局部應變技術(shù)可望提高FDSOI性能

　　法國研究機構CEA-Leti宣布開(kāi)發(fā)出可為全耗盡型絕緣體上覆矽(FDSOI)矽通道制程誘導局部應變的2種新技術(shù)，可望用于實(shí)現更快速、低功耗與高性能的下一代FDSOI電路。

　　意法半導體(STMicroelectronics;ST)和Globalfoundries倡議為先進(jìn)晶片中采用FDSOI，并視其為能夠達到世界級能效的方法，而且不必面對像FinFET制程的復雜性與高成本。

　　晶格上的應變通常用于增加傳統平面CMOS與FinFET CMOS的行動(dòng)性。如今，Leti則提議將它用在下一代的FDSOI電路上，以實(shí)現同樣的好處;使其得以在相同的功耗下實(shí)現更高性能。

　　無(wú)論是FinFET或FDSOI制程都十分重要，因為在FDSOI中的 p-通道FET需要矽鍺(SiGe)通道材料的壓縮應變，同時(shí)也需要拉伸應變來(lái)改善矽晶n-通道 FET。Leti分為為兩種制程開(kāi)發(fā)新技術(shù)，使其能在MOSFET通道中誘導高達1.6GPa的局部應變。

　　LETI表示，由于28nm FDSOI并不一定需要應變，這兩項技術(shù)主要瞄準的是22/20nm節點(diǎn)。第一種技術(shù)利用從SOI薄膜頂上的松散SiGe轉移應變。這可用于提高短通道電遷移率達到20%以上。

　　第二技種技術(shù)取決于高溫退火下的埋層氧化物潛變至插入覆晶中的拉伸應變。Leti指出，這種潛變也可以用于導入壓縮應變。

　　這種應變通道可增加CMOS電晶體的導通電流，以及在相同功率時(shí)實(shí)現更高的性能，或在一定性能時(shí)降低功耗。