瑞薩科技宣布開(kāi)發(fā)出superSRAM
下面總結了這種技術(shù)和產(chǎn)品的主要性能。
(1)很高的軟錯誤容錯性
與瑞薩科技先前的0.13 μm工藝16M位小功率SRAM(沒(méi)有ECC電路*3)相比,軟錯誤率大約減小了4個(gè)數位,這是通過(guò)在每個(gè)存儲單元的存儲節點(diǎn)*5上使用DRAM單元中使用的那種圓柱電容器*4來(lái)實(shí)現的。α射線(xiàn)輻射實(shí)驗證實(shí),這種產(chǎn)品首次實(shí)現了SRAM中沒(méi)有由軟錯誤引起的位錯誤。
軟錯誤容錯率問(wèn)題這一常規 SRAM存在的基本問(wèn)題,已經(jīng)得到解決,可以實(shí)現更高可靠性、更高密度的SRAM。
(2)在業(yè)界0.15 μm工藝SRAM產(chǎn)品中,它具有最小的存儲器元件尺寸。
通過(guò)將使用TFT*6的SRAM單元與DRAM電容器組合起來(lái),開(kāi)發(fā)出的新型單元,在業(yè)界0.15 μm工藝SRAM產(chǎn)品中,具有最小的存儲器元件尺寸:0.98 μm2。其單元尺寸,比瑞薩科技目前的基于CMOS 0.15 μm工藝的SRAM小一半多。它可以大大減小芯片尺寸、使移動(dòng)設備更小巧。
另外,數據保持電流可以達到小于1 μA。與使用DRAM存儲單元的贗SRAM不同,新型SRAM單元不需要刷新操作。與贗SRAM相比,數據保持電流大約提高了2位數,用于更低功耗的移動(dòng)應用。
(3)可以使用現有的0.15 μm工藝制造。
不需要使用特殊的工藝,就可以實(shí)現更高的性能和更小的元件面積??梢允褂矛F有的工藝技術(shù)制造,從而可以盡快地將產(chǎn)品投放市場(chǎng)
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