Schiltron與Entrepix合作利用CMP達成3-D閃存制造新架構?

　　3-D Flash新創(chuàng )公司Schiltron Corporation與專(zhuān)門(mén)提供化學(xué)機械拋光設備及代工服務(wù)的領(lǐng)先供應商Entrepix合作發(fā)展使用現有的材料，工具和制程的方法制造3-D Flash，從而利用簡(jiǎn)單直接的方式擴大產(chǎn)量。 Schiltron 3-D Flash制造方式的最關(guān)鍵工藝的步驟是化學(xué)機械設備(CMP)的達成。該公司的聯(lián)合開(kāi)發(fā)的努力已制造迄今為止最小的矽基薄膜電晶體(Silicon-base thin-film transistors) 。

　　晶體管結構和低溫度預算工藝步驟(low thermal budget process sequence)的變革促使單片(monolithic)3-D Flash預計將逐漸在大容量存儲用途取代傳統的NAND Flash Memory如MP3播放器，數位攝影和固態(tài)硬碟。 Schiltron的制造方式，其中實(shí)現CMP關(guān)鍵工藝，產(chǎn)生了柵極長(cháng)度48納米， 45納米柵極寬度和厚度35納米渠道，已知最小的矽基薄膜電晶體。

　　Schiltron的創(chuàng )始人兼主席Andrew J. Walker說(shuō)：“可擴展性的NAND Flash時(shí)代即將結束。單片(monolithic)3-D方式將接管并滿(mǎn)足這個(gè)價(jià)值數十億美元的市場(chǎng)。我們在Schiltron會(huì )利用現有的材料和基礎設施，并配合Entrepix一站式的代工服務(wù)，及專(zhuān)門(mén)的制程經(jīng)驗和技術(shù)訣竅來(lái)進(jìn)一步證明技術(shù)的可行性和構造整體知識并達成這個(gè)里程碑。

　　Schiltron其中一個(gè)關(guān)鍵目標是藉由Entrepix在先進(jìn)的化學(xué)機械拋光工藝的專(zhuān)業(yè)知識來(lái)達成其裝置架構概念證明?；瘜W(xué)機械研磨拋光在整個(gè)裝置流程起了以下2個(gè)重要關(guān)鍵和可行性：1，第一個(gè)柵極(first gate)的構思和形成;2，超薄的渠道(ultra-thin channel)的形成。這兩者對于裝置功能都是至關(guān)重要。

　　Entrepix技術(shù)長(cháng)Rob Rhoades說(shuō)：“這個(gè)項目的發(fā)明很明顯的顯示化學(xué)機械研磨拋光(CMP)工藝有一定特有的產(chǎn)品架構和引發(fā)更多新產(chǎn)品的實(shí)現。Schiltron也在3D Flash技術(shù)跨過(guò)和奠定了一大步也代表CMP將在新的材料和下一代產(chǎn)品的研發(fā)會(huì )將扮演更重要的角色。”

　　Schiltron，Mountain View， CA，在最近的舊金山國際電子器件會(huì )議(IEDM)上首次介紹了其新產(chǎn)品結構，說(shuō)明新產(chǎn)品如何在替代制造方式提供明顯優(yōu)勢會(huì )。