手機充電管理設計要點(diǎn)及主流方案解析
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雖然目前市面上的手機品牌眾多，但其充電回路大致相同，都采用基于PMOS的充電電路。使用PMOS時(shí)易于以較低電壓控制其開(kāi)關(guān)，而手機主板上電壓多為3V左右，因此能輕松實(shí)現開(kāi)關(guān)控制。另外，MOS管是電壓型控制器件，相對三極管而言，功耗也小很多。
常見(jiàn)的手機充電電路可分為如下三種：
1、PMOS+肖特基二極管：MTK和展訊平臺采用此種方式。PMOS控制充電的開(kāi)關(guān)和充電電流的大小，肖特基二極管防止電池通過(guò)PMOS的內部寄生二極管倒灌電流，且正向導通時(shí)其正向壓降相對普通二極管要小。
推薦產(chǎn)品：BF9024SPD-M（8Pin）、BF9024SPD-MS（6Pin）：主要參數請參考表一。
表一.BF9024SPD系列主要參數
圖一. PMOS+二極管
圖二. 分離PMOS和二極管
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