中國第一顆55納米智能卡芯片問(wèn)世

　　中芯國際集成電路制造有限公司與北京中電華大電子設計有限責任公司(“華大電子”)共同宣布，華大電子推出中國第一顆55納米智能卡芯片，該芯片采用中芯國際55納米低功耗(LL)嵌入式閃存(eFlash)平臺，具有尺寸小、功耗低、性能高的特點(diǎn)，目前已實(shí)現量產(chǎn)供貨，其優(yōu)良性能得到客戶(hù)的廣泛認可。

　　中芯國際的55納米低功耗嵌入式閃存平臺，可為智能卡芯片客戶(hù)提供一個(gè)兼具高性能和低成本的解決方案。該平臺具有完全的邏輯兼容性，所有1.2V邏輯庫IP皆可用于此嵌入式平臺;采用邏輯電壓更低的1.2V核心器件，可在最大程度上降低芯片功耗，提升產(chǎn)品性能;后段采用銅制程，由于銅的電遷移性可造成電阻性的改良，使現有設計能夠采用較高的電流密度，造就更佳的性能與可靠性;芯片面積有大幅縮減，更小的尺寸使大型閃存應用成為可能;隨著(zhù)閃存單元的持續縮減，芯片面積將進(jìn)一步優(yōu)化，實(shí)現成本效益。目前，該技術(shù)平臺已通過(guò)產(chǎn)品可靠性測試，能夠滿(mǎn)足標準智能卡的應用需求?；诖似脚_，華大電子成功地將中國第一款基于55納米先進(jìn)工藝的智能卡芯片推向市場(chǎng)。

　　“華大電子始終致力于對新技術(shù)和新應用的探索，包括基于55納米工藝的模擬電路設計技術(shù)和系統設計技術(shù)，以及12英寸晶圓測試和減劃技術(shù)等，并將研究成果應用于產(chǎn)品開(kāi)發(fā)，快速實(shí)現新產(chǎn)品的上市。”華大電子總經(jīng)理董浩然表示，“此次與中芯國際在55納米智能卡芯片方面的成功合作，進(jìn)一步鞏固了華大電子在國內該領(lǐng)域的領(lǐng)導地位，同時(shí)讓我們看到中芯國際在推動(dòng)先進(jìn)工藝發(fā)展方面所作的努力，其穩定和完整的工藝平臺給我們留下了深刻的印象，相信通過(guò)我們共同的努力可以為客戶(hù)提供低成本、低功耗、高可靠性和耐久性的產(chǎn)品。”

　　“中芯國際一直專(zhuān)注于為客戶(hù)提供差異化產(chǎn)品和高品質(zhì)的制造服務(wù)，并憑借先進(jìn)的工藝技術(shù)提供高度整合的平臺及高效能的解決方案，以更好地滿(mǎn)足客戶(hù)需求。”中芯國際首席執行官兼執行董事邱慈云博士表示，“華大電子是中國智能卡芯片技術(shù)的推動(dòng)者，我們很高興能夠成為其合作伙伴并幫助其推出領(lǐng)先的智能卡芯片產(chǎn)品。當前中國智能卡市場(chǎng)發(fā)展迅速，中芯國際將繼續深化與華大電子的合作，共同開(kāi)拓市場(chǎng)，以先進(jìn)的工藝平臺和完善的服務(wù)幫助客戶(hù)贏(yíng)得更多的市場(chǎng)份額。”