EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
cl
cl 文章 進(jìn)入cl技術(shù)社區
CL 2.5水平低延遲DDR-2內存芯片即將量產(chǎn)
- DDR-2內存如我們預期地目前已開(kāi)始調整售價(jià)并可在下半年取代DDR內存在市場(chǎng)的主流位置,不過(guò)DDR-2內存眾所周知目前主要的問(wèn)題也在于其高延遲性(CL 4/5)設計而大大影響了產(chǎn)品性能。如在同級的DDR與DDR-2內存對比當中DDR的性能肯定要高于DDR-2,但DDR-2未來(lái)始終還是會(huì )得益于其高工作頻率設定可達成更高的內存帶寬而將取代最高不過(guò)667MHz的DDR,無(wú)論如何DDR-2的高延遲特性如不能得到一定改良的話(huà)其性能表現始終是不能有太大的突破,而這個(gè)情況
- 關(guān)鍵字: CL 存儲器
共2條 1/1 1 |
cl介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條cl!
歡迎您創(chuàng )建該詞條,闡述對cl的理解,并與今后在此搜索cl的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條,闡述對cl的理解,并與今后在此搜索cl的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
