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富士通半導體明年計劃量產(chǎn)GaN功率器件
- 上海，2012年11月20日 –富士通半導體(上海)有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實(shí)現2.5kW的高輸出功率，富士通半導體計劃將于2013年下半年開(kāi)始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應用，對實(shí)現低碳社會(huì )做出重大貢獻。 與傳統硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有導通電阻低和能夠進(jìn)行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉換效率，并使電源單元更加緊湊。富士通半導體計劃在硅基板上進(jìn)行GaN功率器件的商業(yè)化
- 關(guān)鍵字： 富士通 功率器件 GaN
一種GaN寬禁帶功率放大器的設計
- 氮化鎵(GaN)作為第三代半導體材料的典型代表之一，由于其寬帶隙、高擊穿電場(chǎng)強度等特點(diǎn)，被認為是高頻功率半導體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點(diǎn)，基于A(yíng)gilent ADS仿真軟件，利用負載／源牽引方法設計制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細說(shuō)明了設計步驟并對放大器進(jìn)行了測試，數據表明放大器在2．3～2．4 GHz范圍內可實(shí)現功率超過(guò)15W，附加效率超過(guò)67％的輸出。實(shí)驗結果證實(shí)，GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點(diǎn)。
- 關(guān)鍵字： 設計 功率放大器 GaN 一種
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