40、30納米產(chǎn)能傾巢出 NAND Flash烏云密布

　　三星電子(Samsung Electronics)26日舉行年度Mobile Forum，揭示NAND型閃存(Flash)下世代42納米工藝技術(shù)，將提前于5月底送樣，第3季度步入量產(chǎn)，目前40納米世代NAND Flash工藝，新帝(SanDisk)和東芝(Toshiba)陣營(yíng)動(dòng)作最快，43納米工藝預計第2季度底前量產(chǎn)，至于海力士(Hynix)48納米工藝，以及英特爾(Intel)和美光(Micron)陣營(yíng)35納米工藝，都預計于第3季度量產(chǎn)，業(yè)界擔心第3季度之后NAND Flash產(chǎn)能傾巢而出，將再度重演價(jià)格戰。

　　NAND Flash大廠(chǎng)甫于2008年第1季度正式進(jìn)入50納米工藝世代，但隨即進(jìn)入40納米世代準備期，以目前4大陣營(yíng)進(jìn)度來(lái)看，新帝和東芝陣營(yíng)43納米仍舊跑第1，預計第2季度底前進(jìn)入量產(chǎn)，領(lǐng)先其它3大NAND Flash陣營(yíng)。三星宣布提前42納米工藝進(jìn)度，由原本計劃于第3季度送樣給廠(chǎng)商，提前至5月底至6月初，并有信心于第3季度步入量產(chǎn)，力圖與東芝一較高下。

　　由于海力士48納米工藝藍圖亦宣稱(chēng)第3季度可量產(chǎn)，加上英特爾與美光陣營(yíng)35納米工藝，亦計劃在第3季度底之前量產(chǎn)，因此，整個(gè)NAND Flash產(chǎn)業(yè)在2008年下半年正式步入新1代40和30納米工藝階段，恐引爆新一波大戰。

　　不過(guò)，過(guò)去在50納米工藝因良率提升不易，量產(chǎn)時(shí)程一再延后，這些NAND Flash大廠(chǎng)40納米以下工藝產(chǎn)品能否順利在第3季度量產(chǎn)，仍有待觀(guān)察。內存廠(chǎng)表示，2007年整個(gè)NAND Flash產(chǎn)業(yè)，70納米工藝比重高達70％，50納米比重還不到20％，2008年第1季度50納米工藝才步上主流地位，盡管目前各家NAND Flash廠(chǎng)對于40和30納米工藝量產(chǎn)時(shí)間，都規劃得相當漂亮，但屆時(shí)真正投片后良率可否如期提升，還是個(gè)疑問(wèn)。

　　然內存廠(chǎng)仍相當憂(yōu)心，若是各廠(chǎng)新1代工藝都真的如期在第3季度量產(chǎn)，屆時(shí)NAND Flash市場(chǎng)可能再度引發(fā)價(jià)格戰。事實(shí)上，目前NAND Flash價(jià)格處于恐怖平衡狀態(tài)，NAND Flash大廠(chǎng)產(chǎn)出都不算太多，蘋(píng)果(Apple)亦于5月開(kāi)始備貨，但終端需求卻相當低迷，第3季度需求是否復蘇，仍待進(jìn)一步觀(guān)察。