Intel揮軍存儲器為自保、產(chǎn)量不致打亂市場(chǎng)供需？

　　英特爾(Intel)進(jìn)攻存儲器，將斥資改造大連廠(chǎng)，外界對此議論紛紛，擔心美光將受威脅，NAND flash恐會(huì )供過(guò)于求，不過(guò)有分析師認為，英特爾此舉是是為了自保，產(chǎn)量不會(huì )大到?jīng)_擊市場(chǎng)。

　　巴倫(Barronˋs)財經(jīng)網(wǎng)站23日報導，富國銀行(Wells Fargo)分析師David Wong表示，英特爾和美光(Micron)合力發(fā)展的新存儲器技術(shù)“3D Xpoint”將是大連廠(chǎng)的生產(chǎn)重心，英特爾可從中獲利，但不會(huì )成為NAND flash的主要生產(chǎn)商，預料存儲器僅占該公司整體營(yíng)收的一小部分。英特爾的存儲器產(chǎn)量不會(huì )多到打亂NAND市場(chǎng)的供需平衡。

　　里昂證券(CLSA)的Mark Heller認為，英特爾投資大連廠(chǎng)是為了自保，理由之一合資廠(chǎng)利潤太低。英特爾和美光的合資企業(yè)--IM Flash，英特爾能以成本價(jià)取得49%產(chǎn)出，但是目前此一工廠(chǎng)只生產(chǎn)2D NAND，并開(kāi)始試產(chǎn)Xpoint，3D NAND則全數在美光的新加坡廠(chǎng)制造，意味英特爾想買(mǎi)3D NAND須以高于成本價(jià)購買(mǎi)，這會(huì )推高英特爾成本，該公司或許因此決定自行生產(chǎn)。

　　Heller舉出的第二個(gè)理由是，英特爾擔心美光移情別戀，另尋合作伙伴。美光擁有IM Flash的買(mǎi)權(call option)，能要求英特爾以帳面價(jià)格回售合資企業(yè)給美光，英特爾可能想自建3D NAND/Xpoint工廠(chǎng)，避免此一風(fēng)險。第三個(gè)理由是3D NAND和Xpoint技術(shù)似乎多為美光所有。

　　彭博社先前報導，半導體業(yè)龍頭英特爾丟震撼彈，20日宣布將砸重金把位在中國大連的廠(chǎng)房改造成最頂尖的存儲器晶片廠(chǎng)。英特爾以處理器聞名，最早卻以生產(chǎn)存儲器起家，這次可算是重操舊業(yè)。大連工廠(chǎng)2010年開(kāi)始營(yíng)運，產(chǎn)線(xiàn)改頭換面完成后將在2016下半年投產(chǎn)。英特爾前三至五年計劃投資35億美元，之后還可能再追加至55億美元。

　　BusinessKorea 8月7日報導，英特爾、美光7月29日宣布開(kāi)發(fā)出新世代存儲器技術(shù)“3D Xpoint”，儲存的資料比DRAM高出十倍，讀寫(xiě)速度與耐受度更是NAND型快閃存儲器的1千倍之多，如此革新的技術(shù)讓三星電子、SK Hynix大為緊張。