英飛凌推出業(yè)內首款1Mbit車(chē)規級串行EXCELON F-RAM及新型4Mbit F-RAM

汽車(chē)事件數據記錄系統（EDR）市場(chǎng)的不斷發(fā)展正在推動(dòng)專(zhuān)用數據記錄存儲設備的需求，這些設備能夠即時(shí)捕獲關(guān)鍵數據并可靠地存儲數據長(cháng)達數十年。近日，英飛凌科技股份公司進(jìn)一步擴展其EXCELON? F-RAM存儲器產(chǎn)品，推出兩款分別具有1Mbit和4Mbit存儲密度的新型F-RAM存儲器。全新1Mbit EXCELON? F-RAM是業(yè)內首款車(chē)規級串行F-RAM存儲器。

這兩款新品已通過(guò)AEC-Q100 1級認證，支持更寬泛的溫度范圍（-40°C 至+125°C ），補充了存儲密度從4Kbit到16Mbit不等的車(chē)規級F-RAM存儲器產(chǎn)品組合。它們均具有快速且高度可靠的讀/寫(xiě)性能，在SPI模式和Quad SPI（QSPI）模式下的讀寫(xiě)性能分別高達50 MHz和108 MHz。此外，這些存儲器具有10萬(wàn)億次讀寫(xiě)周期，能夠支持以10微秒間隔進(jìn)行數據記錄長(cháng)達20年。

英飛凌科技RAM解決方案副總裁Ramesh Chettuvetty表示：“隨著(zhù)電子系統的廣泛應用，以及行業(yè)法規鼓勵在安全氣囊系統及發(fā)動(dòng)機控制和電池管理系統中使用高可靠非易失性存儲器，汽車(chē)系統中的數據記錄需求正在迅速增長(cháng)。需要記錄數據的應用數量不斷增加，根據特定用例定制存儲密度的需求也隨之增長(cháng)。英飛凌致力于幫助客戶(hù)靈活滿(mǎn)足各類(lèi)系統設計對存儲器架構的要求?！?/p>

EXCELON F-RAM存儲器具有零延遲寫(xiě)入功能，可以持續捕獲并記錄數據，直到事故或其他用戶(hù)定義的觸發(fā)事件發(fā)生前的最后一瞬間。這兩款新品采用串行（SPI/QSPI）接口，具備F-RAM存儲器的超低功耗特性，工作電壓范圍為1.8 V至3.6 V，并采用標準的8引腳SOIC封裝。半導體科技公司英飛凌的F-RAM存儲器除了具有出色的耐用性外，還可在斷電后保存數據超過(guò)100年。

供貨情況

英飛凌存儲密度為1Mbit (CY15B201QN-50SXE)和4Mbit (CY15B204QN-40SXE) 的EXCELON 車(chē)規級F-RAM存儲器件現已量產(chǎn)。英飛凌還預計在今年年底前推出這兩款器件的Quad SPI接口版本。