SDRAM接口的VHDL設計

　　RAM（隨機存取存儲器　是一種在電子系統中應用廣泛的器件，通常用于數據和程序的緩存。隨著(zhù)半導體工業(yè)的發(fā)展，RAM獲得了飛速的發(fā)展，從RAM、DRAM(Dynamic RAM，即動(dòng)態(tài)RAM)發(fā)展到SDRAM(Synchronous Dynamic RAM，即同步動(dòng)態(tài)RAM)，RAM的容量越來(lái)越大、速度越來(lái)越高，可以說(shuō)存儲器的容量和速度已經(jīng)成為半導體工業(yè)水平的標志。

　?。?任務(wù)背景

　　SDRAM具有大容量和高速的優(yōu)點(diǎn)，目前其存取速度可以達到100～133MHz，單片容量可以達到64Mbit或更高，因此在需要高速、大容量存儲器的系統中得到廣泛應用，如應用在目前的計算機內存中。但是SDRAM的控制比較復雜，其接口不能直接與目前廣泛應用的普通微處理器例如MCS-51系列、MOTOROLA 68000系列　連接，這樣就限制了SDRAM在微處理器系統中的應用。

　　我們的任務(wù)是設計一個(gè)通用微處理器，它要具有語(yǔ)音、數據、圖像等多種處理功能，并具有RS232、USB等多種接口，另外由于多個(gè)通道的數據都需要進(jìn)行緩存和處理，因此高速大容量的緩存是此系統必須的，所以選用了SDRAM作為緩存器件。來(lái)自多個(gè)輸入通道的數據在采集后需要暫時(shí)存儲在SDRAM中，處理后的數據也需要存儲在SDRAM中，再輸出到輸出通道中。在SDRAM與多個(gè)輸入輸出通道之間，采用多個(gè)雙口RAM作為接口器件。輸入通道采集的數據首先存儲在雙口RAM中，采集滿(mǎn)后，通過(guò)若干條指令將RAM中的數據轉移到SDRAM中的一定位置中，將SDRAM中的數據轉移到RAM中也只需要若干條指令來(lái)完成。這樣通過(guò)幾條指令來(lái)設置RAM起始地址、SDRAM起始地址、傳送數據長(cháng)度、傳送數據方向之后，SDRAM與RAM之間數據傳送就完全可以通過(guò)硬件實(shí)現，不必占用微處理器的指令時(shí)間。

　?。?SDRAM簡(jiǎn)介

　　SDRAM具有多種工作模式，內部操作是一個(gè)非常復雜的狀態(tài)機。SDRAM的管腳分為以下幾類(lèi)：

　?。?nbsp; (1)　 控制信號：包括片選、時(shí)鐘、時(shí)鐘有效、行／列地址選擇、讀寫(xiě)選擇、數據有效；

　?。?nbsp; (2)　 地址：時(shí)分復用管腳，根據行／列地址選擇管腳控制輸入地址為行地址或列地址；

　?。?nbsp; (3)　 數據：雙向管腳，受數據有效控制；

　　根據控制信號和地址輸入，SDRAM包括多種輸入命令：① 模式寄存器設置命令；② 激活命令；③ 預充命令；④寫(xiě)命令；⑤ 讀命令；⑥自動(dòng)刷新命令；⑦ 自我刷新命令；⑧突發(fā)停止命令；⑨ 空操作命令。

　　根據輸入命令，SDRAM狀態(tài)在內部狀態(tài)間轉移。內部狀態(tài)包括：①模式寄存器設置狀態(tài)；②激活狀態(tài)；③預充狀態(tài)；④寫(xiě)狀態(tài)；⑤讀狀態(tài)；⑥自動(dòng)刷新?tīng)顟B(tài)；⑦自我刷新?tīng)顟B(tài)；⑧節電狀態(tài)。

　?。?SDRAM接口狀態(tài)機設計

　　根據系統的要求，采用固定型號SDRAM，我們對SDRAM的操作進(jìn)行了以下簡(jiǎn)化：

　?。?nbsp; (1)　不考慮隨機存取模式，只采用突發(fā)讀寫(xiě)數據模式，固定突發(fā)數據長(cháng)度為2；

　?。?nbsp; (2)　固定SDRAM讀命令輸入到數據輸出延時(shí)時(shí)鐘周期為２；

　?。?nbsp; (3)　刷新模式僅采用自我刷新模式，不采用自動(dòng)刷新模式；

　?。?nbsp; (4)　SDRAM的初始化、節電模式由微處理器控制；

　?。?nbsp; (5)　SDRAM為16位數據總線(xiàn)，RAM為32位數據總線(xiàn)，SDRAM進(jìn)行一次突發(fā)操作，RAM進(jìn)行一次讀寫(xiě)操作，以實(shí)現速度匹配；

　　  (6)　SDRAM和RAM讀寫(xiě)地址采用遞增模式，連續變化。

　　簡(jiǎn)化的SDRAM接口狀態(tài)轉移圖如圖1所示。其中，初始化、自我刷新、電源關(guān)斷、讀操作、寫(xiě)操作、預充等狀態(tài)又分別各由一組子狀態(tài)組成。

　　為充分利用SDRAM的高速存取特性，讀、寫(xiě)時(shí)序必須仔細設計，應基本可以實(shí)現每個(gè)時(shí)鐘周期進(jìn)行一次數據存取。

　　3.1 SDRAM讀操作時(shí)序設計

　　   當數據轉移方向為從SDRAM到雙口RAM時(shí)，如果SDRAM讀操作行地址未發(fā)生變化，可以滿(mǎn)足每時(shí)鐘周期輸出一次數據的高速操作。但是當SDRAM行地址發(fā)生變化時(shí)，必須返回預充狀態(tài)，由于從SDRAM的讀命令輸入到SDRAM數據輸出之間有2個(gè)時(shí)鐘周期的延時(shí)，所以判斷下一讀操作的行地址是否發(fā)生變化必須提前兩個(gè)周期判斷。讀操作部分的狀態(tài)轉移圖如圖２所示。