奇夢(mèng)達宣布突破性的30納米次代技術(shù)藍圖

　　奇夢(mèng)達公司宣布其Cell尺寸可達4F² 的30納米次代的先進(jìn)技術(shù)藍圖。奇夢(mèng)達的創(chuàng )新Buried Wordline技術(shù)結合高效能、低功耗及芯片面積小的特性，再次拓展公司的多元化產(chǎn)品組合。奇夢(mèng)達目前推出此尖端技術(shù)的65納米進(jìn)程，計劃在2008年下半年開(kāi)始生產(chǎn)1Gbit DDR2產(chǎn)品。

　　奇夢(mèng)達公司總裁暨首席執行官羅建華(Kin Wah Loh)表示：“這項新的技術(shù)將能改善生產(chǎn)力和單位比特(per bit)成本至本公司前所未有的水平。我們是業(yè)界第一家宣布30納米的次代技術(shù)藍圖的廠(chǎng)商，并將Cell尺寸縮減至4F²。此技術(shù)的推出是我們做為領(lǐng)導內存產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的領(lǐng)導者、持續創(chuàng )新的結果。這也有助于我們開(kāi)發(fā)新的合作機會(huì )。”

　　奇夢(mèng)達的目標是于2009年下半年開(kāi)始量產(chǎn)46納米Buried Wordline DRAM技術(shù)。與58納米溝槽技術(shù)相比，此46納米的Buried Wordline DRAM技術(shù)會(huì )提供每晶圓超過(guò)兩倍以上的比特(bit)。公司計劃于2009及2010財年，將由現金流量來(lái)做為制造流程的轉換的投資，此一次性約1億歐元的投資，將用于轉換現有的溝槽產(chǎn)能至Buried Wordline技術(shù)。奇夢(mèng)達運用Buried Wordline的技術(shù)和精簡(jiǎn)的制造流程，加上主流的堆棧式電容，使得這項制造流程轉換只需較低的投資金額。