IBM推出電致發(fā)光納米管晶體管

　IBM公司日前發(fā)布了據稱(chēng)是全球首款電致發(fā)光(EL)納米管晶體管，并聲稱(chēng)該器件發(fā)光亮度比發(fā)光二極管(LED)強1000倍，光子通量多達1萬(wàn)倍。

　　通過(guò)在硅片上發(fā)射數千個(gè)光子，其能量消耗與砷化鎵內的一個(gè)光子相同。IBM預測，碳納米管(carbon nanotube)晶體管將導致在硅片上制成光集成器件。據IBM稱(chēng)，硅片集成光器件將有望降低成本，促進(jìn)電子學(xué)發(fā)展，減少對奇異半導體材料(如砷化鎵)的需求。

　　IBM表示，其技術(shù)通過(guò)電氣激勵懸浮于摻雜硅晶圓上方的碳納米管，實(shí)現了1,000倍亮的發(fā)射強度。所產(chǎn)生的電子空穴對電氣中性，當復合時(shí)發(fā)射出紅外光。其它研究組織也報道過(guò)碳納米管發(fā)光，由激光激勵光致發(fā)光。IBM則宣稱(chēng)其技術(shù)僅采用電氣激勵產(chǎn)生電子空穴對，密度比光致發(fā)光大100倍。

　　IBM表示，憑借其光發(fā)射技術(shù)實(shí)現了非常高的效率。IBM在高摻雜的硅晶圓上的二氧化硅薄膜內蝕刻了溝道，制成了此款光發(fā)射晶體管。晶圓襯底充當碳納米管晶體管的背面門(mén)極。而器件所發(fā)射的紅外光強度與門(mén)極驅動(dòng)電流呈指數相關(guān)。