不可或缺的射頻測試
問(wèn)題之一是對于超薄介質(zhì),由于存在大的漏電和非線(xiàn)性,通過(guò)標準I-V和C-V測試不能直接提取氧化層電容(Cox)。然而,使用高頻電路模型則能夠精確提取這些參數。隨著(zhù)業(yè)界邁向65nm及以下的節點(diǎn),對于高性能/低成本數字電路,RF電路,以及模擬/數?;旌想娐分械钠骷?,這方面的挑戰也在增加。
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減少使用RF技術(shù)的建議是在以下特定的假設下提出來(lái): 假設RF技術(shù)不能有效地應用,尤其是在生產(chǎn)的環(huán)境下,這在過(guò)去的確一直是這種情況。
但是,現在新的參數測試系統能夠快速、準確、可重復地提取RF參數,幾乎和DC測試一樣容易。最重要的是,通過(guò)自動(dòng)校準、去除處理(de-embedding)以及根據待測器件(DUT)特性進(jìn)行參數提取,探針接觸特性的自動(dòng)調整,已經(jīng)能夠實(shí)現RF的完整測試。這方面的發(fā)展使得不必需要RF專(zhuān)家來(lái)保證得到好的測試結果。在生產(chǎn)實(shí)驗室,根據中間測試結果或者操作需要,自動(dòng)探針臺和測試控制儀能夠完成過(guò)去需要人為干涉的事情。世界范圍內,已經(jīng)有7家半導體公司驗證了這種用于晶圓RF生產(chǎn)測試的系統。
RF測試的應用
無(wú)論你是利用III-V簇晶圓生產(chǎn)用于手機配件的RF芯片,還是利用硅技術(shù)生產(chǎn)高性能模擬電路,在研發(fā)和生產(chǎn)中預測最終產(chǎn)品的性能和可靠性,都需要晶圓級RF散射參數(s)的測量。這些測試對DC數據是重要的補充,相對于單純的DC測試,它用更少的測試卻能提供明顯更多的信息。實(shí)際上,一個(gè)兩通道的s參數掃描能同時(shí)提取阻抗和電容參數,而采用常規DC方法,則需要分開(kāi)測試,甚至需要單獨的結構以分離工藝控制需要的信息。
功放RF芯片的功能測試是這種性能的另外一種應用。這些器件非常復雜,然而價(jià)格波動(dòng)大。生產(chǎn)中高頻低壓的測試條件排除了通常阻礙晶圓級測試的功耗問(wèn)題。也不存在次品器件昂貴的封裝費用。已知良品芯片技術(shù)也可以應用于晶圓級測試中,它能夠明顯改進(jìn)使用RF芯片的模塊的良率。
芯片制造商也可以利用晶圓級RF測試來(lái)提取各種高性能模擬和無(wú)線(xiàn)電路的品質(zhì)因數。比如濾波器、混頻器以及振蕩器。SoC(System-on-chip)器件制造商希望這種子電路測試技術(shù)能夠降低總體的測試成本。
130nm節點(diǎn)以下的高性能邏輯器件中,表征薄SiO2和高介電常數(high-k)柵介質(zhì)的等效氧化層厚度(EOT)非常關(guān)鍵。RF測試在介電層的精確建模方面扮演了重要角色,它能夠去除掉寄生元件,而這種寄生效應在傳統的二元模型中將阻礙C-V數據的正確表示。中高頻 (MFCV, HFCV) 電容測量技術(shù)不可能因為儀器而對測試引入串聯(lián)阻抗。
標準I-V/C-V測試面臨的挑戰
產(chǎn)品研發(fā)階段的設計工程師采用的仿真模型,包括從s參數數據提取的RF參數和I-V/C-V數據。先進(jìn)的設計工具要求的是統計模型,不是單個(gè)的一套參數。這使得良率和功能特性的最優(yōu)化成為可能。如果I-V和C-V參數基于統計結果,而RF不是的話(huà),那么這個(gè)模型就是非物理的和不可靠的。
