北美稱(chēng)半導體市場(chǎng)未來(lái)翻倍增長(cháng) 氮化鎵需求增長(cháng)

　　半導體產(chǎn)業(yè)是整個(gè)電子信息產(chǎn)業(yè)鏈中最關(guān)鍵的產(chǎn)業(yè)之一，它為集成芯片產(chǎn)業(yè)、LED產(chǎn)業(yè)、光伏產(chǎn)業(yè)等產(chǎn)業(yè)提供關(guān)鍵性基礎材料，對整個(gè)電子信息產(chǎn)業(yè)影響巨大。上世紀中葉，單晶硅和半導體晶體管的發(fā)明及其硅集成電路的研制成功，引發(fā)了第三次技術(shù)革命;上世紀70年代初石英光導纖維材料和GaAs激光器的發(fā)明，促進(jìn)了光纖通信技術(shù)迅速發(fā)展并逐步形成了高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)，使人類(lèi)進(jìn)入了信息時(shí)代。

　　半導體產(chǎn)品廣泛應用在電子工業(yè)和微電子工業(yè)中，用來(lái)制作各種晶體管、集成電路、固態(tài)激光器等各種精密原器件。

　　有業(yè)內資深專(zhuān)家表示：半導體材料大致可以分為三代。第一代半導體是硅;第二代半導體是以砷化鎵為代表;第三代半導體以氮化鎵為代表，它在電和光的轉化方面性能突出，在微波信號傳輸方面的效率更高，所以可以被廣泛應用到照明、顯示、通訊等各大領(lǐng)域。

　　現在LED盛行的風(fēng)潮下，氮化鎵首先作為半導體發(fā)光二極管在LED照明產(chǎn)業(yè)取得重大突破，這也極大帶動(dòng)了金屬鎵的消費。目前LED氮化鎵芯片通常是基于藍寶石或碳化硅襯底晶片。這種襯底LED芯片存在很大的缺陷，如果采用氮化鎵晶片作為襯底，不但可以有效解決發(fā)光時(shí)的散熱問(wèn)題，還能使單位面積亮度提升10倍。2014年諾貝爾物理學(xué)獎得主中村修二指出，GaN on GaN LED技術(shù)將在不遠的將來(lái)取代現有的第一代LED技術(shù)成為L(cháng)ED發(fā)展的主流，而GaN襯底將成為L(cháng)ED行業(yè)最終選擇的襯底。隨著(zhù)氮化鎵晶片的價(jià)格逐年下降， 氮化鎵襯底在半導體照明的應用市場(chǎng)將一發(fā)不可收，氮化鎵的消費將成倍增長(cháng)。

　　除了LED 照明，電子光電器件是其另一個(gè)主要的應用市場(chǎng)。目前，氮化鎵(GaN)正在成為半導體RF功率器件的主流工藝技術(shù)。在一些軍事應用和微波通訊領(lǐng)域被廣泛應用。根據美國戰略分析部分公布的報告稱(chēng)，受軍事早期報警，監察，火控雷達方面市場(chǎng)的帶動(dòng)，氮化鎵需求增強。

　　北美戰略分析部門(mén)一負責人在談到2013-2023年的氮化鎵發(fā)展趨勢中稱(chēng)，10年期間，相關(guān)的半導體和其他器件市場(chǎng)將從12億美元上漲到21億美元，其中氮化鎵的技術(shù)逐漸成熟，復合增長(cháng)率在26.4%，在所有的雷達系統都有所應用。

　　氮化鎵是迄今理論上電光、光電轉換效率最高的材料體系，并可以成為制備寬波譜、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件的關(guān)鍵基礎材料。半導體的未來(lái)屬于氮化鎵，氮化鎵前景一片光明。

　　氮化鎵由稀有金屬鎵和氮氣制成，中國是全球最大的金屬鎵生產(chǎn)國，金屬鎵年產(chǎn)量超過(guò)300噸/年，但中國的金屬鎵行業(yè)大而不強，大量金屬鎵作為初級產(chǎn)品出口，據海關(guān)數據顯示僅今年1-10月份中國出口金屬鎵就超過(guò)了100噸，價(jià)格卻一路走低，部分鎵生產(chǎn)企業(yè)持續虧損。

　　泛亞有色金屬交易所作為全球最大的稀有金屬交易所，目前已經(jīng)開(kāi)展了金屬鎵的現貨交易，這將極大地促進(jìn)我國金屬鎵行業(yè)的健康發(fā)展，幫助我國獲得金屬鎵的定價(jià)權。