瑞薩05財年營(yíng)業(yè)利潤預計減少6成

    日本瑞薩科技日前公布了2004財年（2004年4月～2005年3月）聯(lián)合結算報告概要。銷(xiāo)售額為1.0024萬(wàn)億日元（比財年增長(cháng)2%），營(yíng)業(yè)利潤達510億日元（同比增長(cháng)14%），稅前利潤為324億日元（同比增長(cháng)218%），純利潤為199億日元（同比增長(cháng)131%）。雖說(shuō)實(shí)現了增收增益，但未達到財年初期預測的數值（預測銷(xiāo)售額為1.09萬(wàn)億日元，營(yíng)業(yè)利潤為600億日元）。由于該公司沒(méi)有上市，因此依據上市企業(yè)會(huì )計標準進(jìn)行核算的詳細業(yè)績(jì)沒(méi)有公布。 


1Gbit閃存推遲半年才投入量產(chǎn) 


　　盡管包括公司主力產(chǎn)品微控制器在內的“通用產(chǎn)品業(yè)務(wù)”實(shí)現了盈利，但負責專(zhuān)用產(chǎn)品的“系統解決方案業(yè)務(wù)”和“內存業(yè)務(wù)”則出現了虧損。用于手機的液晶驅動(dòng)IC和應用處理器，向高附加值產(chǎn)品的過(guò)渡并不順利，未達到公司當初的預期。據稱(chēng)在本財年下半期，有多家客戶(hù)取消了預定單。 


　　閃存EEPROM業(yè)務(wù)也存在著(zhù)一定的問(wèn)題，“由于采用AG-AND方式的1Gbit產(chǎn)品的成品率低于當初的預期，被迫推遲半年后才投入量產(chǎn)”（瑞薩科技社長(cháng)兼首席執行官伊藤 達）。因此，該產(chǎn)品的出貨量低于當初的預測。而單價(jià)卻“在2004財年里下跌了一半左右”（伊藤）。 


　　該公司表示，這些導致公司業(yè)績(jì)變壞的因素在2005財年里基本仍將持續下去?！按饲拔覀冾A測半導體市場(chǎng)將在2006財年開(kāi)始出現下降趨勢?，F在看來(lái)提前了一年。眼下的形勢非常嚴峻”（伊藤）。盡管削減生產(chǎn)成本的努力仍將繼續，但2005財年的聯(lián)合業(yè)績(jì)預計將會(huì )減收減益。銷(xiāo)售額和營(yíng)業(yè)利潤預計分別為9700億日元（比上財年減少3%）和200億日元（同比減少61%）。 


90nm工藝閃存05下半財年投入量產(chǎn) 


　　在按金額計算占據全球市場(chǎng)份額2成多的微控制器方面，將通過(guò)增加配備閃存EEPROM的高附加值產(chǎn)品的銷(xiāo)售，維持穩定的收益。與此同時(shí)，“由于2005財年韓國與歐洲將穩步推進(jìn)手機液晶面板由STN方式向TFT方式的過(guò)渡”（伊藤），所以江爭取進(jìn)一步擴大液晶驅動(dòng)IC的業(yè)務(wù)規模。在閃存EEPROM方面，計劃2005財年下半期投產(chǎn)4Gbit產(chǎn)品?！白鳛锳G-AND方式的首個(gè)產(chǎn)品，盡管1Gbit產(chǎn)品在量產(chǎn)之初遭遇了一些困難，但我想可以吸取其中的經(jīng)驗，使4Gbit產(chǎn)品順利地量產(chǎn)”（伊藤）。 


　　2005財年的設備投資約為800億日元。其中約300億日元將用于加強采用300mm晶圓的半導體生產(chǎn)體制。該公司在那珂第二工廠(chǎng)的“N3廠(chǎng)房”，正在使用300mm晶圓量產(chǎn)半導體。目前已經(jīng)將N3廠(chǎng)房的二層樓房（1萬(wàn)2000m3）擴充成130nm工藝閃存EEPROM和SoC（系統級芯片）的生產(chǎn)車(chē)間。通過(guò)對N3廠(chǎng)房的追加投資，在空閑的一層樓房（1萬(wàn)2000m3）里安裝生產(chǎn)設備。另外，2005財年下半期還將投產(chǎn)90nm工藝閃存EEPROM。這樣一來(lái)， N3廠(chǎng)房300mm晶圓的處理能力將提高至每月1萬(wàn)4000枚。按計劃，2006財年上半期將在SoC中采用90nm工藝，2006年下半期將在閃存EEPROM中開(kāi)始65nm工藝的量產(chǎn)。