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如何使用GaNFET設計四開(kāi)關(guān)降壓-升壓DC-DC轉換器？
- 在不斷追求減小電路板尺寸和提高效率的征途中，氮化鎵場(chǎng)效應晶體管(GaNFET)功率器件已成為破解目前難題的理想選擇。GaN是一項新興技術(shù)，有望進(jìn)一步提高功率、開(kāi)關(guān)速度以及降低開(kāi)關(guān)損耗。這些優(yōu)勢讓功率密度更高的解決方案成為可能。當前市場(chǎng)上充斥著(zhù)大量不同的Si MOSFET驅動(dòng)器，而新的GaN驅動(dòng)器和內置GaN驅動(dòng)器的控制器還需要幾年才能面世。除了簡(jiǎn)單的專(zhuān)用GaNFET驅動(dòng)器（如 LT8418)外，市場(chǎng)上還存在針對GaN的復雜降壓和升壓控制器（如LTC7890, LTC7891)。 目前的
- 關(guān)鍵字： ADI GaNFET DC-DC
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