賽普拉斯為其領(lǐng)先業(yè)界的高容量F-RAM產(chǎn)品線(xiàn)增添新的封裝方式和溫度范圍選項

　　賽普拉斯半導體公司日前宣布，其鐵電隨機存取存儲器(F-RAM™)產(chǎn)品系列中的1Mb并行異步接口F-RAM增加44-pin TSOPII封裝方式，其2 Mb串行外設接口(SPI)F-RAM的溫度范圍擴展為-40?C 至 +105?C。

　　新封裝方式可在替代標準的電池供電的SRAM時(shí)實(shí)現管腳兼容，應用于工業(yè)自動(dòng)化、計算、網(wǎng)絡(luò )和汽車(chē)電子應用中的關(guān)鍵任務(wù)系統中。F-RAM與生俱來(lái)的非易失性可以實(shí)現瞬間數據捕獲，無(wú)需電池即可實(shí)現長(cháng)達百年的保存時(shí)間。棄用電池可以降低系統成本和復雜性。2 Mb SPI F-RAM擴展溫度范圍則是為了適應很多高性能應用中的嚴苛工作條件。

　　賽普拉斯非易失性產(chǎn)品事業(yè)部高級總監Rainer Hoehler說(shuō)：“賽普拉斯可提供業(yè)界最快、能效最高的非易失性RAM解決方案，并且我們致力于不斷擴充我們的產(chǎn)品線(xiàn)。我們很高興為我們的F-RAM客戶(hù)提供這些新的封裝和擴展溫度范圍的產(chǎn)品。”

　　供貨情況

　　44-pin TSOPII 封裝的1 Mb并行異步接口F-RAM器件，以及-40?C 至 +105?C擴展溫度范圍、8-pin TDFN 封裝的2 Mb SPI F-RAM均將于2014年9月供貨。