一種軟啟動(dòng)與防反接保護電路

　　4.1.2. 二極管橋防反接保護電路

　　此方式是從二極管防反接電路演變而來(lái)的，電路圖見(jiàn)圖6。

　　此電路中利用二極管構成二極管橋堆，輸入電壓極性無(wú)論如何變化，輸出電壓的極性保持不變，即便是輸入電壓極性接反，設備也能正常工作。從工作原理看，相當于電源輸入的兩個(gè)極性上均接有防反接二極管，故其比單個(gè)二極管防反接電路的效率低，成本稍高。需要注意輸入輸出的參考地不相同。

　　4.2 MOSFET防反接保護電路

　　利用MOSFET設計防反接保護，也分為P溝道與N溝道兩種，下面分別介紹：

　　4.2.1 N溝道MOSFET防反接電路

　　利用N溝道MOSFET設計的防反接保護電路，電路圖見(jiàn)圖7。

　　當輸入電壓正常接入時(shí)，電流從輸入正極流入，流經(jīng)電阻R1、R2，經(jīng)過(guò)Q1的體二極管流回輸入端。Q1柵極源極之間電壓即為電阻R2上的分壓，選擇適當的R1、R2值，滿(mǎn)足Q1飽和導通。當輸入電壓極性接反時(shí)，Q1的體二極管反向截止，由于沒(méi)有電流回路，柵極源極之間電壓無(wú)偏置電壓，Q1不能導通，輸出端無(wú)電壓輸出，設備不工作。需要注意兩點(diǎn)：Q1的體二極管參與電阻R1、R2的分壓;輸入輸出的參考地不相同。

　　4.2.2 P溝道MOSFET防反接電路

　　利用P溝道MOSFET設計的防反接保護電路，電路圖見(jiàn)圖8。

　　當輸入電壓正常接入時(shí)，電流從輸入正極流入，流經(jīng)Q1體二極管，經(jīng)過(guò)R1、R2流回輸入端。Q1上柵極源極之間電壓即為R1的分壓，選擇適當的R1、R2值，Q1最終工作在飽和狀態(tài)。當輸入極性接反時(shí)，由于Q1的體二極管截止，無(wú)電流回路，柵極源極之間電壓無(wú)電壓偏置，Q1不能導通。需要注意，Q1的體二極管參與電阻R1、R2的分壓。

　　5 一種軟啟動(dòng)與防反接電路

　　實(shí)際應用中經(jīng)常需要同時(shí)使用軟啟動(dòng)與防反接保護，可以考慮將兩種保護電路整合在一起，下面給出一種整合方式供大家參考，分為N溝道MOSFET與P溝道MOSFET兩種。

　　5.1 N溝道MOSFET整合

　　N溝道MOSFET整合后的軟啟動(dòng)與防反接保護電路，電路圖見(jiàn)圖9。