英飛凌擴展集成ECC的抗輻射異步靜態(tài)RAM產(chǎn)品線(xiàn)

【2024年1月15日，德國慕尼黑訊】衛星上的邊緣計算和推理可實(shí)現近乎實(shí)時(shí)的數據分析和決策制定。隨著(zhù)聯(lián)網(wǎng)設備的數量及其產(chǎn)生的數據量不斷增長(cháng)，這一點(diǎn)變得愈發(fā)重要。為滿(mǎn)足太空應用中的這些高性能計算需求，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）旗下的Infineon Technologies LLC Memory Solution近日宣布推出采用英飛凌專(zhuān)利技術(shù)RADSTOP?設計的最新抗輻射（rad hard）異步靜態(tài)隨機存取存儲器。全新產(chǎn)品專(zhuān)為高可靠性和高性能極為關(guān)鍵的太空及其它惡劣環(huán)境應用而設計。 

英飛凌抗輻射（rad hard）異步靜態(tài)隨機存取存儲器

在高性能太空計算中，數據緩沖所需要的內存比MCU或 FPGA片上存儲器所能提供的內存更多。存儲器必須為實(shí)時(shí)處理應用提供更高的性能并具有卓越的抗輻射性能，以滿(mǎn)足在惡劣環(huán)境中的任務(wù)要求。英飛凌的全新抗輻射靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）有8位、16位和32位寬配置，并帶有能進(jìn)行單比特錯誤糾正的嵌入式糾錯碼（ECC）。這項先進(jìn)技術(shù)使得糾錯碼（ECC）邏輯能夠在讀取周期內檢測并糾正任何讀取數據字中的單比特錯誤。

英飛凌科技航空航天與國防業(yè)務(wù)副總裁兼研究員Helmut Puchner博士表示：“輻射效應會(huì )導致靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）中不可避免的比特錯誤，而使用系統級糾錯碼（ECC）會(huì )增加設計復雜性和延遲。英飛凌的RADSTOP異步靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）提供了一種極其可靠的單芯片解決方案，可以在解決這些問(wèn)題的同時(shí)，滿(mǎn)足航天工業(yè)對抗輻射性能的要求。”

英飛凌領(lǐng)先的RADSTOP技術(shù)通過(guò)自主設計和工藝強化技術(shù)實(shí)現了抗輻射性能，可滿(mǎn)足極端環(huán)境下的所有抗輻射要求。這款全新抗輻射存儲器獲得了QML-V認證，能夠確保在極端環(huán)境下的可靠性和生命周期要求。這些半導體器件的存取時(shí)間短至10 ns，是目前速度最快的選擇。此外，它們還為最高的密度和最低的靜態(tài)電流提供了最小的占板面積。RADSTOP存儲器解決方案擴展了整個(gè)系統的計算極限，同時(shí)具備尺寸、重量和功耗優(yōu)勢以及更大的設計靈活性。

供貨情況

英飛凌的抗輻射靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）現已上市。