高容量SSD揭幕　美光、東芝、新帝搶進(jìn)128Gb TLC芯片

　　美光(Micron)、東芝(Toshiba)、新帝(SanDisk)旗下16納米和15納米制程不但放量，生產(chǎn)藍圖也朝128Gb容量TLC型NAND Flash芯片規劃，帶動(dòng)整個(gè)大容量固態(tài)硬碟(SSD)商機大爆發(fā)。

　　美光宣示，16納米制程的TLC型NAND Flash芯片正式進(jìn)入量產(chǎn)，將是2015年消費性產(chǎn)品的主力零組件;再者，東芝和新帝的15納米制程在生產(chǎn)初期頻傳出良率不佳，也傳出新帝因此遭到蘋(píng)果(Apple)從供應商中剔除，但經(jīng)過(guò)1~2季努力，15納米制程已上軌道，目前已先在自家產(chǎn)品中采用，預計第3季可大量供應給客戶(hù)做生產(chǎn)。

　　美光、東芝、新帝的16納米和15納米制程NAND Flash芯片規劃，都以128Gb容量TLC型NAND Flash芯片，取代過(guò)去的64Gb芯片，這也象征大容量SSD時(shí)代來(lái)臨。

　　美光16納米制程的TLC型NAND Flash芯片已獲得多家合作伙伴導入和技術(shù)支援，包括創(chuàng )見(jiàn)、慧榮和希捷(Seagate)。

　　美光儲存事業(yè)部行銷(xiāo)總監Kevin Kilbuck表示，16納米TLC型NAND Flash技術(shù)可滿(mǎn)足市場(chǎng)對于可靠的高容量?jì)Υ嫜b置持續提升的需求，將是2015年消費性應用的最佳解決方案，2016年將朝生產(chǎn)3D NAND型的TLC芯片邁進(jìn)。

　　據美光藍圖規劃，目前美光生產(chǎn)的NAND Flash芯片中，采用16納米制程技術(shù)的比重超過(guò)50%，包含SLC/MLC/TLC型NAND Flash芯片，預計 2015年第4季將量產(chǎn)3D NAND技術(shù)，新加坡廠(chǎng)將是3D NAND生產(chǎn)基地，日前也投資40億美元強化技術(shù)。

　　美光指出，新TLC型NAND是使用16納米制程技術(shù)，可用在隨身碟、SSD等產(chǎn)品上，取得價(jià)格和效能的平衡，從2015年開(kāi)始，對于TLC型NAND需求會(huì )大步提升，光是10億位元的NAND存儲器，總出貨量就約占快閃存儲器產(chǎn)品市場(chǎng)的50%。

　　東芝和新帝陣營(yíng)中，是從19納米制程轉到15納米制程NAND Flash技術(shù)上，在轉進(jìn)15納米制程過(guò)程中，傳出良率不佳問(wèn)題，由于新帝后來(lái)被蘋(píng)果剔除于供應鏈之外，傳出與15納米制程良率問(wèn)題有關(guān)。但此問(wèn)題陸續獲得解決，15納米制程已經(jīng)陸續用于東芝和新帝自己的產(chǎn)品中，預計第3季會(huì )在市場(chǎng)上大量供貨。