MOS模擬集成電路 —— 作者: 時(shí)間:2007-12-29 來(lái)源:電子元器件網(wǎng) 加入技術(shù)交流群 掃碼加入和技術(shù)大咖面對面交流海量資料庫查詢(xún) 收藏 MOSFET與BJT相比,具有許多突出的優(yōu)點(diǎn):MOSFET是電壓控制器件,輸入偏流很?。?/SPAN>10-12A以下),輸入電阻高(1012Ω以上);MOSFET功耗小,集成度高,抗輻射能力強;MOS工藝簡(jiǎn)單,便于大規模集成。因此,自70年代以來(lái),MOS模擬集成電路得到了迅速發(fā)展,各種功能的集成電路不斷涌現,其性能不斷提高。由MOSFET構成的模擬集成電路,如運放、電壓比較器、模擬開(kāi)關(guān)、定時(shí)器、開(kāi)關(guān)電容電路、乘法器、鎖相環(huán)路、頻率合成器、A/D與D/A轉換器、脈沖調制編碼/解碼器等已廣泛應用于電子技術(shù)各個(gè)領(lǐng)域。尤其是采用MOS工藝可以使模擬信號處理技術(shù)與數字處理及計算機技術(shù)有機結合起來(lái),融為一體,構成模擬信號數字化的單片集成系統,促進(jìn)了通訊、圖像、聲音、雷達信號處理及其它技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展。
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