CL 2.5水平低延遲DDR-2內存芯片即將量產(chǎn)

    DDR-2內存如我們預期地目前已開(kāi)始調整售價(jià)并可在下半年取代DDR內存在市場(chǎng)的主流位置，不過(guò)DDR-2內存眾所周知目前主要的問(wèn)題也在于其高延遲性（CL 4/5）設計而大大影響了產(chǎn)品性能。如在同級的DDR與DDR-2內存對比當中DDR的性能肯定要高于DDR-2，但DDR-2未來(lái)始終還是會(huì )得益于其高工作頻率設定可達成更高的內存帶寬而將取代最高不過(guò)667MHz的DDR，無(wú)論如何DDR-2的高延遲特性如不能得到一定改良的話(huà)其性能表現始終是不能有太大的突破，而這個(gè)情況莫非要到DDR-3才能解決？

　　不過(guò)值得高興的是據Cool Tech Zone日前的報道，某大型內存芯片廠(chǎng)商（三星？）目前正計劃推出低延遲的DDR-2內存芯片，雖然目前據廠(chǎng)商方面的消息表示現在這些芯片最高還只能做到CL 2.5的水平（具體工作頻率未明），但對比起Corsair目前CL 3的DDR-2 533和OCZ CL 4的DDR-2 800來(lái)說(shuō)還是有一定突破的（多數廠(chǎng)商的超頻DDR533內存也只能運行在CL 2.5下，DDR500或以下產(chǎn)品則可做到CL 2）。

　　略為遺憾的是CL 2.5的DDR-2內存芯片目前未知可于何時(shí)投入量產(chǎn)，也未知采用這些內存芯片的DDR-2內存何時(shí)能夠投入市場(chǎng)，不過(guò)我們還是可以預期這會(huì )在一段不長(cháng)的時(shí)間內發(fā)生。。當然類(lèi)似的產(chǎn)品售價(jià)應該也不會(huì )太低，但作為DDR-2過(guò)渡到DDR-3前的“性能”型產(chǎn)品，新芯片應可為標準的DDR-2內存帶來(lái)更高的性能，而更高頻率的超頻DDR-2內存產(chǎn)品（DDR-2 1066/1333？）應也可借此達成。