CMOS工藝PMOS壓控變容特性研究

　　圖2為PMOS管連接成壓控可變電容的示意圖。具體是將漏、源和襯底短接作為電容的一極接高電平，柵極作為另一極接低電平。這種連接與MIS電容結構有著(zhù)類(lèi)似的機理，所以，電容值隨襯底與柵極之間的電壓VBG變化。

　　對于PMOS變容管，在襯柵電壓VBG的作用下，變容管的電容可以看作柵氧化層電容與半導體空間電荷區電容的串聯(lián)，即：

　　型轉折點(diǎn)的空間電荷區最大寬度，φf(shuō)=Vtln(Na/ni)為雜質(zhì)半導體襯底的相對費米勢，Vt= kT/e為熱電壓，ni為本征載流子濃度，k為玻爾茲曼常數，T為絕對溫度;εox為氧化層的介電常數;tox為氧化層厚度。

　　由于處于耗盡區、弱反型區和中反型區3個(gè)區域中的PMOS只有很少的移動(dòng)載流子，這使得PMOS電容Cv減小(比Cox小)。此時(shí)，Cv可以看成由氧化層電容Cox和半導體表面空間電荷層電容(由Cb與Ci的并聯(lián)電容值，Cb表示耗盡區域電容，而Ci與柵氧化層界面的空穴數量變化相關(guān))串聯(lián)構成，如式(1)所示。從反型載流子溝道建立開(kāi)始到強反型區又可細分為3個(gè)工作區域：弱反型區、中反型區和強反型區。如果Cb(Ci)占主導地位，則MOS器件工作在中反型(耗盡)區;如果2個(gè)電容都不占主導地位，MOS器件工作在弱反型區。

　　進(jìn)入強反型區后分為高頻和低頻兩種測試情形，高頻條件下少數載流子的產(chǎn)生與復合均跟不上信號的變化，于是Cv不隨偏壓的變化;而低頻(準靜態(tài))下它能隨偏壓而變化。理論上，常常在各區段抓住影響MOS管電容Cv的主要因素進(jìn)行研究，但各個(gè)次要因素與主要因素相互作用，構成連續的變容特性曲線(xiàn)如圖3所示?？梢?jiàn)，PMOS管電容器的變容特性理論曲線(xiàn)與一般MIS結構電容的特性變化趨勢相似。

　　2 PMOS管變容特性建模與仿真

　　2.1 PMOS管變容高頻特性建模

　　用HSpice和Candence Spectre進(jìn)行晶體管級電路模擬仿真時(shí)，軟件根據晶體管靜態(tài)條件下所建模型對PMOS變容管準靜態(tài)特性的獲取較為方便，但對其高頻特性顯得無(wú)能為力。以下將基于PMOS變容管準靜態(tài)特性的基本參數，采用特性曲線(xiàn)擬合的辦法，對PMOS變容管高頻(即動(dòng)態(tài))特性進(jìn)行建模。

　　由圖3可見(jiàn)，Cv隨VBG變化的高頻特性曲線(xiàn)類(lèi)似于雙曲正切函數曲線(xiàn)，選取曲線(xiàn)的關(guān)鍵點(diǎn)(-∞，Cox)、(VT，Cmin’)并引入電容變化指數γ(類(lèi)似于變容二極管的結電容變化指數)與此特性曲線(xiàn)進(jìn)行擬合，得PMOS管高頻變容VBG～CV特性的模型函數：

2.2 PMOS管變容特性仿真

　　2.2.1 變容管準靜態(tài)特性的Hspice仿真

　　為獲得式(5)中所需的基本參數，且便于和理論分析的特性曲線(xiàn)作對比，選取Charted 0.35μm工藝庫，用Hspiee對PMOS管連接的變容器與以固定電容器相串聯(lián)，離散加入一系列靜態(tài)偏壓，根據分壓逐一地得到PMOS變容器的容值和對應的偏壓。仿真時(shí)，PMOS管尺寸取L=1μ，W=7.1μm，得到逐點(diǎn)仿真的準靜態(tài)擬合曲線(xiàn)如圖4所示。

　　

　　這個(gè)曲線(xiàn)的走勢與理論分析的變化趨勢一致。

　　2.2.2 變容管高頻特性的Matlab仿真

　　取L=1μm，分別對W=7.1μm，W=4.3 μm兩種情形用Matlab仿真。其他參數為：εs=11.7×8.854×10-12F/m，γ=1/2，VFB=-1.95V，Na=5×1021m-3，ni=1.5×1014m-3，tox=7.46×10-9m，絕對溫度T為300K，VT=-0.8427V，e為基本電荷的電量;εox=3.9×8.854×10-12 F/m。仿真得到的PMOS變容器高頻特性VBG—CV曲線(xiàn)如圖5所示?？梢?jiàn)，不同尺寸的PMOS變容管，其最大、最小電容有別，隨WL的增大二者均有所增大，相當于極板正對面積增大。這就是設計中確定變容范圍的依據。

　　

　　2.2.3 變容特性仿真結果的對比

　　為了說(shuō)明所建模型的正確性，將尺寸為L(cháng)=1 μm，W=7.1μm的PMOS管用HSpice仿真的準靜態(tài)變容特性曲線(xiàn)與用Matlab分別仿真L=1μm時(shí)W=7.1μm，W=4.3 μm的高頻變容特性曲線(xiàn)放在同一VBG—CV坐標上比較，如圖6所示。

　　可見(jiàn)，PMOS變容特性在準靜態(tài)與高頻特性分離以前曲線(xiàn)吻合得很好。由于HSpiee仿真與具體工藝參數相結合，可以認為仿真曲線(xiàn)為實(shí)際準靜態(tài)特性，而用Matlab對高頻模型仿真所得到的高頻變容特性曲線(xiàn)為模型曲線(xiàn)。并且二者共同完成了對PMOS電容器連接的變容特性描述，其結果和分析結果與圖2一致。

　　3 結語(yǔ)

　　本文對PMOS用作變容管時(shí)的特性進(jìn)行了研究，用HSpice對準靜態(tài)特性進(jìn)行仿真描繪，從而確定了一些關(guān)鍵點(diǎn)。在此基礎上，建立了高頻變容特性的簡(jiǎn)化模型，用Matlab對模型進(jìn)行了仿真，并與HSpice得到的準靜態(tài)結果局部比對、與理論分析總體比對均說(shuō)明了結果的正確性。