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大功率寬帶射頻脈沖功率放大器設計

作者: 時(shí)間:2014-11-23 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò ) 收藏

  1.2 電路板(PCB)和傳輸線(xiàn)變壓器設計

本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/265798.htm

  為保證整個(gè)頻帶內信號放大的一致性,降低雜波和諧波的影響,寬頻帶高功率射頻放大器采用了AB類(lèi)功率放大,以保證電路的對稱(chēng)性。在設計PCB時(shí),盡量保證銅膜走線(xiàn)的形式對稱(chēng),長(cháng)度相同。為便于PcB板介電常數的選取,整個(gè)PCB板為鉛錫光板。在信號輸入和輸出端使用了Smith圓圖軟件計算和仿真銅膜走線(xiàn)的形狀、尺寸,以確保阻抗特性良好匹配。

  設計中的關(guān)鍵技術(shù)之一就是傳輸線(xiàn)變壓器的設計和制作。利用傳輸線(xiàn)阻抗變換器可以完成信號源與功率管輸入端或輸出端之間的阻抗匹配??梢宰畲笙薅鹊乩霉茏颖旧淼膸挐撃?。傳輸線(xiàn)變壓器在設計使用上有兩點(diǎn)必須注意:一是源阻抗、負載阻抗和傳輸線(xiàn)阻抗的匹配關(guān)系;二是輸入端和輸出端必須滿(mǎn)足規定的連接及接地方式。由于設計中采用了AB類(lèi)功率放大方式,因此初級線(xiàn)圈的輸入與次級線(xiàn)圈的輸出要盡可能保證對稱(chēng)。設計中一共使用了T1、T2、T3、T4 4個(gè)傳輸線(xiàn)變壓器。在前兩級功率放大時(shí),T1和T2的次級線(xiàn)圈都是一圈,T3的次級線(xiàn)圈是二圈,這是因為磁材料的飽和經(jīng)常發(fā)生在低頻端,增加T3的初、次級線(xiàn)圈數,有利于改善低頻端性能。T1、T2、T3使用同軸線(xiàn)SFF-1.5-1的芯線(xiàn)作為初級線(xiàn)圈傳輸線(xiàn),次級線(xiàn)圈采用銅箔材料設計,使用厚度為O.8mm的銅箔。T4為進(jìn)口外購的高功率傳輸線(xiàn)變壓器(型號:RF2067-3R)。設計的T1如圖2所示。

  

 

  圖2中深色區域代表覆銅區域。銅箔管首先穿過(guò)磁環(huán)后再穿過(guò)兩端的銅膜板并焊接在一起,完成次級線(xiàn)圈。T2的設計基本與Tl相似,只是使用同軸線(xiàn)SFF-1.5-l的芯線(xiàn)纏繞的初級線(xiàn)圈圈數不同而已。

  73次級線(xiàn)圈的制作有些變化,目的是加強低頻信號的通過(guò)程度。不使用銅箔管,而使用銅箔彎曲成弧形。如圖3所示。

  

 

  在每個(gè)磁環(huán)孔中穿過(guò)兩個(gè)銅箔片,分別與兩端的銅膜板焊接,這樣整個(gè)線(xiàn)圈的次級線(xiàn)圈就是兩圈,然后根據阻抗比完成初級線(xiàn)圈的纏繞。這樣做的目的是在固定的阻抗比的情況下增加初、次級的圈數以改善放大器的低頻特性。

  1.3 散熱設計

  凡是射頻功率放大,其輸出功率很大,管子的功耗也大,發(fā)熱量非常高,因此必須對管子散熱。根據每一級管子的功耗PD以及管子的熱特性指標,這些熱指標包括器件管芯傳到器件外殼的熱阻ROJC,器件允許的結溫為T(mén)1、工作環(huán)境溫度為T(mén)A等,可以計算出需要使用的散熱材料的 尺寸大小和種類(lèi)。本設計中,器件的工作環(huán)境溫度為55℃,使用的鋁質(zhì)散熱片尺寸為290mm×110mm×35mm,而且需要使用直流風(fēng)機對最后一級進(jìn)行散熱處理。

  2 脈沖的組裝和調試

  設計中使用的放大管全是,由于其抗靜電性能非常差,稍不留神就會(huì )因為焊接設備上的靜電把管子燒壞,尤其是最后一級的大功率MOSFET(MRFl57),因此管子安裝時(shí)要特別小心。設計電路前,可以使用Multisim軟件或Pspice軟件中的器件模型來(lái)熟悉IRFSIO和IRF530的使用。

  電路開(kāi)始調試時(shí),可以先不對最后一級的MOSFETMRFl57進(jìn)行偏置電壓設置。先通過(guò)測試前兩級的放大效果來(lái)設定MRF157的靜態(tài)工作點(diǎn),測試得到的前兩級信號放大結果為100V Vp-p(高阻輸入)左右。調試時(shí)每個(gè)管子的工作點(diǎn)電壓不要太高,略高于開(kāi)啟電壓VC(TH)即可。在電源端一定要監視工作電流,防止電流過(guò)大。通過(guò)微調每個(gè)管子柵極端的變壓器調整靜態(tài)工作點(diǎn),以求盡量減少波形失真。此時(shí)可以使用示波器監控波形輸出。根據對前兩級電路調試的實(shí)際結果來(lái)看,第一級主要對放大后的幅度有影響,而第二級則影響了放大后的波形。

  調試最后一級功率放大時(shí),由于MRFl57太過(guò)昂貴,一定要非常謹慎。每次調試時(shí),盡可能先設置好每個(gè)管子的靜態(tài)工作電壓,不要動(dòng)態(tài)改變靜態(tài)工作點(diǎn)。終端接入5011大功率同軸衰減器后輸入到頻譜分析儀中。通過(guò)頻譜分析儀的頻域波形可以得到輸出功率,以及諧波分量。

  本文所設計的寬頻帶大在實(shí)驗室環(huán)境下完成了組裝和測試,并長(cháng)時(shí)間與發(fā)射線(xiàn)圈進(jìn)行了聯(lián)試。試驗及實(shí)用表明,該放大器運行正常,工作可靠,能夠完成寬頻帶射頻脈沖的大功率放大,滿(mǎn)足了設計要求,對在該頻段下工作的某探測設備起了很大作用,效果良好。

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關(guān)鍵詞: 功率放大器 MOSFET

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