解決SMPS難題

　　* 方波發(fā)生器通過(guò)驅動(dòng)開(kāi)關(guān)Q1和Q2產(chǎn)生一個(gè)方波電壓(Vd)。換言之，下面和上面的MOSFET的占空比應該分別為D和1-D。這時(shí)，兩次轉換之間一般有一個(gè)很小的死區時(shí)間。

　　* 能量傳送網(wǎng)絡(luò )包含一個(gè)DC隔直電容和一個(gè)變壓器。這個(gè)網(wǎng)絡(luò )利用DC隔直電容(CB)消除方波電壓(Vd)的DC偏移，然后通過(guò)變壓器把純AC方波電壓傳送到次級端。由于存在泄漏電感，變壓器初級端電流Ip滯后于加在變壓器初級端上的電壓，這就讓MOSFET得以零電壓導通。如圖2所示，在其中一個(gè)開(kāi)關(guān)斷開(kāi)之后，Ip對MOSFET輸出電容進(jìn)行充電(或放電)，最終開(kāi)關(guān)電壓從一個(gè)輸入電軌變化到另一個(gè)(從Vin到地或從地到Vin)。接著(zhù)，Ip繼續流經(jīng)反向并聯(lián)的體二極管。只要體二極管導通，相應的MOSFET就能夠零電壓導通。這種軟開(kāi)關(guān)方案不僅可降低開(kāi)關(guān)損耗，還能減小電磁干擾(EMI)。

　　* 整流器網(wǎng)絡(luò )利用整流二極管和低通LC濾波器對AC電壓進(jìn)行整流，最后產(chǎn)生DC電壓。這個(gè)整流器網(wǎng)絡(luò )可采用全波的橋式結構或中心抽頭式結構。

　　針對不對稱(chēng)半橋轉換器設計的集成式功率開(kāi)關(guān)

　　飛兆半導體的集成式“Green FPS”功率開(kāi)關(guān)FSFA2100系列是專(zhuān)門(mén)針對不對稱(chēng)半橋轉換器設計而開(kāi)發(fā)的一種技術(shù)。這種技術(shù)在單個(gè)器件中整合了PWM控制器、高端驅動(dòng)和SuperFET，只需要極少數量的外部元件。圖3所示為其內部模塊示意圖。在大功率轉換器應用中，PCB版圖設計一向是棘手部分，因為在布局時(shí)，為了把噪聲干擾降至最低，必需讓柵極驅動(dòng)器和控制電路盡可能地靠近MOSFET。FSFA2100把柵極驅動(dòng)器及控制電路與MOSFET集成在一起，使這些器件之間的距離最小化，從而大幅減小了終端應用的噪聲干擾。此外，這樣做也減少了寶貴的設計時(shí)間，使生產(chǎn)力得以提高。