可存儲10萬(wàn)年的新型納米內存器件
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美國賓夕法尼亞大學(xué)研究人員已開(kāi)發(fā)出的一種新型納米器件,也許能將這些想象變成現實(shí)。這種納米器件能存儲10萬(wàn)年的電腦數據,檢索數據的速度比現有的快1000倍,而且比目前的內存技術(shù)更省電、存儲空間更小。
該校材料科學(xué)與工程系副教授阿格瓦爾及同事采用自組裝工藝,用納米金屬催化劑作為媒介,使化學(xué)反應劑在低溫下結晶,自發(fā)形成了直徑為30—50納米、長(cháng)度為10微米的納米線(xiàn)。這種納米線(xiàn)是一種能在非晶和晶體結構間實(shí)現開(kāi)關(guān)功能的相變材料,是對電腦內存進(jìn)行讀寫(xiě)的關(guān)鍵。
研究人員對最后定型的納米線(xiàn)進(jìn)行了測量,測量數據包括“寫(xiě)”電流幅值、在非晶和晶相之間開(kāi)關(guān)的速度、長(cháng)期穩定性以及數據保留的時(shí)間。測試結果顯示,數據編碼的功耗極低,數據寫(xiě)、擦除和檢索的時(shí)間僅為50納秒,比普通閃存快1000倍。
而且這個(gè)器件甚至用上10萬(wàn)年也不會(huì )丟失數據,這就為實(shí)現萬(wàn)億位的非易失性?xún)却婷芏忍峁┝丝赡?。對非易失性?xún)却鎽脕?lái)說(shuō),在電流感應相變系統中,原子級的納米器件也許是最終的尺寸極限。
研究人員稱(chēng),相變內存技術(shù)相較于閃存等其他內存技術(shù)具有讀寫(xiě)快、穩定性高、構建簡(jiǎn)單的特點(diǎn)。通過(guò)常規光刻技術(shù),在不破壞有效性能的情況下就能降低相變材料的尺寸。這種新型內存對消費者共享信息、傳輸數據甚至下載娛樂(lè )資料的方式將產(chǎn)生革命性的影響,消費者將能獲取和存儲“海量”的數據。
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