45納米到底意味著(zhù)什么?
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有些時(shí)候一個(gè)非常直接的問(wèn)題卻有一個(gè)及其麻煩的答案。上面的問(wèn)題就是一個(gè)案例。
最初,IC制程是由印刷和光刻膠所能處理的最細走線(xiàn)來(lái)命名的,后來(lái)成功轉變?yōu)榫A表面的一個(gè)特性。實(shí)際中,這個(gè)特性總是用來(lái)定義MOS晶體管的閘極電極走線(xiàn)。所以,制程的名字就用來(lái)標識閘電極的寬度。
為了使事件更復雜,設計者把它稱(chēng)為“閘長(cháng)度”。不幸的是,閘長(cháng)度還是晶體管速度的一個(gè)近似測量,它決定在手工布線(xiàn)時(shí)你可以堆疊的晶體管數目。
市場(chǎng)部門(mén)開(kāi)始利用這個(gè)單詞來(lái)表征好壞,把一個(gè)物理尺寸的測量變?yōu)榱耸袌?chǎng)聲勢的測量。結果,350nm由實(shí)際物理尺寸的測量變?yōu)榱酥瞥痰拿?。雖然這個(gè)制程也許只可以處理380nm的線(xiàn)寬,但是通過(guò)不同的技巧,制程工程師可以讓晶體管的溝道寬度就好像是350nm。由此開(kāi)始。
現在,這個(gè)數字已經(jīng)恢復了一些作為物理尺寸測量的精確性。65nm制程通常確實(shí)可以實(shí)現65nm線(xiàn)寬。但也有例外,比如,一個(gè)公司的設計制程最終可以實(shí)現65nm的線(xiàn)寬,然而從經(jīng)濟角度考慮他們會(huì )對關(guān)鍵的一兩條采用最合適的線(xiàn)寬。他們最終會(huì )宣布這是“65nm”制程,雖然當前它并不能實(shí)現65nm的功能。
有意思的是,對于光刻流程來(lái)講現今波長(cháng)193nm的光無(wú)法真正的把65nm的線(xiàn)由掩模轉移到晶圓的表面,所以設計者采用了很多復雜的技巧去實(shí)現這一過(guò)程,由光刻過(guò)程中衍射造成的模糊和畸變使得最終可以得到近似可信的65nm線(xiàn)寬。這些技巧包括給掩模上的線(xiàn)加“裝飾”,中間突出,在四周有晶絲,這些處理使得一個(gè)長(cháng)方形看上去更象是墨漬測試里的圖形。相應的,這就意味著(zhù)即使你可以在一顆中得到完美的可用65nm線(xiàn)寬,但是你可能無(wú)法在另一顆中得到同樣的結果。你可能必須考慮留出“裝飾”的空間。
所以目前65nm和45nm并不完全代表線(xiàn)寬,當然也不代表你可以排列的晶體管的距離,雖然它們確實(shí)含有一些相關(guān)的信息。因此,最準確的描述大概還是這些數字只是制程的名字,而不是任何具體特性的測量值。
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