ROHM產(chǎn)品陣容新增高效MOS智能功率模塊

　　全球知名半導體制造商ROHM開(kāi)發(fā)出滿(mǎn)足家電產(chǎn)品和工業(yè)設備等的小容量電機低功耗化需求的高效MOS-IPM(Intelligent Power Module)“BM65364S-VA/-VC(額定電流15A、耐壓600V)”，產(chǎn)品陣容更加豐富。

　　此次開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品搭載了ROHM生產(chǎn)的低導通電阻MOSFET“PrestoMOSTM”，而且還利用了ROHM獨有的LSI控制技術(shù)，使在低電流范圍的損耗比以往的IGBT-IPM降低約43%。通過(guò)實(shí)現業(yè)界頂級的低功耗化，不僅有助于應用實(shí)現進(jìn)一步節能化，還能通過(guò)IPM產(chǎn)品的解決方案降低設計負擔。

　　本產(chǎn)品已經(jīng)開(kāi)始出售樣品，預計于2015年8月份開(kāi)始以月產(chǎn)3萬(wàn)片的規模投入量產(chǎn)。前期工序的生產(chǎn)基地為ROHM濱松株式會(huì )社(靜岡縣)、ROHM Apollo Co., Ltd.(福岡縣)、ROHM Wako Co., Ltd.(岡山縣)，后期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰國)。

　　<背景>

　　近年來(lái)，節能化趨勢日益加速，在這個(gè)大背景下，隨著(zhù)日本節能法的修訂，家電產(chǎn)品傾向于采用更接近實(shí)際使用情況的能效標識APF(Annual Performance Factor)，不再僅僅關(guān)注功率負載較大的設備啟動(dòng)時(shí)和額定條件下的節能，要求負載較小的正常運轉時(shí)更節能的趨勢日益高漲。

　　而為了減輕這種節能家電的設計負擔，較標準的做法是采用將建構系統所需的功率元器件和控制IC等集成于單芯片化的IPM。

　　<新產(chǎn)品詳情>

　　此次ROHM通過(guò)采用以往的MOSFET很難實(shí)現的可支持更大電流的自產(chǎn)PrestoMOSTM，大大降低導通損耗，實(shí)現了IPM的產(chǎn)品化。不僅如此，還通過(guò)融合ROHM獨家擁有的柵極驅動(dòng)器電路技術(shù)，使在低電流范圍的損耗相比IGBT-IPM降低約43%。業(yè)界頂級的低功耗，非常有助于應用整體實(shí)現進(jìn)一步節能。

　　另外，還通過(guò)ROHM獨有的電路與封裝技術(shù)，確立了構建變頻器所需的各種元器件的綜合可靠性，實(shí)現IPM化，還有助于減輕系統的設計負擔。

　　因為所搭載的芯片全部為ROHM的生產(chǎn)，因此不僅可以提供高品質(zhì)的產(chǎn)品，還沒(méi)有供貨方面的擔憂(yōu)，客戶(hù)可安心使用。

　　<特點(diǎn)>

　　1.采用可支持大電流的PrestoMOSTM，實(shí)現節能

　　現在，以家庭內功耗比率較高的空調變頻器為首，需要支持大電流的設備中一般都會(huì )使用IGBT-IPM，但旨在使設備實(shí)現更高效率的努力從未停止。

　　一般MOSFET具有在高速開(kāi)關(guān)條件下和低電流范圍內的導通損耗較低的優(yōu)勢，具有降低設備正常運轉時(shí)的功耗的效果。通過(guò)開(kāi)發(fā)出可支持大電流的MOS-IPM，可使設備正常運轉時(shí)更加節能。

　　2.通過(guò)搭載使用了ROHM獨有的電路技術(shù)的柵極

　　驅動(dòng)器LSI，實(shí)現高效化

　　采用PrestoMOSTM，并利用ROHM獨創(chuàng )的柵極驅動(dòng)器電路技術(shù)，通過(guò)導入ROHM獨有的柵極驅動(dòng)電路，實(shí)現了IPM產(chǎn)品進(jìn)一步的高效化。例如，通過(guò)導入防止高電壓條件下高速開(kāi)關(guān)動(dòng)作容易產(chǎn)生的MOSFET誤動(dòng)作的電路，實(shí)現高速開(kāi)關(guān)動(dòng)作，并且可以降低開(kāi)關(guān)損耗。而且，考慮到開(kāi)關(guān)時(shí)產(chǎn)生的噪音，還優(yōu)化了開(kāi)關(guān)損耗和噪音的平衡關(guān)系，使可最大限度充分發(fā)揮PrestoMOSTM性能的柵極驅動(dòng)成為現實(shí)。

　　3.通過(guò)IPM化，減輕高效系統的設計負擔

　　采用ROHM獨創(chuàng )的高散熱封裝技術(shù)將構建變頻器系統所需的柵極驅動(dòng)器和組成變頻器部分的MOSFET一體化封裝。

　　另外，本產(chǎn)品在優(yōu)化了功率元器件驅動(dòng)的同時(shí)，為使客戶(hù)安心使用，還搭載了各種重要的保護功能，從而可減輕客戶(hù)的設計負擔。

　　<術(shù)語(yǔ)解說(shuō)>

　　?IPM(Intelligent Power Module)

　　將功率元器件以及具有控制它們的功能的元器件(IC等)模塊化的產(chǎn)品。

　　?PrestoMOSTM

　　低導通電阻、低Qg、實(shí)現內部二極管的高速trr的ROHM生產(chǎn)的 MOSFET系列產(chǎn)品之一。

　　?IGBT(Insulated-Gate Bipolar Transistors)

　　與MOSFET一樣，是通過(guò)向柵極施加電壓進(jìn)行控制的元器件，也是利用雙極晶體管的高耐壓、低導通電阻特點(diǎn)的元器件。

　　?APF(Annual Performance Factor)

　　全年使用家用空調時(shí)的能效比。數值越大節能性能越好。