內存價(jià)格終于反彈 業(yè)內持不同意見(jiàn)

在5月18-25日，DRAM內存價(jià)格終于出現了反彈，業(yè)界分析家對該現象是標志著(zhù)大范圍的調整開(kāi)始還是僅僅是一個(gè)短期現象持有不同意見(jiàn)。

據DRAMeXchange的數據顯示，從5月18日開(kāi)始，包括eTT在內各種頻率型號的512MB DDR2內存現貨價(jià)格據呈上升勢頭。在所有類(lèi)型當中，eTT壓低內存升幅最大，達到16%。

一些業(yè)內人士擔心DRAM現貨市場(chǎng)的價(jià)格反彈將會(huì )影響DRAM合同價(jià)格的調整。來(lái)自DRAM內存廠(chǎng)商的消息稱(chēng)現還沒(méi)有收到電腦廠(chǎng)商需求急劇變化的反饋，而來(lái)自?xún)却婺＝M廠(chǎng)的消息稱(chēng)，由于DRAM廠(chǎng)商拒絕為戴爾等電腦廠(chǎng)商提供更低的內存報價(jià)是這次價(jià)格上升的主要原因?，F在，eTT內存芯片1.35美金的價(jià)格已經(jīng)幾乎接近DRAM廠(chǎng)商的成本價(jià)。

DRAM廠(chǎng)商為了防止價(jià)格繼續下滑已經(jīng)降低了產(chǎn)量，這也是近期價(jià)格上揚的原因之一。觀(guān)察各家DRAM廠(chǎng)商近期的生產(chǎn)計劃可以發(fā)現，所有廠(chǎng)家均降低了產(chǎn)量，因此到6月份在市場(chǎng)上應該看到由此引起的價(jià)格變化。