在有些情況下,比如電感、I-V和C-V信息的價(jià)值都非常有限。但是,Q在使用的頻率之下,作為電感表征和控制的參數,則具有很高的價(jià)值。I-V和C-V測試中面臨的挑戰是要理解,什么時(shí)候它是產(chǎn)品特性的主要表征,什么時(shí)候不是。許多模擬和無(wú)線(xiàn)器件特性的只要表征參數是Ft和Fmax。理想的情況下,在第3諧波以外的使用情況下,它們是需要測量并提取出來(lái)的RF參數。對于數字和存儲器產(chǎn)品,只要器件的模型保持簡(jiǎn)化,那么I-V和C-V對于有源和無(wú)源器件來(lái)說(shuō)都是很有價(jià)值的測量項目。前面提到的,柵介質(zhì)的測量具有復雜的C-V模型。
采用RF/RF C-V的顧慮
不可靠的測試會(huì )阻礙生產(chǎn)管理。好器件的壞測量結果被稱(chēng)為alpha錯誤。在生產(chǎn)中,這可能意味著(zhù)有晶圓被誤廢棄。讓人誤解的ITRS信息,以及許多公司在他們的建模實(shí)驗室經(jīng)歷緩慢、艱苦的過(guò)程,這些結合起來(lái)都使得工程師不情愿采用量產(chǎn)RF測試,他們認為會(huì )有高的alpha錯誤率。
人們還認識到生產(chǎn)能力和運營(yíng)成本將是不可接受的,而且還需要高水準的技術(shù)支持來(lái)解釋測量結果。沒(méi)有可靠的校準、以及接觸電阻問(wèn)題所帶來(lái)的重復測試,造成了早期的RF系統的低生產(chǎn)能力。過(guò)去舊系統的校準并不是對不同的測量頻率配置都有效。高的運營(yíng)成本還與手動(dòng)測試黃金標準校正片有關(guān)系,它用的是軟墊和昂貴的RF探針,這種探針會(huì )由于過(guò)度壓劃而很快壞掉,從而成本大增。市場(chǎng)上還有一種錯誤的理解,認為晶圓級的s參數測試需要專(zhuān)門(mén)的探針和卡盤(pán)。
生產(chǎn)中關(guān)于RF測試需要額外關(guān)注的方面:
● 需要改變大量的測試結構。
● 結果不穩定,隨設備、人和時(shí)間的變化而發(fā)生變化。
● RF專(zhuān)家必須照顧呵護每一臺設備。
● 對于不同的批次可能需要完全不同的處理和操作流程。
● 懷疑這是否能夠成為實(shí)時(shí)技術(shù)。
● 實(shí)驗室級別的結果不可靠。
fab在這些認知的基礎上仍然維持現狀,像"瞎蒼蠅"一樣進(jìn)行著(zhù)RF芯片、新柵極材料和其他先進(jìn)器件的設計和工藝開(kāi)發(fā)。結果是設計與工藝的相互作用,大大增加了成本和走向市場(chǎng)的時(shí)間,同時(shí)還伴隨著(zhù)更低的初始良率。
生產(chǎn)解決方案
使晶圓級RF測試成為生產(chǎn)工藝控制工具的關(guān)鍵在于測試的完全自動(dòng)化。這意味著(zhù)機器人要把晶圓、校準標準、探針卡傳送到需要這些東西的地方。換句話(huà)說(shuō),設計測試系統時(shí)一個(gè)主要的目標是沒(méi)有人為干預的情況下數據的完整性。
現在的第三代測試機臺具有達到40GHz的這種測試能力。不像實(shí)驗室的儀器,這些專(zhuān)門(mén)設計用于量產(chǎn)環(huán)境的測試機臺,根據不同的應用,支持從6到65GHz的升級。要求第三代測試機臺能夠自動(dòng)進(jìn)行寄生去除處理,并根據DUT特性進(jìn)行選擇測試,這是獲得可信的Cox, Fmax和Q值所面臨的主要技術(shù)挑戰。這些算法,再加上改進(jìn)的互連技術(shù),以及自動(dòng)的校準過(guò)程,使得從s參數測試迅速準確地提取RF參數成為可能。
