-on-SiC）終究不是一種主流半導體制造工藝，且還要考慮和高功率應用爭奪SiC晶圓，這些都可能會(huì )導致其成本更加昂貴。而意法半導體和 MACOM 正在開(kāi)發(fā)的射頻硅基氮化鎵技術(shù)可以集成到標準半導體工業(yè)中，在實(shí)現具有競爭力的性能的同時(shí)，也有望帶來(lái)巨大的規模經(jīng)濟效益。

意法半導體制造的射頻硅基氮化鎵原型晶圓和相關(guān)器件已達到成本和性能目標，完全能夠與市場(chǎng)上現有的LDMOS和 GaN-on-SiC技術(shù)展開(kāi)有效競爭?，F在，這些原型即將進(jìn)入下一個(gè)重要階段——認證測試和量產(chǎn)。意法半導體計劃將在 2022 年實(shí)現這一新的里程碑。為取得這一進(jìn)展，意法半導體和 MACOM 已著(zhù)手研究如何加大投入力度，以加快先進(jìn)的射頻硅基氮化鎵產(chǎn)品上市。

意法半導體功率晶體管子產(chǎn)品部總經(jīng)理兼執行副總裁 Edoardo Merli表示：“我們相信，這項技術(shù)的性能水平和工藝成熟度現已達到可以挑戰現有的 LDMOS和射頻GaN-on-SiC的程度。我們可以為無(wú)線(xiàn)基礎設施等大規模應用帶來(lái)成本效益和供應鏈優(yōu)勢。射頻硅基氮化鎵產(chǎn)品的商業(yè)化是我們與 MACOM 合作的下一個(gè)重要目標，隨著(zhù)合作項目不斷取得進(jìn)展，我們期待著(zhù)釋放這一激動(dòng)人心的技術(shù)的全部潛力?！?/p>

MACOM 總裁兼首席執行官 Stephen G. Daly 表示：“我們推進(jìn)硅基氮化鎵技術(shù)商業(yè)化和量產(chǎn)工作繼續取得良好進(jìn)展。我們與意法半導體的合作是我們射頻功率戰略的重要組成部分，相信我們可以在硅基氮化鎵技術(shù)可以發(fā)揮優(yōu)勢的目標應用領(lǐng)域贏(yíng)得市場(chǎng)份額?！?/p>