Vishay的新型 Siliconix 25V TrenchFET? Gen III 功率 MOSFET 刷新了業(yè)界最佳導通電阻記錄

　　賓夕法尼亞、MALVERN — 2008 年10月29日— 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）推出一款新型 25V n 通道器件 --- SiR476DP，從而擴展了其 Gen III TrenchFET® 功率 MOSFET 系列，對于采用 PowerPAK® SO-8 封裝類(lèi)型且具有該額定電壓的器件而言，該器件具有業(yè)界最低的導通電阻以及導通電阻與柵極電荷之乘積。

SiR476DP 在 4.5V 柵極驅動(dòng)時(shí)最大導通電阻為 2.1m?，在 10V 柵極驅動(dòng)時(shí)最大導通電阻為 1.7m?。導通電阻與柵極電荷乘積是直流到直流轉換器應用中針對 MOSFET 的關(guān)鍵優(yōu)值 (FOM)，在 4.5V 時(shí)為 89.25nC。

　　與為實(shí)現低導通損失及低開(kāi)關(guān)損失而優(yōu)化的最接近的同類(lèi)競爭器件相比，這些規格意味著(zhù)在 4.5V 及 10V 時(shí)導通電阻分別低 32% 與 15%，FOM 低 42%。更低的導通電阻及柵極電荷可轉變成更低的傳導損失及開(kāi)關(guān)損失。

　　Siliconix SiR476DP 將在同步降壓轉換器以及二級同步整流及 OR-ing 應用中作為低端 MOSFET。其低導通及低開(kāi)關(guān)損失將使穩壓器模塊 (VRM)、服務(wù)器及使用負載點(diǎn) (POL) 功率轉換的眾多系統實(shí)現功效更高且更節省空間的設計。

　　Vishay 還推出了新型 25V SiR892DP 及 SiR850DP n 通道 MOSFET。這些器件在 4.5V 時(shí)提供了 4.2m? 與 9m? 的導通電阻，在 10V 時(shí)為 3.2m? 及 7m?，典型柵極電荷為 20nC 及 8.4nC。所有這三款新型功率 MOSFET 均采用 PowerPAK SO-8 封裝類(lèi)型。這些器件無(wú)鉛 (Pb)，無(wú)鹵素，并且符合 RoHS，因此符合有關(guān)消除有害物質(zhì)的國際法規要求。

　　目前，SiR476DP、SiR892DP 及 SiR850DP 的樣品及量產(chǎn)批量已可提供，大宗訂單的供貨周期為 10～12 周。
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　　VISHAY SILICONIX簡(jiǎn)介

　　Vishay Siliconix 是現今世界上排名第一的低壓功率MOSFET和用于在計算機、蜂窩電話(huà)和通信基礎設備的管理和功率轉換以及控制計算機磁盤(pán)驅動(dòng)和汽車(chē)系統的固態(tài)開(kāi)關(guān)的供應商。Vishay Siliconix的硅技術(shù)和封裝產(chǎn)品的里程碑，包括在業(yè)內建成第一個(gè)基于槽硅工藝（TrenchFET®）的功率型MOSFET和業(yè)內第一個(gè)小型的表面貼裝的功率型MOSFET(LITTLE FOOT®)。

　　創(chuàng )新的傳統不斷的衍生出新的硅技術(shù)，例如被設計用來(lái)在直流電到直流電的轉換和負荷切換的應用中最佳化功率MOSFET的性能的硅技術(shù)，以及可以滿(mǎn)足客戶(hù)需求的更佳熱性能(PowerPAK®) 和更小空間(ChipFET®，MICRO FOOT®)新的封裝選擇。 除了功率MOSFET外，Vishay Siliconix的產(chǎn)品還包括功率集成電路和業(yè)界最杰出的模擬交換和多路復用器的線(xiàn)路。Vishay Siliconix功率集成電路的發(fā)展不僅專(zhuān)注于應用在蜂窩電話(huà)、筆記本計算機、和固定電信基礎設備的功率轉換元件，而且也同樣關(guān)注低電壓、約束空間的新型模擬開(kāi)關(guān)集成電路。

　　Siliconix創(chuàng )建于1962年，在1996年Vishay購買(mǎi)了其80.4%的股份使其成為Vishay子公司。