德州儀器推出了首款 45 納米 3.5G 基帶與多媒體處理器

　　日前，德州儀器 (TI) 在國際固態(tài)電路會(huì )議 (ISSCC) 上推出了首款 45 納米 3.5G 基帶與多媒體處理器，以解決無(wú)線(xiàn)市場(chǎng)上最關(guān)鍵的功耗問(wèn)題。TI 依靠其芯片專(zhuān)業(yè)技術(shù)提高了這套定制解決方案的性能，同時(shí)又大幅降低了功耗要求，該器件樣片于 2007 年第四季度起開(kāi)始提供給無(wú)線(xiàn)客戶(hù)。TI 的 45 納米工藝融合了多種先進(jìn)技術(shù)與設計技巧，以及新一代 SmartReflex™ 2 電源與性能管理技術(shù)。無(wú)線(xiàn)客戶(hù)可通過(guò)這些新技術(shù)開(kāi)發(fā)更輕薄小巧、擁有先進(jìn)多媒體功能的產(chǎn)品，與 65 納米工藝相比，該技術(shù)可實(shí)現 55% 的性能提升并降低 63% 的功耗。

　　充分發(fā)揮 45 納米工藝優(yōu)勢

　　TI 高級研究員兼無(wú)線(xiàn)芯片技術(shù)中心總監 Uming Ko 博士在日前發(fā)表的一篇論文中，介紹了這款采用 TI 低功耗 45 納米工藝技術(shù)的新器件。這項新工藝可滿(mǎn)足移動(dòng)手持終端等便攜式設備市場(chǎng)的特定需求，利用浸入式光刻工具與超低 K 介電層將每個(gè)硅片所能制造的芯片數目加倍，同時(shí)通過(guò)多種專(zhuān)有技術(shù)提供超越現有 65 納米低功耗工藝的性能，這些專(zhuān)有技術(shù)包括能進(jìn)一步降低 45 納米工藝漏電的應變硅技術(shù) (strained silicon)。

　　TI 首款 45 納米無(wú)線(xiàn)數字與模擬設計平臺將數億個(gè)晶體管集成在 12 毫米 x 12 毫米封裝中。該平臺包含一個(gè)基于 ARM11、高性能 TMS320C55x™ DSP 與影像信號處理器的高吞吐量通信與高性能多媒體應用引擎，讓支持多種無(wú)線(xiàn)標準的移動(dòng)手持終端也能提供消費類(lèi)電子產(chǎn)品般高質(zhì)量的使用體驗。該平臺還整合了包括 RF 編解碼器在內的多種模擬組件。

　　TI 無(wú)線(xiàn)高級技術(shù)部副總裁 Jeff Bellay 表示：“這款新產(chǎn)品的發(fā)布再次印證了 TI 長(cháng)期致力于提供高性能、低功耗無(wú)線(xiàn)解決方案的決心，通過(guò)這款新產(chǎn)品，手機制造商將能夠更好的滿(mǎn)足無(wú)線(xiàn)市場(chǎng)的發(fā)展要求?？蛻?hù)可利用顯著(zhù)提升的硅芯片功耗與性能水平推出擁有強大多媒體功能與超低功耗的新一代手機。”

　　45 納米工藝節點(diǎn)將實(shí)現大幅性能提升，更能滿(mǎn)足日益嚴苛的移動(dòng)多媒體環(huán)境需求。借助新工藝，客戶(hù)可設計并提供具備高清視頻播放與錄制功能的手機，并且同步運行多種應用，如一邊玩 3D 游戲，一邊舉行視頻會(huì )議，大幅提升使用體驗。45 納米工藝還能降低功耗，讓手機設計整合更多先進(jìn)功能與應用，并提供更長(cháng)時(shí)間的視頻播放、通話(huà)與待機。

　　SmartReflex 2 技術(shù)顯著(zhù)降低功耗

　　隨著(zhù)越來(lái)越多的通信和計算功能被集成到移動(dòng)設備，電池使用壽命也直接受到影響，因此，整體電源管理對無(wú)線(xiàn)市場(chǎng)而言尤其重要。TI 致力于提供領(lǐng)先的創(chuàng )新技術(shù)，包括整合模擬與 DSP 產(chǎn)品的各種工藝技術(shù)和設計知識，協(xié)助客戶(hù)提供更高性能與更低功耗的產(chǎn)品。

　　TI 的 90 納米工藝所提供的 SmartReflex 技術(shù)即為最佳范例，其中包含各種軟硬件技術(shù)，能夠從系統級解決方案解決整個(gè)設計的電源管理問(wèn)題。TI 新推出的增強型SmartReflex 2 技術(shù)更增加許多新功能，其中包括 TI 申請專(zhuān)利的 Adaptive Body Bias (ABB)、Retention ‘Til Access (RTA) 存儲器以及 SmartReflex PriMer 工具。SmartReflex 2 技術(shù)允許 45 納米工藝提供智能芯片性能并降低功耗。

　　ABB 是一種能自動(dòng)和動(dòng)態(tài)調節電壓的智能型自動(dòng)適應技術(shù)，無(wú)需增加晶圓復雜性與成本就能充份發(fā)揮處理器性能并節省電力，滿(mǎn)足移動(dòng)設備需求。這項技術(shù)解決了過(guò)去需要更多工藝步驟，增加制造成本的額外電壓支持問(wèn)題。ABB 包含可提高性能的順向偏壓 (Forward Body-Bias) 和降低功耗的逆向偏壓 (Reverse Body-Bias)，只需利用電路技術(shù)即可在功耗與性能間取得最佳平衡，無(wú)需增加具備不同閾值電壓的邏輯晶體管。

　　RTA 等特殊漏電管理功能則可在操作中切換至低功耗模式。TI 的 RTA 技術(shù)會(huì )將存儲器分為多個(gè)區塊，并在保持存儲數據的同時(shí)，盡可能降低電壓。這為整個(gè)系統提供了更多電力，以便高效率運行其它耗電應用并減少電源泄漏。

　　除了硬件進(jìn)步外，TI 還推出了其 SmartReflex PriMer 電源管理工具。SmartReflex PriMer工具是片上系統 (SOC) 設計專(zhuān)用的一系列自動(dòng)化工具，可協(xié)助自動(dòng)生成寄存器傳遞語(yǔ)言 (RTL)，確保其建構正確。協(xié)助 TI 客戶(hù)以更簡(jiǎn)單的方式將 SmartReflex 電源與性能管理技術(shù)導入新產(chǎn)品。

　　靈活的制造能力

　　TI 致力于提供靈活的外部與內部制造能力，協(xié)助客戶(hù)運用所需的高級工藝技術(shù)實(shí)現設計的大批量生產(chǎn)。TI 于 2007 年第四季度推出了首款 45 納米無(wú)線(xiàn) SoC 解決方案樣片，預計 2008 年即可通過(guò) 300 毫米晶圓的全面量產(chǎn)認證。這套解決方案采用 TI 低功耗數字與模擬設計平臺及 45 納米工藝技術(shù)，充份展現 TI 實(shí)踐市場(chǎng)承諾的決心。