三星、英特爾大陸相繼擴廠(chǎng)　打造次世代存儲基地

　　英特爾(Intel)在陸大肆投資，轉換新的存儲器工廠(chǎng);在西安生產(chǎn)3D NAND Flash的三星電子(Samsung Electronics)也在漸進(jìn)式地提高當地產(chǎn)量與技術(shù)水準，大陸儼然成為全球前兩大半導體企業(yè)的次世代存儲器基地。

　　據Digital Times報導，英特爾未來(lái)3~5年內將投資35億美元，將位于大連的半導體組裝廠(chǎng)轉換為次世代存儲器制造廠(chǎng)，連同設備投資的整體投資規模上看55億美元。業(yè)界預估大連廠(chǎng)最快在2016年下半正式稼動(dòng)。

　　英特爾的這項投資震撼市場(chǎng)，主因是英特爾一向將最尖端工廠(chǎng)設在美國，海外生產(chǎn)線(xiàn)的技術(shù)水準則相對落后2個(gè)世代左右。然而這次卻決定在大連廠(chǎng)生產(chǎn)最新Optane技術(shù)的固態(tài)硬碟(SSD)等次世代產(chǎn)品。

　　英特爾是全球半導體企業(yè)中最積極進(jìn)軍大陸市場(chǎng)的企業(yè)之一，與大陸國營(yíng)企業(yè)清華紫光集團的合作關(guān)系尤其密切。目前與清華紫光集團子公司，同時(shí)也是移動(dòng)應用處理器(AP)市場(chǎng)黑馬的展訊，從技術(shù)協(xié)力到委托代工有著(zhù)全方位的合作關(guān)系。

　　除了英特爾，積極耕耘大陸的還有三星電子。三星電子身為全球最大的存儲器半導體企業(yè)，最尖端3D NAND Flash產(chǎn)品也在大陸西安廠(chǎng)生產(chǎn)，更有逐漸提高產(chǎn)量的趨勢。

　　2014年西安廠(chǎng)每月平均晶圓投片量為1萬(wàn)~2萬(wàn)片，2015年第3季每月平均5萬(wàn)片，2016年月產(chǎn)量可望達10萬(wàn)片，占三星NAND Flash總產(chǎn)量的30%以上。此外，另一韓國存儲器大廠(chǎng)SK海力士(SK Hynix)，也有一半的DRAM是在大陸無(wú)錫廠(chǎng)制造。

　　大陸快速躍升為次世代存儲器生產(chǎn)的主要基地，原因在于大陸不但是全球最大存儲器消費國，培育存儲器產(chǎn)業(yè)的意志更是強烈。由于大陸90%以上的存儲器依賴(lài)海外進(jìn)口，因此特別積極招攬存儲器業(yè)者在當地設廠(chǎng)。

　　半導體業(yè)界人士表示，英特爾、三星電子等業(yè)者積極設廠(chǎng)大陸，是研判未來(lái)大陸的存儲器市場(chǎng)結構，很可能會(huì )從進(jìn)口轉為內制內銷(xiāo)，對存儲器產(chǎn)業(yè)成長(cháng)也會(huì )有很大的影響。