精確的寄生去除處理包括糾正隨機的測量假象。比如,在一個(gè)特征阻抗為50Ω的系統中,接觸電阻的任何變化都會(huì )限制測量的可重復性。設備制造商必須確定RF測試中所有不穩定的起源,從而在設計測量系統時(shí)有針對性地加以消除。系統互聯(lián)的創(chuàng )新設計改進(jìn)了系統中主要部件之間連接的可重復性。
設備制造商為了保證測量的可重復性,還要注意的其他方面如:測量自動(dòng)化,探針接觸阻抗的修正,探針變形量(overdrive)的調整,探針的清潔初始化??刂坪锰结樀淖冃瘟恳约氨匾獣r(shí)對探針進(jìn)行清洗,這些都會(huì )明顯延長(cháng)探針的壽命,這會(huì )降低主要的耗材成本(每根RF探針價(jià)值大約$1000)。這應該也是測試機臺統計過(guò)程控制的一部分。
在具有穩定已知的誤差分布,以及不確定性特征的條件下,來(lái)源于收集數據的史密斯曲線(xiàn)就不會(huì )存在非物理假象;不再需要由專(zhuān)家來(lái)分析和解釋這些結果了。在舊的系統中,RF測試專(zhuān)家需要對數據進(jìn)行監控(跟蹤每個(gè)測試系列的曲線(xiàn)等),尋找奇怪的、或者意外的測量結果,然后分析這些結果以確認它們代表的是工藝的變化,而不是測量的異常。
第三代參數測試儀通過(guò)改進(jìn)邏輯方法使得持續監控RF測量成為現實(shí),降低甚或消除了對于RF專(zhuān)家技術(shù)支持的需求。使用這些系統,不周生產(chǎn)層面的操作者能夠通過(guò)大量的產(chǎn)品和生產(chǎn)設備獲取可重復的、實(shí)時(shí)的測量結果。RF測試幾乎和DC測試一樣容易,它也成為完全表征晶圓器件時(shí)的必需之舉。實(shí)際上,一套第三代系統可以同時(shí)進(jìn)行DC和RF測試(見(jiàn)"RF測試的創(chuàng )新設計")。這個(gè)系統包含了許多其他的改進(jìn),以提高產(chǎn)能,使它在工藝監控的量產(chǎn)晶圓級測試方面更實(shí)用。這些特點(diǎn)加速了建模實(shí)驗室的測量工作,同時(shí)又不降低測量結果的實(shí)驗室級別,從而縮短了研發(fā)周期和進(jìn)入市場(chǎng)的時(shí)間。所有這些都可以通過(guò)簡(jiǎn)單的系統升級實(shí)現,而不必購買(mǎi)專(zhuān)用的探針臺。當校準規格存儲到探針臺后,操作流程與單純的DC測試一樣,只有在周期性的設備保養時(shí)才會(huì )變化。
附文:RF測試的創(chuàng )新設計
很多年以來(lái),晶圓級RF參數測試是給人的印象是頻率局限于6 GHz的"大鐵盒子"自動(dòng)測試設備(ATE),或者是不能用于生產(chǎn)的實(shí)驗室系統。對于統計過(guò)程表征與控制都是不實(shí)用的。為了解決現有系統的問(wèn)題,Keithley公司在2001年推出DC/RF系列參數測試機臺。最近,它提出了第三代的RF測試能力(如圖)。
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利用這些系統,探針只需一次壓入,DC和R F測試就可以并行進(jìn)行。當RF測試進(jìn)行時(shí),DC測試可以在后臺運行,或者相反,這取決于哪種測試更復雜。系統軟件提供實(shí)時(shí)的后序寄生消除處理和參數提取。
