手機內存新革命:LPDDR4標準正式發(fā)布
經(jīng)過(guò)多年的籌劃,JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì )今天正式發(fā)布了新一代低功耗內存標準LPDDR4(LowPowerDoubleDataRate4),規范編號“JESD209-4”。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/262246.htm
LPDDR4內存主要面向智能手機、平板機、超薄筆記本等移動(dòng)類(lèi)設備。和針對桌面、筆記本、服務(wù)器的DDR4內存一樣,它也致力于提升頻率、性能和吞吐能力,最高可達4266MHz,兩倍于DDR3/LPDDR3。
不過(guò)這只是遠期目標,目前的規范中最高為3200MHz(DDR4也是這個(gè)),但即便如此也要比LPDDR3-2133快了整整一半。
為了達到如此高的頻率,LPDDR4的架構經(jīng)過(guò)了徹底重新設計,從單通道Die、每通道16-bit進(jìn)化到了雙通道Die、每通道16-bit,也就是總的位寬翻番為32-bit。
雙通道設計大大減少了數據信號從內存陣列到I/O接口的傳輸距離,直接降低了功耗,還允許時(shí)鐘、地址總線(xiàn)和數據總線(xiàn)組合在一起。
說(shuō)起功耗,LPDDR4的運行電壓已經(jīng)從上代的1.2V降低至1.1V(DDR41.2V),并特別設計了在超大頻率范圍內的高效率運行。信號電壓為367mV或者440mV。
JEDECJC-42.6工作委員會(huì )主席HungVuong激動(dòng)地表示:“LPDDR3只是在LPDDR2基礎上的一次進(jìn)化,LPDDR4的架構則是完全不同的。”
其實(shí)早在2013年初,LPDDR3尚未投入實(shí)用之時(shí),LPDDR4內存的制定工作就已經(jīng)進(jìn)入了關(guān)鍵階段。去年底到今年初,三星、海力士、美光等先后曝光了自己的LPDDR4內存樣品。
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