一種軟啟動(dòng)與防反接保護電路

　　2.3.1 用N溝道MOSFET設計的軟啟動(dòng)電路

　　利用N溝道MOSFET設計的軟啟電路，電路圖見(jiàn)圖3。

　　工作原理：當輸入上電時(shí)，由于C1的電壓不能突變，輸入電壓通過(guò)R1對C1進(jìn)行充電，充電時(shí)間由R1與C1共同決定，最終C1電壓達到R2上的分壓。C1上的電壓也即是Q1的柵極源極之間(N溝道MOSFET的導通條件為柵極電壓高于源極電壓)的電壓，電壓是從零開(kāi)始，Q1的工作狀態(tài)也即是從截止區^[4]到恒阻區^[4]，再從恒阻區到飽和區^[4]，在恒阻區時(shí)能起到很好的軟啟動(dòng)作用，最終的飽和區導通電阻很小，其耗散功率可以忽略。利用N溝道MOSFET做軟啟動(dòng)比較常見(jiàn)，N溝道MOSFET的價(jià)格較便宜，此電路的輸入與輸出的參考地不同(相差很小)，實(shí)際應用中需要注意。

　　2.3.2 用P溝道MOSFET設計的軟啟動(dòng)電路

　　利用P溝道MOSFET設計的軟啟電路，電路圖見(jiàn)圖4。

　　工作原理：當輸入上電時(shí)，由于C1的電壓不能突變，輸入電壓通過(guò)R2對C1進(jìn)行充電，充電時(shí)間由R2與C1共同決定，最終C1電壓達到R1上的分壓。C1上的電壓也即是Q1的柵極源極之間(P溝道MOSFET的導通條件為柵極電壓低于源極電壓)的電壓，電壓是從零開(kāi)始，Q1的工作狀態(tài)也即是從截止區^[4]到恒阻區^[4]，再從恒阻區到飽和區^[4]，在恒阻區時(shí)能起到很好的軟啟動(dòng)作用，最終的飽和區的導通電阻很小，其耗散功率可以忽略。利用P溝道MOSFET設計的軟啟動(dòng)電路，輸入輸出的參考地相同，相同性能的P溝道MOSFET相對N溝道的MOSFET的價(jià)格稍高。

　　3 防反接電路的作用

　　由于直流電輸入是有極性的，如果用戶(hù)將電源極性接反時(shí)，可能會(huì )損壞設備。故在多數的直流輸入設備中，均會(huì )設計防反接保護電路。

　　4 防反接電路

　　常見(jiàn)防反接電路有以下幾種：

　　4.1 二極管防反接保護

　　二極管防反接電路有以下兩種：

　　4.1.1 單二極管防反接保護電路

　　此方式的防反接電路應用較廣泛，利用二極管單向導通的特性來(lái)防反接。主要是在高電壓、低電流的電路中，電路圖見(jiàn)圖5。

　　此處使用的二極管D1可以是普通的二極管，但結電壓一般在0.7伏^[4]左右。如果對效率較敏感，可以使用肖特基二極管，其結電壓一般在0.3伏^[4]左右，但是價(jià)格稍高。此電路的優(yōu)點(diǎn)是電路極其簡(jiǎn)單、可靠性高，缺點(diǎn)是耗散功率較大。