Vishay榮獲《電子產(chǎn)品世界》2013年度電源產(chǎn)品獎

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，該公司的Si8851EDB TrenchFET® P溝道Gen III功率MOSFET榮獲《電子產(chǎn)品世界》雜志的2013年度電源產(chǎn)品獎。

　　《電子產(chǎn)品世界》年度電源產(chǎn)品獎評選已經(jīng)舉行了11年，面向全球的電源供應商征集參選產(chǎn)品。五個(gè)門(mén)類(lèi)的最佳產(chǎn)品獎和最佳應用獎的獲獎產(chǎn)品是通過(guò)在線(xiàn)投票，以及《電子產(chǎn)品世界》的編輯、專(zhuān)家和工程師的嚴格評審選出的。Vishay的Si8851EDB能夠在便攜式計算設備中顯著(zhù)提高效率和節省大量空間，被授予“功率元器件”類(lèi)之最佳應用獎。

　　Vishay Siliconix Si8851EDB是業(yè)內首個(gè)采用2.4mm x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT®封裝尺寸的-20V MOSFET，具有極低的導通電阻，在-4.5V和-2.5V柵極驅動(dòng)下的導通電阻分別低至8.0mΩ和11.0mΩ。與最接近的2mm x 2mm x 0.8mm器件相比，Si8851EDB的高度低50%，在4.5V柵極驅動(dòng)下的導通電阻幾乎只有前者的一半，單位封裝尺寸的導通電阻低37%。Si8851EDB的導通電阻接近3.3mm x 3.3mm x 0.8mm MOSFET的導通電阻，外形尺寸則小56%，單位封裝尺寸的導通電阻低30%以上。

　　Si8851EDB的高度只有0.4mm，適用于平板電腦、智能手機和筆記本電腦的電源管理應用中的負載和電池開(kāi)關(guān)。器件的低導通電阻使設計者能夠在電路里實(shí)現更低的壓降，從而更有效地使用電能，延長(cháng)電池使用時(shí)間，同時(shí)其小尺寸占位可節省寶貴的PCB空間。

　　2013年度電源產(chǎn)品獎在深圳舉行的《電子產(chǎn)品世界》“綠色電源與電源管理技術(shù)研討會(huì )”上向獲獎企業(yè)頒發(fā)。