如何解決電子元件放靜電問(wèn)題
靜電放電(ESD)是大家熟知的電磁兼容問(wèn)題,它可引起電子設備失靈或使其損壞。當半導體器件單獨放置或裝入電路模塊時(shí),即使沒(méi)有加電,也可能造成這些器件的永久性損壞。對靜電放電敏感的元件被稱(chēng)為靜電放電敏感元件(ESDS)。
如果一個(gè)元件的兩個(gè)針腳或更多針腳之間的電壓超過(guò)元件介質(zhì)的擊穿強度,就會(huì )對元件造成損壞。這是MOS器件出現故障最主要的原因。氧化層越薄,則元件對靜電放電的敏感性也越大。故障通常表現為元件本身對電源有一定阻值的短路現象。對于雙極性元件,損壞一般發(fā)生在薄氧化層隔開(kāi)的已進(jìn)行金屬?lài)婂兊挠性窗雽w區域,因此會(huì )產(chǎn)生泄漏嚴重的路徑。
另一種故障是由于節點(diǎn)的溫度超過(guò)半導體硅的熔點(diǎn)(1415℃)時(shí)所引起的。靜電放電脈沖的能量可以產(chǎn)生局部地方發(fā)熱,因此出現這種機理的故障。即使電壓低于介質(zhì)的擊穿電壓,也會(huì )發(fā)生這種故障。一個(gè)典型的例子是,NPN型三極管發(fā)射極與基極間的擊穿會(huì )使電流增益急劇降低。
器件受到靜電放電的影響后,也可能不立即出現功能性的損壞。這些受到潛在損壞的元件通常被稱(chēng)為“跛腳”,一旦加以使用,將會(huì )對以后發(fā)生的靜電放電或傳導性瞬態(tài)表現出更大的敏感性。
要密切注意元件在不易察覺(jué)的放電電壓下發(fā)生的損壞,這一點(diǎn)非常重要。人體有感覺(jué)的靜電放電電壓在3000 — 5000V之間,然而,元件發(fā)生損壞時(shí)的電壓僅幾百伏。
靜電放電的危害效應是在二十世紀七十年代開(kāi)始認識到的,這是由于新技術(shù)的發(fā)展導致元件對靜電放電的損壞越來(lái)越敏感。靜電放電造成的損失每年可達到幾百萬(wàn)美元以上。因此,許多大型的元件和設備制造廠(chǎng)引進(jìn)專(zhuān)業(yè)技術(shù)以減小生產(chǎn)環(huán)境中的靜電積累,從而使產(chǎn)品合格率和可靠性提高了許多。用戶(hù)根據自己的經(jīng)驗也懂得了防治靜電放電損害的重要性。
2.如何對付靜電放電?
控制靜電積累的第一步是要弄清楚靜電荷的產(chǎn)生機理。
靜電電壓是由不同種類(lèi)的物質(zhì)相互接觸與分離而產(chǎn)生。盡管摩擦能夠使電荷積累得更多,但是摩擦并不是必要的。這種效應即是大家熟知的摩擦起電,所產(chǎn)生的電壓取決于相互摩擦的材料本身的特性。磨擦起電序列表列出了各類(lèi)物質(zhì)的帶電難易程度。對于相互接觸的兩種物質(zhì),電子會(huì )從序列表較上的物質(zhì)轉向較下的物質(zhì),這樣就會(huì )使兩種物質(zhì)分別帶正負電荷。序列表中的物質(zhì)離得越遠,各自所帶的電荷數量也越大。常見(jiàn)物質(zhì)的磨擦起電序列如表1所示。
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