非易失性光存儲器，利用相變材料實(shí)現

　　由英國和德國大學(xué)及研究所的研究人員組成的研究小組開(kāi)發(fā)出了可用光線(xiàn)寫(xiě)入信息并用光線(xiàn)讀取信息的光存儲芯片。材料采用了電存儲器也使用的相變存儲材料，此次首次實(shí)現了非易失性光存儲器。

　　預計隨著(zhù)存儲器的光化，將來(lái)存儲器的密度將不斷提高，耗電量和訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間將大幅減少。介紹技術(shù)詳情的論文已發(fā)表在學(xué)術(shù)雜志《自然光子學(xué)》(Nature Photonics)上。

　　開(kāi)發(fā)出這款光存儲芯片的是英國牛津大學(xué)、德國卡爾斯魯厄理工學(xué)院(KIT)、德國明斯特大學(xué)(University of Muenster)、英國?？巳卮髮W(xué)(Exeter University)的研究者們。

　　使用的相變材料是相變存儲器一般使用的Ge2Sb2Te5 (GST)。信息記錄采用的原理是通過(guò)GST在結晶狀態(tài)與非晶狀態(tài)之間變化，或在非晶狀態(tài)之間變化時(shí)，光的透過(guò)性會(huì )隨之發(fā)生變化。另外，電相變存儲器則是利用隨著(zhù)結晶/非晶狀態(tài)的不同，電阻值發(fā)生變化的特點(diǎn)來(lái)記錄信息的。

　　信息擦寫(xiě)時(shí)，通過(guò)向GST照射能量高但波長(cháng)非常短的光脈沖來(lái)實(shí)現結晶與非晶狀態(tài)。而讀入時(shí)，采用能量較弱的光脈沖，來(lái)讀取GST的狀態(tài)。此次開(kāi)發(fā)的芯片實(shí)現了利用尺寸大約為1ns的一個(gè)元件便可記錄3bit、8值狀態(tài)的多值化。擦寫(xiě)時(shí)的切換頻率大約為1GHz。