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瑞薩科技宣布開(kāi)發(fā)出superSRAM

作者:電子設計應用 時(shí)間:2004-07-14 來(lái)源:電子設計應用 收藏
通過(guò)開(kāi)發(fā)新型存儲單元,并將SRAM單元與DRAM電容器技術(shù)相結合,公司開(kāi)發(fā)出了業(yè)界第一個(gè)實(shí)際上沒(méi)有軟錯誤*1的SRAM,稱(chēng)作“superSRAM”。這種新型SRAM將投入商業(yè)性生產(chǎn),并用于移動(dòng)應用中的16M位小功率SRAM。在6月17日(當地時(shí)間)于美國夏威夷舉行的2004 VLSI技術(shù)研討會(huì )*2上,將介紹這種產(chǎn)品的詳細情況。

下面總結了這種技術(shù)和產(chǎn)品的主要性能。

(1)很高的軟錯誤容錯性
先前的0.13 μm工藝16M位小功率SRAM(沒(méi)有ECC電路*3)相比,軟錯誤率大約減小了4個(gè)數位,這是通過(guò)在每個(gè)存儲單元的存儲節點(diǎn)*5上使用DRAM單元中使用的那種圓柱電容器*4來(lái)實(shí)現的。α射線(xiàn)輻射實(shí)驗證實(shí),這種產(chǎn)品首次實(shí)現了SRAM中沒(méi)有由軟錯誤引起的位錯誤。

軟錯誤容錯率問(wèn)題這一常規 SRAM存在的基本問(wèn)題,已經(jīng)得到解決,可以實(shí)現更高可靠性、更高密度的SRAM。

(2)在業(yè)界0.15 μm工藝SRAM產(chǎn)品中,它具有最小的元件尺寸。
通過(guò)將使用TFT*6的SRAM單元與DRAM電容器組合起來(lái),開(kāi)發(fā)出的新型單元,在業(yè)界0.15 μm工藝SRAM產(chǎn)品中,具有最小的元件尺寸:0.98 μm2。其單元尺寸,比目前的基于CMOS 0.15 μm工藝的SRAM小一半多。它可以大大減小芯片尺寸、使移動(dòng)設備更小巧。

另外,數據保持電流可以達到小于1 μA。與使用DRAM存儲單元的贗SRAM不同,新型SRAM單元不需要刷新操作。與贗SRAM相比,數據保持電流大約提高了2位數,用于更低功耗的移動(dòng)應用。

(3)可以使用現有的0.15 μm工藝制造。
不需要使用特殊的工藝,就可以實(shí)現更高的性能和更小的元件面積??梢允褂矛F有的工藝技術(shù)制造,從而可以盡快地將產(chǎn)品投放市場(chǎng)



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