DRAM廠(chǎng)另謀出路 搶進(jìn)晶圓代工市場(chǎng)

　　DRAM現貨價(jià)跌破一美元，DRAM廠(chǎng)為了維持12吋廠(chǎng)利用率，但又不想再繼續燒錢(qián)生產(chǎn)DRAM，所以包括力晶及茂德，已經(jīng)開(kāi)始把12吋廠(chǎng)產(chǎn)能移轉投入晶圓代工市場(chǎng)。據了解，兩家業(yè)者利用12吋廠(chǎng)經(jīng)濟規模優(yōu)勢，大搶LCD驅動(dòng)IC、CMOS感測器等訂單，已對聯(lián)電、世界先進(jìn)等造成沖擊。

　　DRAM報價(jià)持續探底，燒錢(qián)速度愈來(lái)愈快，DRAM廠(chǎng)為了守住手中現金，均大砍明年資本支出，延緩50奈米制程微縮。再者，因為50奈米以下DRAM制程需導入先進(jìn)的浸潤式微影技術(shù)，投資金額過(guò)于龐大，也不適合將現有12吋廠(chǎng)進(jìn)行改建。所以，力晶及茂德決定將2002年興建的12吋廠(chǎng)轉投入晶圓代工市場(chǎng)。

　　力晶首座12吋廠(chǎng)（12Ａ）與茂德新竹12吋廠(chǎng)（二廠(chǎng)），近期已開(kāi)始變更部分設備投入代工，主要提供0.11及0.13微米制程，及部份0.13微米高壓制程，開(kāi)始爭取LCD驅動(dòng)IC、嵌入式記憶體、CMOS影像感測器（image sensor）等訂單。

　　茂德表示，新竹二廠(chǎng)仍以0.11微米生產(chǎn)DRAM，但已調撥數千片產(chǎn)能，為客戶(hù)代工CMOS感測器、LCD驅動(dòng)IC、利基型DRAM等產(chǎn)品，而此舉也有間接減少DRAM產(chǎn)出、降低燒錢(qián)速度的效果。

　　力晶的12A廠(chǎng)將于明年開(kāi)始陸續除役減少DRAM投片，目前鎖定爭取LCD驅動(dòng)IC代工市場(chǎng)，除了以0.13微米為奇景試產(chǎn)外，力晶與瑞薩（Renesas）合資的LCD驅動(dòng)IC廠(chǎng)，也將在明年第一季開(kāi)始在12A廠(chǎng)投片，力晶預計2年后該廠(chǎng)將全轉代工，并將爭取豪威（OmniVision）等客戶(hù)的90奈米CMOS感測器代工訂單。

　　DRAM廠(chǎng)利用折舊幾近結束的12吋廠(chǎng)投入晶圓代工，確實(shí)已沖擊到晶圓代工業(yè)者的8吋廠(chǎng)接單。分析師指出，LCD驅動(dòng)IC、CMOS感測器等產(chǎn)品，確實(shí)適合在講求經(jīng)濟規模的12吋廠(chǎng)投片，DRAM廠(chǎng)又善于降低單位制造成本，對于8吋晶圓代工廠(chǎng)的接單一定有所影響，聯(lián)電、世界先進(jìn)將首當其沖。