德州儀器推出NexFET? N溝道功率MOSFET 可實(shí)現業(yè)界最低電阻

　　日前，德州儀器 (TI) 推出其N(xiāo)exFET™ 產(chǎn)品線(xiàn)11款新型N溝道功率MOSFET，其中包括具有業(yè)界最低導通電阻并采用QFN 封裝的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B，可應用于熱插拔和ORing應用。此外，TI面向低電壓電池供電型應用的新型12-V FemtoFET™ CSD13383F4在采用0.6 mm x 1mm纖巧型封裝的情況下實(shí)現了比同類(lèi)競爭器件低84% 的極低電阻。如需獲取更多信息、樣片或參考設計，敬請訪(fǎng)問(wèn)：www.ti.com.cn/csd16570q5b-pr-cn。

　　CSD16570Q5B和CSD17570Q5B NexFET MOSFET可在較高電流條件下提供較高的電源轉換效率，同時(shí)在計算機服務(wù)器和電信應用中確保安全的運作。例如：25-V CSD16570Q5B 支持0.59 mΩ的最大導通電阻，而30-V CSD17570Q5B 則實(shí)現了0.69 mΩ 的最大導通電阻。請下載閱讀一款采用 TI CSD17570Q5B NexFET的12V、60A熱插拔參考設計，來(lái)進(jìn)一步進(jìn)行了解。

　　TI 的新型 CSD17573Q5B和CSD17577Q5A可與面向DC/DC控制器應用的LM27403配合使用，從而構成一套完整的同步降壓型轉換器解決方案。CSD16570Q5B 和 CSD17570Q5B NexFET功率MOSFET則可與諸如TPS24720等TI熱插拔控制器配套使用。閱讀 《穩健可靠的熱插拔設計》，可進(jìn)一步了解如何將一個(gè)晶體管選用為傳輸元件，以及怎樣在所有可能的情況下確保安全運作。

　　如下是TI 推出具有業(yè)界最低導通電阻的NexFET™ N溝道功率MOSFE。

　　新型 NexFET 產(chǎn)品及主要特點(diǎn)

　　供貨情況、封裝和價(jià)格

　　目前，FemtoFET CSD13383F4 以及 CSD17670Q5B 和 CSD17570Q5B 產(chǎn)品可通過(guò) TI 及其授權分銷(xiāo)商批量采購。