系統設計受到了幾家客戶(hù)成功合作的影響,使得所有公司的DC參數測試機臺在升級到第三代RF時(shí)都會(huì )大有收益(如表)。在半導體晶圓工廠(chǎng)中證明,不同技術(shù)人員使用生產(chǎn)設備的同一系統得到了相同的結果,在過(guò)去,即使是在實(shí)驗室級別的系統上或者其他供應商的設備上,這都是不可能的。
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從一開(kāi)始,設計的目標就是使得fab設備操作人員能夠通過(guò)使用DC/RF參數測試系統,得到高質(zhì)量的RF測試結果?,F在,沒(méi)有經(jīng)過(guò)專(zhuān)門(mén)RF培訓的操作人員只需要把晶圓放入測試系統,就能夠得到實(shí)驗室級別的結果。但操作人員要知道要測參數和器件的名字。
這些能力的獲得來(lái)源于專(zhuān)利、未決專(zhuān)利的軟硬件。每個(gè)系統包含的是業(yè)界最大的RF參數提取庫。
在65nm及以下結點(diǎn),這是量產(chǎn)中高耗散因數(high D)、高介電常數(high K)材料RF C-V測試的唯一解決方案。Keithley是20GHZ以上唯一通過(guò)量產(chǎn)驗證的RF測試系統供應商。雖然這些系統主要是為了實(shí)驗室中的參數測試而設計,但是它在建模實(shí)驗室、量產(chǎn)參數監控以及后道功能測試中都是非常實(shí)用的。一個(gè)使用該測試機臺的實(shí)驗室報道,以前要花費13周的時(shí)間來(lái)收集和分析的數據,利用這個(gè)系統只需要一個(gè)8小時(shí)的工作日就可以完成。用這種系統驗證一個(gè)新的RF工藝模型可能在幾天內就可以完成,而如果用以前的RF方法則要花兩個(gè)多月的時(shí)間。
軟接觸(自動(dòng)Z方向調整)控制方式使得RF測試更出眾,耗材成本更低。這種新系統測量接觸電阻,從而限制探針變形量和探針疲勞。接觸電阻的值還被用來(lái)修正測量結果。
在別的系統中,RF探針最好的使用壽命是大約3000次壓觸。采用軟接觸控制,在一種應用中,客戶(hù)獲得的探針有效壽命高達300,000次壓觸。 另外,一個(gè)用戶(hù)的一套RF探針,甚至將要用到4百萬(wàn)次壓觸。在后面的一個(gè)案例中,六個(gè)月里少更換探針所節省下來(lái)的錢(qián),可以支付由DC系統升級到RF系統的費用。
這套系統中探針控制的另外一個(gè)特點(diǎn)是更好地利用探針抬起的時(shí)間。當探針在尋址、針在空氣中時(shí),系統進(jìn)行s參數測量以確定針尖是否變臟了。如果臟了的話(huà),探針會(huì )移動(dòng)到清洗墊進(jìn)行清潔工作。300mm主機中,這種單次測試中能夠自動(dòng)觸發(fā)針尖清潔的功能與執行單條命令時(shí)的校準功能一樣,是這些第三代系統所特有的。
探針卡更換在RF測試機臺中非常頻繁,因此機械損傷時(shí)有發(fā)生。在許多其他系統中,機械互連需要使用轉矩扳手。這經(jīng)常會(huì )造成:扳手掉在探針卡上的事故性損傷,或者過(guò)扭損傷,或者連接不充分造成錯誤校準。在第三代系統中,操作者只需要簡(jiǎn)單地掀一下按鈕,探針卡出來(lái)、拿掉、新卡放在卡槽-所有這些都由機械手來(lái)做。此時(shí)測試頭在里面,因此對于大部分類(lèi)型的探針臺來(lái)說(shuō),校準不會(huì )受到影響。
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